公开(公告)号：DE112017000209B4

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：DE112017000209

申请日：2017-02-22

Applicant: IBM

Inventor： FALK ABRAM ,  FARMER DAMON BROOKS ,  HAN SHU-JEN

IPC: G01N21/63 ,  C01B32/05 ,  G01J3/12 ,  G01J3/36 ,  H01L27/14 ,  H01L51/00 ,  H01L51/44

Abstract: Verfahren zum Bilden eines Detektors, das aufweist:paralleles Ausrichten von halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen auf einem Substrat, um eine Nanoröhrchenschicht zu bilden;Schneiden der ausgerichteten halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen in der Nanoröhrchenschicht auf eine einheitliche Länge entsprechend einer Detektionsfrequenz; undBilden von Metallkontakten an gegenüberliegenden Enden der Nanoröhrchenschicht,wobei das Ausrichten der Mehrzahl von halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen ein Anordnen der Mehrzahl von halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen nebeneinander mit einer axialen Richtung umfasst, die senkrecht zu einer gemeinsamen Achse des ersten und des zweiten Metallkontakts verläuft.

公开(公告)号：DE112019000186T5

公开(公告)日：2020-09-03

申请号：DE112019000186

申请日：2019-01-28

Applicant: IBM

Inventor： FALK ABRAM ,  FARMER DAMON BROOKS ,  GIGNAC LYNNE MARIE

IPC: B82Y40/00 ,  C01B32/158

Abstract: Eine Membran wird elektrisch auf eine Polarität aufgeladen. Eine Oberfläche von Kohlenstoff-Nanoröhrchen (CNT) in einer Lösung wird dazu gebracht, eine Ladung der Polarität anzunehmen. Die Lösung wird durch die Membran filtriert. Eine elektromagnetische Abstoßung zwischen der Membran mit der Polarität und den CNTs mit der Polarität bewirkt, dass sich die CNTs spontan ausrichten und eine kristalline Struktur bilden.

公开(公告)号：DE112017000209T5

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：DE112017000209

申请日：2017-02-22

Applicant: IBM

Inventor： FALK ABRAM ,  FARMER DAMON BROOKS ,  HAN SHU-JEN

IPC: G01N21/63

Abstract: Detektoren und Verfahren zum Bilden derselben beinhalten ein paralleles Ausrichten von halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen auf einem Substrat, um eine Nanoröhrchenschicht zu bilden. Die ausgerichteten halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen in der Nanoröhrchenschicht werden auf eine einheitliche Länge entsprechend einer Detektionsfrequenz geschnitten. Metallkontakte sind an gegenüberliegenden Enden der Nanoröhrchenschicht ausgebildet.

公开(公告)号：AU2022229739B2

公开(公告)日：2025-01-16

申请号：AU2022229739

申请日：2022-02-25

Applicant: IBM

Inventor： FALK ABRAM ,  XIONG CHI ,  KAMLAPURKAR SWETHA ,  PAIK HANHEE ,  ORCUTT JASON

IPC: G02F1/025 ,  H01P3/08 ,  H01P5/107 ,  H01P7/08

Abstract: Techniques regarding quantum transducers are provided. For example, one or more embodiments described herein can include an apparatus that can include a superconducting microwave resonator having a microstrip architecture that includes a dielectric layer positioned between a superconducting waveguide and a ground plane. The apparatus can also include an optical resonator positioned within the dielectric layer.

公开(公告)号：DE112019003277T5

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE112019003277

申请日：2019-06-14

Applicant: IBM

Inventor： FALK ABRAM ,  FARMER DAMON BROOKS

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/101 ,  H01L33/34 ,  H01L33/36 ,  H01L51/44 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

Abstract: Eine Halbleitereinheit umfasst ein Band einer Dicke und einer Breite. Ein Material des Bandes ist dafür konfiguriert, Exzitonen ebenso wie Plasmonen zu beherbergen, und die Breite ist eine inverse Funktion eines Wellenvektorwerts, bei welchem ein Energieniveau von Plasmonen in dem Material im Wesentlichen gleich hoch ist wie ein Energieniveau von Exzitonen in dem Material. Die im Wesentlichen gleichen Energien der Plasmonen und der Exzitonen in dem Band bewirken eine Anregung intrinsischer Plasmon-Exziton-Polaritonen (IPEPs) in dem Band. Ein erster Kontakt ist mit einer ersten Stelle auf dem Band elektrisch verbunden und ein zweiter Kontakt ist mit einer zweiten Stelle auf dem Band elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE112020005274T5

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE112020005274

申请日：2020-12-02

Applicant: IBM

Inventor： FALK ABRAM ,  ZAFAR SUFI

IPC: H01L31/113 ,  G01N21/35 ,  G01N27/414

Abstract: Eine Halbleiterstruktur, welche einen Kanal (310) umfasst, der eine Source (302) auf dem Halbleitersubstrat (312) und einen Drain (304) auf dem Halbleitersubstrat (312) verbindet, wobei der Kanal (310) einen plasmonischen Resonator aufweist. Ein Sensor, welcher eine plasmonische Dünnschicht, wobei die plasmonische Dünnschicht eine Empfindlichkeit für einen bekannten Analyten umfasst, eine Halbleiterstruktur, welche eine Source (302) und einen Drain (304) eines Feldeffekttransistors umfasst, und eine elektrische Verbindung zwischen der plasmonischen Dünnschicht und einem Gate der Halbleiterstruktur umfasst. Ein Verfahren zum Bilden eines Sensors, umfassend Bilden eines Feldeffekttransistors („FET“) auf einem Halbleitersubstrat (312), wobei der Feldeffekttransistor eine Source (302), einen Drain (304) und ein Gate umfasst, wobei das Gate einen plasmonischen Resonator umfasst.