公开(公告)号：DE112010004700B4

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE112010004700

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  NEWNS DENNIS ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  MARTYNA GIENN JOHN ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L27/20 ,  H01L41/04 ,  H01L41/107

Abstract: Kopplungsstruktur zur Kopplung von in piezoelektrischem Material erzeugten mechanischen Spannungen mit einer betätigten Einheit eines integrierten Schaltkreises, wobei die Struktur Folgendes aufweist: eine starre Versteifungsstruktur, die um ein piezoelektrisches Material und die betätigte Einheit herum ausgebildet ist, wobei die betätigte Einheit ein piezoresistives Material aufweist, das einen elektrischen Widerstand aufweist, der von dem darauf ausgeübten Druck abhängig ist, wobei die betätigte Einheit durch den auf das piezoresistive Material ausgeübten Druck eine Widerstandsänderung des piezoresistiven Materials vornimmt; und eine weiche Pufferstruktur, die aus einem Material mit niedrigem Elastizitätsmodul besteht und um das piezoelektrische Material und das piezoresistive Material herum ausgebildet ist, wobei die Pufferstruktur zwischen dem piezoelektrischen und piezoresistiven Material und der Versteifungsstruktur angeordnet ist, wobei die Versteifungsstruktur das piezoelektrische und das piezoresistive Material an ein Substrat klemmt, über dem das piezoelektrische und das piezoresistive Material ausgebildet sind, so dass eine Gesamtverformung des piezoelektrischen und des piezoresistiven Materials gering bleibt, und wobei die weiche Pufferstruktur dem piezoelektrischen Material Bewegungsfreiheit in Bezug auf das piezoresistive Material ermöglicht, wodurch die mechanische Spannung, die durch eine an das piezoelektrische Material angelegte elektrische Spannung erzeugt wird, an das piezoresistive Material so gekoppelt wird, dass sich der elektrische Widerstand des piezoresistiven Materials ändert.

公开(公告)号：GB2506556A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：GB201400400

申请日：2012-07-02

Applicant: IBM

Inventor： ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  MARTYNA GLENN J ,  NEWNS DENNIS ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  SOLOMAN PAUL MICHAEL

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/08 ,  H01L49/00

Abstract: A 4-terminal piezoelectronic transistor (PET) which includes a piezoelectric (PE) material disposed between first and second electrodes; an insulator material disposed on the second electrode; a third electrode disposed on the insulator material and a piezoresistive (PR) material disposed between the third electrode and a fourth electrode. An applied voltage across the first and second electrodes causing a pressure from the PE material to be applied to the PR material through the insulator material, the electrical resistance of the PR material being dependent upon the pressure applied by the PE material. The first and second electrodes are electrically isolated from the third and fourth electrodes. Also disclosed are logic devices fabricated from 4-terminal PETs and a method of fabricating a 4-terminal PET.

公开(公告)号：GB2485749B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：GB201205373

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  NEWNS DENNIS ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L41/08

Abstract: A coupling structure for coupling piezoelectric material generated stresses to an actuated device of an integrated circuit includes a rigid stiffener structure formed around a piezoelectric (PE) material and the actuated device, the actuated device comprising a piezoresistive (PR) material that has an electrical resistance dependent upon an applied pressure thereto; and a soft buffer structure formed around the PE material and PR material, the buffer structure disposed between the PE and PR materials and the stiffener structure, wherein the stiffener structure clamps both the PE and PR materials to a substrate over which the PE and PR materials are formed, and wherein the soft buffer structure permits the PE material freedom to move relative to the PR material, thereby coupling stress generated by an applied voltage to the PE material to the PR material so as change the electrical resistance of the PR material.

公开(公告)号：DE112023002014T5

公开(公告)日：2025-02-27

申请号：DE112023002014

申请日：2023-04-18

Applicant: IBM

Inventor： LUAN BINQUAN ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON

IPC: B01D53/04 ,  B01D53/32 ,  C01B32/50

Abstract: Bereitgestellt wird ein Verfahren und System für die Kohlendioxidabscheidung durch einen Spannungswechsel. Das Verfahren kann ein Abscheiden von Kohlendioxid aus einem Gasgemisch mittels Physisorption durch Anlegen einer positiven elektrischen Ladung an ein Sorptionsmittel, um die Selektivität und Adsorption des Sorptionsmittels zu erhöhen, sowie durch Freisetzen des Kohlendioxids aus dem Sorptionsmittel enthalten, indem die positive Ladung von dem Sorptionsmittel entfernt wird und ein Desorptionsverfahren auf das Sorptionsmittel angewendet wird.

公开(公告)号：GB2506556B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：GB201400400

申请日：2012-07-02

Applicant: IBM

Inventor： ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  MARTYNA GLENN J ,  NEWNS DENNIS ,  ROSSNAGEL STEPHEN M ,  SOLOMAN PAUL MICHAEL

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/08 ,  H01L49/00

Abstract: A 4-terminal piezoelectronic transistor (PET) which includes a piezoelectric (PE) material disposed between first and second electrodes; an insulator material disposed on the second electrode; a third electrode disposed on the insulator material and a piezoresistive (PR) material disposed between the third electrode and a fourth electrode. An applied voltage across the first and second electrodes causing a pressure from the PE material to be applied to the PR material through the insulator material, the electrical resistance of the PR material being dependent upon the pressure applied by the PE material. The first and second electrodes are electrically isolated from the third and fourth electrodes. Also disclosed are logic devices fabricated from 4-terminal PETs and a method of fabricating a 4-terminal PET.

公开(公告)号：DE112010004700T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112010004700

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  NEWNS DENNIS ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  MARTYNA GIENN JOHN ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L27/20 ,  H01L41/04 ,  H01L41/107

Abstract: Eine Kopplungsstruktur zur Kopplung von in piezoelektrischem Material erzeugten mechanischen Spannungen mit einer betätigten Einheit eines integrierten Schaltkreises enthält eine starre Versteifungsstruktur, die um ein piezoelektrisches (PE) Material herum ausgebildet ist, und die betätigte Einheit, wobei die betätigte Einheit ein piezoresistives (PR) Material aufweist, die einen elektrischen Widerstand aufweist, der von dem darauf ausgeübten Druck abhängig ist; und eine weiche Pufferstruktur, die um das PE-Material und das PR-Material herum ausgebildet ist, wobei die Pufferstruktur zwischen dem PE- und dem PR-Material und der Versteifungsstruktur angeordnet ist, wobei die Versteifungsstruktur das PE- und das PR-Material an ein Substrat befestigt, über dem das PE- und das PR-Material gebildet werden, und wobei die weiche Pufferstruktur dem PE-Material Bewegungsfreiheit in Bezug auf das PR-Material ermöglicht, wodurch die mechanische Spannung, die durch eine an das PE-Material angelegte elektrische Spannung erzeugt wird, an das PR-Material so gekoppelt wird, dass sich der elektrische Widerstand des PR-Materials ändert.

公开(公告)号：GB2485749A8

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：GB201205373

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  NEWNS DENNIS ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L41/08

Abstract: A coupling structure for coupling piezoelectric material generated stresses to an actuated device of an integrated circuit includes a rigid stiffener structure formed around a piezoelectric (PE) material and the actuated device, the actuated device comprising a piezoresistive (PR) material that has an electrical resistance dependent upon an applied pressure thereto; and a soft buffer structure formed around the PE material and PR material, the buffer structure disposed between the PE and PR materials and the stiffener structure, wherein the stiffener structure clamps both the PE and PR materials to a substrate over which the PE and PR materials are formed, and wherein the soft buffer structure permits the PE material freedom to move relative to the PR material, thereby coupling stress generated by an applied voltage to the PE material to the PR material so as change the electrical resistance of the PR material.

公开(公告)号：GB2485749A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：GB201205373

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  NEWNS DENNIS ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L41/08

Abstract: A coupling structure for coupling piezoelectric material generated stresses to an actuated device of an integrated circuit includes a rigid stiff ener structure formed around a piezoelectric (PE) material and the actuated device, the actuated device comprising a piezoresistive (PR) material that has an electrical resistance dependent upon an applied pressure thereto; and a soft buffer structure formed around the PE material and PR material, the buffer structure disposed between the PE and PR materials and the stiffener structure, wherein the stiffener structure clamps both the PE and PR materials to a substrate over which the PE and PR materials are formed, and wherein the soft buffer structure permits the PE material freedom to move relative to the PR material, thereby coupling stress generated by an applied voltage to the PE material to the PR material so as change the electrical resistance of the PR material.