公开(公告)号：DE112011100907T5

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE112011100907

申请日：2011-04-26

Applicant: IBM

Inventor： FARMER DAMON BROOKS ,  CHEN KUAN-NENG ,  LIN YU-MING ,  AVOURIS PHAEDON

IPC: H01L27/085 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/58 ,  H01L21/822 ,  H01L25/04 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: Es werden Einheiten auf der Grundlage von Graphenkanälen und Techniken zu deren Fertigung bereitgestellt. In einem Aspekt beinhaltet eine Halbleitereinheit einen ersten Wafer, der zumindest einen Graphenkanal, der auf einem ersten Substrat ausgebildet ist, eine erste Oxidschicht, die den Graphenkanal umgibt, und Source- und Drain-Kontakte zu dem Graphenkanal, die sich durch die erste Oxidschicht erstrecken, aufweist; und einen zweiten Wafer, der eine CMOS-Einheitenschicht, die in einem zweiten Substrat ausgebildet ist, eine zweite Oxidschicht, die die CMOS-Einheitenschicht umgibt, und eine Vielzahl von Kontakten zu der CMOS-Einheitenschicht, die sich durch die zweite Oxidschicht erstrecken, aufweist, wobei die Wafer durch eine Oxid-Oxid-Bindung zwischen den Oxidschichten miteinander verbunden sind. Einer oder mehrere der Kontakte zu der Cain-Kontakten in Kontakt. Bei einem oder mehreren der Kontakte zu der CMOS-Einheitenschicht handelt es sich um Gate-Kontakte für den Graphenkanal.

公开(公告)号：DE112017000209B4

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：DE112017000209

申请日：2017-02-22

Applicant: IBM

Inventor： FALK ABRAM ,  FARMER DAMON BROOKS ,  HAN SHU-JEN

IPC: G01N21/63 ,  C01B32/05 ,  G01J3/12 ,  G01J3/36 ,  H01L27/14 ,  H01L51/00 ,  H01L51/44

Abstract: Verfahren zum Bilden eines Detektors, das aufweist:paralleles Ausrichten von halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen auf einem Substrat, um eine Nanoröhrchenschicht zu bilden;Schneiden der ausgerichteten halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen in der Nanoröhrchenschicht auf eine einheitliche Länge entsprechend einer Detektionsfrequenz; undBilden von Metallkontakten an gegenüberliegenden Enden der Nanoröhrchenschicht,wobei das Ausrichten der Mehrzahl von halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen ein Anordnen der Mehrzahl von halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen nebeneinander mit einer axialen Richtung umfasst, die senkrecht zu einer gemeinsamen Achse des ersten und des zweiten Metallkontakts verläuft.

公开(公告)号：DE112019000186T5

公开(公告)日：2020-09-03

申请号：DE112019000186

申请日：2019-01-28

Applicant: IBM

Inventor： FALK ABRAM ,  FARMER DAMON BROOKS ,  GIGNAC LYNNE MARIE

IPC: B82Y40/00 ,  C01B32/158

Abstract: Eine Membran wird elektrisch auf eine Polarität aufgeladen. Eine Oberfläche von Kohlenstoff-Nanoröhrchen (CNT) in einer Lösung wird dazu gebracht, eine Ladung der Polarität anzunehmen. Die Lösung wird durch die Membran filtriert. Eine elektromagnetische Abstoßung zwischen der Membran mit der Polarität und den CNTs mit der Polarität bewirkt, dass sich die CNTs spontan ausrichten und eine kristalline Struktur bilden.

公开(公告)号：DE112017000209T5

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：DE112017000209

申请日：2017-02-22

Applicant: IBM

Inventor： FALK ABRAM ,  FARMER DAMON BROOKS ,  HAN SHU-JEN

IPC: G01N21/63

Abstract: Detektoren und Verfahren zum Bilden derselben beinhalten ein paralleles Ausrichten von halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen auf einem Substrat, um eine Nanoröhrchenschicht zu bilden. Die ausgerichteten halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhrchen in der Nanoröhrchenschicht werden auf eine einheitliche Länge entsprechend einer Detektionsfrequenz geschnitten. Metallkontakte sind an gegenüberliegenden Enden der Nanoröhrchenschicht ausgebildet.

公开(公告)号：DE112018001069B4

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：DE112018001069

申请日：2018-05-17

Applicant: IBM

Inventor： FARMER DAMON BROOKS ,  TANG JIANSHI ,  YURKAS JOHN JACOB ,  HAN SHU-JEN

IPC: H01L29/775 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43

Abstract: Verfahren (600) zum Ausbilden einer Halbleitereinheit, wobei das Verfahren aufweist:Ausbilden (602) einer Nanoröhre (102) über einer Fläche eines Substrats (104);Ausbilden (604) einer Isolationsschicht (200) über der Nanoröhre;Freilegen (606) von Endabschnitten der Nanoröhre;Ausbilden (608) einer Benetzungsschicht (300) auf den Endabschnitten der Nanoröhre;Ausbilden (610) eines Metalls (400) mit niedriger Austrittsarbeit auf der Benetzungsschicht über den Endabschnitten der Nanoröhre; undAusbilden einer Deckschicht (500) über dem Metall mit niedriger Austrittsarbeit,wobei die Benetzungsschicht Titan aufweist, das Metall mit niedriger Austrittsarbeit Scandium aufweist und die Deckschicht Gold aufweist.

公开(公告)号：DE112019003277T5

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE112019003277

申请日：2019-06-14

Applicant: IBM

Inventor： FALK ABRAM ,  FARMER DAMON BROOKS

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/101 ,  H01L33/34 ,  H01L33/36 ,  H01L51/44 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

Abstract: Eine Halbleitereinheit umfasst ein Band einer Dicke und einer Breite. Ein Material des Bandes ist dafür konfiguriert, Exzitonen ebenso wie Plasmonen zu beherbergen, und die Breite ist eine inverse Funktion eines Wellenvektorwerts, bei welchem ein Energieniveau von Plasmonen in dem Material im Wesentlichen gleich hoch ist wie ein Energieniveau von Exzitonen in dem Material. Die im Wesentlichen gleichen Energien der Plasmonen und der Exzitonen in dem Band bewirken eine Anregung intrinsischer Plasmon-Exziton-Polaritonen (IPEPs) in dem Band. Ein erster Kontakt ist mit einer ersten Stelle auf dem Band elektrisch verbunden und ein zweiter Kontakt ist mit einer zweiten Stelle auf dem Band elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE112018003196T5

公开(公告)日：2020-03-05

申请号：DE112018003196

申请日：2018-06-13

Applicant: ASELSAN ELEKTRONIK SANAYI VE TICARET ANONIM SIRKETI ,  IBM

Inventor： HAN SHU-JEN ,  FARMER DAMON BROOKS ,  OH DAHYUN ,  MAUNE HAREEM TARIQ ,  AKGUN CAGLA ,  AKCA ESIN ,  DEMIRCI GOKHAN

IPC: H01M12/08 ,  H01M4/133 ,  H01M4/64

Abstract: Batterien und Verfahren zum Ausbilden derselben beinhalten eine Lithium-Anode, einen Elektrolyten mit einer hohen Löslichkeit von Lithium-Ionen und Sauerstoff und eine dünne Graphen-Kathode, die auf einem Substrat ausgebildet ist. Lithium-Ionen wandern von der Lithium-Anode durch den Elektrolyten, um LiOauf einer Fläche der dünnen Graphen-Kathode auszubilden.

公开(公告)号：GB2493238A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：GB201208558

申请日：2011-04-26

Applicant: IBM

Inventor： CHEN KUAN-NENG ,  LIN YU-MING ,  AVOURIS PHAEDON ,  FARMER DAMON BROOKS

IPC: H01L21/822 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16 ,  H01L29/786

Abstract: Graphene-channel based devices and techniques for the fabrication thereof are provided. In one aspect, a semiconductor device includes a first wafer having at least one graphene channel formed on a first substrate, a first oxide layer surrounding the graphene channel and source and drain contacts to the graphene channel that extend through the first oxide layer; and a second wafer having a CMOS device layer formed in a second substrate, a second oxide layer surrounding the CMOS device layer and a plurality of contacts to the CMOS device layer that extend through the second oxide layer, the wafers being bonded together by way of an oxide-to-oxide bond between the oxide layers. One or more of the contacts to the CMOS device layer are in contact with the source and drain contacts. One or more other of the contacts to the CMOS device layer are gate contacts for the graphene channel.

公开(公告)号：GB2497248B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：GB201305445

申请日：2011-07-20

Applicant: IBM

Inventor： AVOURIS PHAEDON ,  FARMER DAMON BROOKS ,  LIN YU-MING ,  ZHU YU

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786

Abstract: A method of forming a transistor structure is provided. The method includes forming a graphene layer on an insulating layer; forming a stack of a first metal portion and a second metal portion over the graphene layer, wherein sidewalls of the first metal portion are vertically coincident with sidewalls of the second metal portion; and laterally offsetting the sidewalls of the first metal portion relative to the sidewalls of the second metal portion by a lateral distance.

公开(公告)号：GB2499311B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：GB201300509

申请日：2013-01-11

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS ,  GRILL ALFRED ,  NEUMAYER DEBORAH ANN ,  PFEIFFER DIRK ,  ZHU WENJUAN ,  FARMER DAMON BROOKS ,  LIN YU-MING

IPC: H01L29/786 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66

Abstract: A silicon nitride layer is provided on an uppermost surface of a graphene layer and then a hafnium dioxide layer is provided on an uppermost surface of the silicon nitride layer. The silicon nitride layer acts as a wetting agent for the hafnium dioxide layer and thus prevents the formation of discontinuous columns of hafnium dioxide atop the graphene layer. The silicon nitride layer and the hafnium dioxide layer, which collectively form a low EOT bilayer gate dielectric, exhibit continuous morphology atop the graphene layer.