公开(公告)号：DE112012001058T5

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：DE112012001058

申请日：2012-01-26

Applicant: IBM

Inventor： GUNAWAN OKI ,  MITZI DAVID B ,  SADANA DEVENDRA K ,  KIM JEEHWAN ,  DOROV TEODOR K

IPC: H01L31/0256

Abstract: Eine photosensitive Einheit und ein Verfahren umfassen eine obere Zelle (102), welche eine n-leitende Schicht, eine p-leitende Schicht und dazwischen eine obere eigenleitende Schicht aufweist. Eine untere Zelle (104) weist eine n-leitende Schicht, eine p-leitende Schicht und dazwischen eine untere eigenleitende Schicht auf. Die untere eigenleitende Schicht weist ein Cu-Zn-Sn-haltiges Chalkogenid (116) auf.

公开(公告)号：DE112012001058B4

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE112012001058

申请日：2012-01-26

Applicant: IBM

Inventor： GUNAWAN OKI ,  KIM JEEHWAN ,  MITZI DAVID B ,  SADANA DEVENDRA K ,  DOROV TEODOR K

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0749

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Tandem-Photovoltaikeinheit, aufweisend:Bilden einer unteren Zelle (104) auf einem Substrat (122), wobei die untere Zelle (104) eine n-leitende Schicht (114), eine p-leitende Schicht (120) und dazwischen eine untere eigenleitende Schicht (116) aufweist, wobei die p-leitende Schicht (120) derart bereitgestellt wird, dass sie als eine Molybdän-Schicht ausgebildet ist und wobei die Dicke dieser Molybdän-Schicht größer als die Dicke der n-leitenden Schicht (114) ist,Anwenden von Wasserstoffplasma auf der n-leitenden Schicht (114) zur Erhöhung der Kristallinität einer auf der n-leitenden Schicht (114) anwachsenden p-leitenden Schicht (112) einer oberen Zelle (102),Bilden einer oberen Zelle (102) über der unteren Zelle (104), um eine Tandemzelle (100) zu bilden, wobei die obere Zelle (102) eine n-leitende Schicht (106), eine p-leitende Schicht (112) und dazwischen eine obere eigenleitende Schicht (110) aufweist, undBilden einer transparenten Elektrode (108) auf der n-leitenden Schicht (106) der oberen Zelle (102),wobei die untere eigenleitende Schicht (116) eine Cu-Zn-Sn-haltige Chalkogenidverbindung aufweist mit einer Kesteritstruktur der Formel CuZnSn(SSe), wobei 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1; 0 ≤ z ≤ 1; -1 ≤ q ≤ 1, wobei z so gesteuert wird, dass eine Bandlücke der unteren Zelle (104) so eingestellt wird, dass sie kleiner als eine Bandlücke der oberen Zelle (102) ist und wobei die Dicke der eigenleitenden Schicht (116) zwischen 0,2 und 4,0 µm liegt.