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    Strukturierung mit hoher Wiedergabetreue unter Verwendung eines Fluorkohlenwasserstoff enthaltenden Polymers
    2.
    发明专利
    Strukturierung mit hoher Wiedergabetreue unter Verwendung eines Fluorkohlenwasserstoff enthaltenden Polymers 未知

    公开(公告)号：DE112012004495T5

    公开(公告)日：2014-07-24

    申请号：DE112012004495

    申请日：2012-10-24

    Applicant: IBM ,  ZEON CORP

    Inventor： BRINK MARKUS ,  ENGELMANN SEBASTIAN U ,  FULLER NICHOLAS C M ,  GUILLORN MICHAEL A ,  NAKAMURA MASAHIRO ,  MIYAZOE HIROYUKI

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

    Abstract: Ein Stapel aus einer Hartmaskenschicht, einer Weichmaskenschicht und einem Photoresist wird auf einem Substrat gebildet. Der Photoresist wird strukturiert, so dass er mindestens eine Öffnung umfasst. Die Struktur wird durch ein anisotropes Ätzen in die Weichmaskenschicht übertragen, wodurch ein kohlenstoffreiches Polymer gebildet wird, welches mehr Kohlenstoff als Fluor umfasst. Das kohlenstoffreiche Polymer kann durch Verwenden eines Fluorkohlenwasserstoff enthaltenden Plasmas gebildet werden, welches mit Fluorkohlenwasserstoff-Molekülen gebildet wird, die mehr Wasserstoff als Fluor umfassen. Die Seitenwände der Weichmaskenschicht werden mit dem kohlenstoffreichen Polymer beschichtet und dieses verhindert eine Verbreiterung der Struktur, die in die Weichmaske übertragen wird. Der Photoresist wird anschließend entfernt und die Struktur in der Weichmaskenschicht wird in die Hartmaskenschicht übertragen. Seitenwände der Hartmaskenschicht werden mit dem kohlenstoffreichen Polymer beschichtet, um eine Verbreiterung der Struktur zu verhindern, die in die Hartmaske übertragen wird.

    High selectivity nitride etch process
    4.
    发明专利
    High selectivity nitride etch process 未知

    公开(公告)号：GB2509660B

    公开(公告)日：2016-02-24

    申请号：GB201407290

    申请日：2012-10-25

    Applicant: ZEON CORP ,  IBM

    Inventor： CHANG JOSEPHINE B ,  ENGELMANN SEBASTIAN U ,  FULLER NICHOLAS C M ,  GUILLORN MICHAEL A ,  NAKAMURA MASAHIRO

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311

    Abstract: An anisotropic silicon nitride etch provides selectivity to silicon and silicon oxide by forming a fluorohydrocarbon-containing polymer on silicon surfaces and silicon oxide surfaces. Selective fluorohydrocarbon deposition is employed to provide selectivity to non-nitride surfaces. The fluorohydrocarbon-containing polymer interacts with silicon nitride to form a volatile compound, thereby enabling etching of silicon nitride. The fluorohydrocarbon-containing polymer interacts with silicon oxide at a low reaction rate, retarding, or completely stopping, the etching of silicon oxide. The fluorohydrocarbon-containing polymer does not interact with silicon, and protects silicon from the plasma. The anisotropic silicon nitride etch can be employed to etch silicon nitride selective to silicon and silicon oxide in any dimension, including small dimensions less than 50 nm.

    Nitridätzprozess mit hoher Selektivität
    5.
    发明专利
    Nitridätzprozess mit hoher Selektivität 未知

    公开(公告)号：DE112012004143T5

    公开(公告)日：2014-09-11

    申请号：DE112012004143

    申请日：2012-10-25

    Applicant: IBM ,  ZEON CORP

    Inventor： NAKAMURA MASAHIRO ,  GUILLORN MICHAEL A ,  FULLER NICHOLAS C M ,  ENGELMANN SEBASTIAN U ,  CHANG JOSEPHINE B

    IPC: H01L21/311 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085

    Abstract: Eine anisotrope Ätzung von Siliciumnitrid stellt Selektivität gegenüber Silicium und Siliciumoxid durch Ausbilden eines fluorkohlenwasserstoffhaltigen Polymers auf Siliciumflächen und Siliciumoxidflächen bereit. Eine selektive Abscheidung von Fluorkohlenwasserstoff wird eingesetzt, um Selektivität gegenüber Nichtnitridflächen bereitzustellen. Das fluorkohlenwasserstoffhaltige Polymer tritt mit Siliciumnitrid in Wechselwirkung, um eine flüchtige Verbindung zu bilden, wodurch ein Ätzen von Siliciumnitrid ermöglicht wird. Das fluorkohlenwasserstoffhaltige Polymer tritt bei einer niedrigen Reaktionsgeschwindigkeit mit Siliciumoxid in Wechselwirkung und verzögert oder beendet das Ätzen von Siliciumoxid vollständig. Das fluorkohlenwasserstoffhaltige Polymer tritt nicht mit Silicium in Wechselwirkung und schützt das Silicium vor dem Plasma. Die anisotrope Ätzung von Siliciumnitrid kann eingesetzt werden, um Siliciumnitrid selektiv gegenüber Silicium und Siliciumoxid in einer beliebigen Größenordnung zu ätzen, darunter bei kleinen Abmessungen von weniger als 50 nm.

    Niederenergie-Ätzverfahren für eine stickstoffhaltige dielektrische Schicht
    6.
    发明专利
    Niederenergie-Ätzverfahren für eine stickstoffhaltige dielektrische Schicht 未知

    公开(公告)号：DE112012004488T5

    公开(公告)日：2014-07-10

    申请号：DE112012004488

    申请日：2012-10-25

    Applicant: IBM ,  ZEON CORP

    Inventor： BRINK MARKUS ,  BRUCE ROBERT L ,  ENGELMANN SEBASTIAN U ,  FULLER NICHOLAS C M ,  MIYAZOE HIROYUKI ,  NAKAMURA MASAHIRO

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

    Abstract: Auf einem Substrat wird ein Stapel gebildet, der von unten nach oben eine stickstoffhaltige dielektrische Schicht, eine Verbindungsebene-Schicht aus dielektrischem Material und eine Hartmaskenschicht aufweist. Die Hartmaskenschicht und die Verbindungsebene-Schicht aus dielektrischem Material werden durch eine Ätzung strukturiert. Die stickstoffhaltige dielektrische Schicht wird unter Einsatz der strukturierten Hartmaskenschicht als Ätzmaske durch eine anisotrope Durchbruchätzung strukturiert, die ein Fluorkohlenwasserstoff-enthaltendes Plasma einsetzt, um durch die stickstoffhaltige dielektrische Schicht zu brechen. Fluorkohlenwasserstoff-enthaltende Gase, die zum Erzeugen des Fluorkohlenwasserstoff-enthaltenden Plasmas verwendet werden, erzeugen einen kohlenstoffreichen Polymerrückstand, der mit der stickstoffhaltigen dielektrischen Schicht wechselwirkt, um flüchtige Verbindungen zu bilden. Die Plasmaenergie kann auf unter 100 eV gesenkt werden, um eine Schädigung von physisch freigelegten Oberflächen der Verbindungsebene-Schicht aus dielektrischem Material zu verringern.

    High selectivity nitride etch process
    7.
    发明专利
    High selectivity nitride etch process 未知

    公开(公告)号：GB2509660A

    公开(公告)日：2014-07-09

    申请号：GB201407290

    申请日：2012-10-25

    Applicant: IBM ,  ZEON CORP

    Inventor： CHANG JOSEPHINE B ,  ENGELMANN SEBASTIAN U ,  FULLER NICHOLAS C M ,  GUILLORN MICHAEL A ,  NAKAMURA MASAHIRO

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311

    Abstract: An anisotropic silicon nitride etch provides selectivity to silicon and silicon oxide by forming a fluorohydrocarbon-containing polymer on silicon surfaces and silicon oxide surfaces. Selective fluorohydrocarbon deposition is employed to provide selectivity to non-nitride surfaces. The fluorohydrocarbon-containing polymer interacts with silicon nitride to form a volatile compound, thereby enabling etching of silicon nitride. The fluorohydrocarbon-containing polymer interacts with silicon oxide at a low reaction rate, retarding, or completely stopping, the etching of silicon oxide. The fluorohydrocarbon-containing polymer does not interact with silicon, and protects silicon from the plasma. The anisotropic silicon nitride etch can be employed to etch silicon nitride selective to silicon and silicon oxide in any dimension, including small dimensions less than 50 nm.

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