公开(公告)号：EP2521909A4

公开(公告)日：2017-07-26

申请号：EP11728544

申请日：2011-01-03

Applicant: IBM

Inventor： BANSAL ADITYA ,  ZAFAR SUFI

IPC: G01N27/403 ,  G01N27/414 ,  H03F3/70

CPC classification number: H03F3/70 ,  G01N27/4145 ,  Y10T436/11

Abstract: An apparatus configured to identify a material having an electric charge, the apparatus having: an inverting gain amplifier including a first field-effect transistor (FET) coupled to a second FET; wherein a gate of the first FET is configured to sense the electric charge and an output of the amplifier provides a measurement of the electric charge to identify the material.

Abstract translation: 一种被配置为识别具有电荷的材料的设备，所述设备具有：反相增益放大器，其包括耦合到第二FET的第一场效应晶体管（FET） 其中第一FET的栅极被配置为感测电荷，并且放大器的输出提供电荷的测量以识别材料。

公开(公告)号：EP1842240A4

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：EP05826022

申请日：2005-12-02

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO C ,  GRIBELYUK MICHAEL A ,  LACEY DIANNE L ,  MCFEELY FENTON R ,  SAENGER KATHERINE L ,  ZAFAR SUFI

IPC: H01L21/28 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/4966 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0635 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

公开(公告)号：EP1836732A4

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：EP05826298

申请日：2005-12-02

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO C ,  FRANK MARTIN M ,  JAMMY RAJARAO ,  LACEY DIANNE L ,  MCFEELY FENTON R ,  ZAFAR SUFI

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

Abstract: A compound metal comprising HfSiN which is a n-type metal having a workfunction of about 4.0 to about 4.5, preferably about 4.3, eV which is thermally stable on a gate stack comprising a high k dielectric and an interfacial layer. Furthermore, after annealing the stack of HfSiN/high k dielectric/interfacial layer at a high temperature (on the order of about 1000°C), there is a reduction of the interfacial layer, thus the gate stack produces a very small equivalent oxide thickness (12 Å classical), which cannot be achieved using TaSiN.

公开(公告)号：JP2007173796A

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：JP2006322537

申请日：2006-11-29

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  VIJAY NARAYANAN ,  MICHAEL A GRIBELYUK ,  PARUCHURI VAMSI K ,  ZAFAR SUFI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new metal compound which is stable to heat on a gate stack containing a high-k dielectric and does not cause carbon diffusion caused in the case of a metal carbide. SOLUTION: This invention provides the metal compound which is a p-type metal having a work function of about 4.75-5.3 eV, preferably about 5 eV and comprises MO x N y stable to heat on the gate stack comprising the high-k dielectric and an interface layer, and a method for manufacturing the MO x N y metal compound. Further, the MO x N y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less. In this formula, M is metal selected from Group IVB, VB, VIB and VIIB of the periodic table of the elements, x is about 5-40 atomic%, and y is about 5-40 atomic%. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供在含有高k电介质的栅极堆叠上对热稳定的新的金属化合物，并且在金属碳化物的情况下不引起碳扩散。 解决方案：本发明提供金属化合物，其为具有约4.75-5.3eV，优选约5eV的功函数的p型金属，并且包括MO x N < / SB>在包含高k电介质和界面层的栅极堆叠上的热稳定，以及用于制造金属化合物的方法。 此外，金属化合物在1000℃下是非常有效的氧扩散阻挡层，并且在p型金属氧化物半导体（pMOS）器件中实现 ，极高的等效氧化膜厚度（EOT）和反射层厚度为14或更小。 在该式中，M是选自元素周期表的IVB，VB，VIB和VIIB族的金属，x为约5-40原子％，y为约5-40原子％。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：WO2005029568A2

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：PCT/US2004026811

申请日：2004-08-19

Applicant: TOKYO ELECTRON LTD ,  IBM ,  O'MEARA DAVID L ,  WAJDA CORY ,  TAKAHASHI TSUYOSHI ,  CALLEGARI ALESSANDRO ,  SCHEER KRISTEN ,  ZAFAR SUFI ,  JAMISON PAUL

Inventor： O'MEARA DAVID L ,  WAJDA CORY ,  TAKAHASHI TSUYOSHI ,  CALLEGARI ALESSANDRO ,  SCHEER KRISTEN ,  ZAFAR SUFI ,  JAMISON PAUL

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  C23C16/34 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: A method is provided for forming a microstructure with an interfacial oxide layer by using a diffusion filter layer to control the oxidation properties of a substrate associated with formation of a high-k layer into the microstructure. The diffusion filter layer controls the oxidation of the surface. The interfacial oxide layer can be formed during an oxidation process that is carried out following deposition of a high­k layer onto the diffusion filter layer, or during deposition of a high-k layer onto the diffusion filter layer.

Abstract translation: 提供了一种用于通过使用扩散过滤层来形成具有界面氧化物层的微观结构以控制与形成高k层的微结构相关联的衬底的氧化性能的方法。 扩散过滤层控制表面的氧化。 可以在氧化过程中形成界面氧化物层，该氧化工艺是在将highk层沉积到扩散过滤层上之后，或者在将高k层沉积到扩散过滤层上时进行的。

公开(公告)号：WO2006076086A3

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：PCT/US2005043552

申请日：2005-12-02

Applicant: IBM ,  CALLEGARI ALESSANDRO C ,  GRIBELYUK MICHAEL A ,  LACEY DIANNE L ,  MCFEELY FENTON R ,  SAENGER KATHERINE L ,  ZAFAR SUFI

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO C ,  GRIBELYUK MICHAEL A ,  LACEY DIANNE L ,  MCFEELY FENTON R ,  SAENGER KATHERINE L ,  ZAFAR SUFI

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC classification number: H01L29/4966 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0635 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

Abstract: A compound metal comprising TiC which is a p-type metal having a workfunction of about 4.75 to about 5.3, preferably about 5, eV that is thermally stable on a gate stack comprising a high k dielectric and an interfacial layer is provided as well as a method of fabricating the TiC compound metal. Furthermore, the TiC metal compound of the present invention is a very efficient oxygen diffusion barrier at 1000°C allowing very aggressive equivalent oxide thickness (EOT) and inversion layer thickness scaling below 14 Å in a p-metal oxide semiconductor (pMOS) device.

Abstract translation: 提供了包含TiC的复合金属，其是在包括高k电介质和界面层的栅极堆叠上具有约4.75至约5.3，优选约5e的功函数的功函数的热电稳定的p型金属，以及 制造TiC复合金属的方法。 此外，本发明的TiC金属化合物在1000℃下是非常有效的氧扩散阻挡层，在p-金属氧化物半导体（pMOS）器件中允许非常有侵蚀性的等效氧化物厚度（EOT）和低于14的反型层厚度标度。

公开(公告)号：WO2005013348A3

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：PCT/US2004024595

申请日：2004-07-30

Applicant: TOKYO ELECTRON LTD ,  IBM ,  O'MEARA DAVID L ,  WAJDA CORY ,  DIP ANTHONY ,  TOELLER MICHAEL ,  FURUKAWA TOSHIHARA ,  SCHEER KRISTEN ,  CALLEGARI ALESSANDRO ,  BUEHRER FRED ,  ZAFAR SUFI ,  GOUSEV EVGENI ,  CHOU ANTHONY ,  HIGGINS PAUL

Inventor： O'MEARA DAVID L ,  WAJDA CORY ,  DIP ANTHONY ,  TOELLER MICHAEL ,  FURUKAWA TOSHIHARA ,  SCHEER KRISTEN ,  CALLEGARI ALESSANDRO ,  BUEHRER FRED ,  ZAFAR SUFI ,  GOUSEV EVGENI ,  CHOU ANTHONY ,  HIGGINS PAUL

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662

Abstract: Ultra-thin oxide and oxynitride layers are formed utilizing low pressure processing to achieve self-limiting oxidation of substrates and provide ultra-thin oxide and oxynitride. The substrates to be processed can contain an initial dielectric layer such as an oxide layer, an oxynitride layer, a nitride layer, a high-k layer, or alternatively can lack an initial dielectric layer. The processing can be carried out using a batch type process chamber or, alternatively, using a single-wafer process chamber. One embodiment of the invention provides self-limiting oxidation of Si-substrates that results in Si02 layers with a thickness of about 15Å, where the thickness of the Si02 layers varies less than about 1 Åover the substrates.

Abstract translation: 使用低压处理形成超薄氧化物和氮氧化物层以实现衬底的自限氧化并提供超薄氧化物和氮氧化物。 待处理的衬底可以包含诸如氧化物层，氮氧化物层，氮化物层，高k层的初始电介质层，或者可替代地可以缺少初始电介质层。 该处理可以使用批量式处理室或者使用单晶片处理室来进行。 本发明的一个实施方案提供了Si-衬底的自限氧化，其导致厚度为约的SiO 2层，其中SiO 2层的厚度在衬底上的变化小于约1。

公开(公告)号：WO2006076087A2

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：PCT/US2005043555

申请日：2005-12-02

Applicant: IBM ,  CALLEGARI ALESSANDRO C ,  FRANK MARTIN M ,  JAMMY RAJARAO ,  LACEY DIANNE L ,  MCFEELY FENTON R ,  ZAFAR SUFI

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO C ,  FRANK MARTIN M ,  JAMMY RAJARAO ,  LACEY DIANNE L ,  MCFEELY FENTON R ,  ZAFAR SUFI

IPC: H01L29/94

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

Abstract: A compound metal comprising HfSiN which is a n-type metal having a workfunction of about 4.0 to about 4.5, preferably about 4.3, eV which is thermally stable on a gate stack comprising a high k dielectric and an interfacial layer. Furthermore, after annealing the stack of HfSiN/high k dielectric/interfacial layer at a high temperature (on the order of about 1000°C), there is a reduction of the interfacial layer, thus the gate stack produces a very small equivalent oxide thickness (12 Å classical), which cannot be achieved using TaSiN.

Abstract translation: 包含HfSiN的复合金属，其是具有约4.0至约4.5，优选约4.3的功函数的n型金属，其在包含高k电介质和界面层的栅极堆叠上是热稳定的。 此外，在高温（约1000℃）的高温下退火HfSiN /高k电介质/界面层之后，界面层的减少，因此栅叠层产生非常小的等效氧化物厚度 （12经典），使用TaSiN无法实现。

公开(公告)号：DE112011100324B4

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE112011100324

申请日：2011-03-01

Applicant: IBM

Inventor： NING TAK HUNG ,  ZAFAR SUFI ,  DORMAN DONALD RICHARD

IPC: G01N27/414

Abstract: Sensor für Biomoleküle oder geladene Ionen, umfassend: ein Substrat; einen ersten Knoten, einen zweiten Knoten und einen dritten Knoten, die in dem Substrat angeordnet sind; ein Gate-Dielektrikum, das über dem Substrat, dem ersten Knoten, dem zweiten Knoten und dem dritten Knoten angeordnet ist; einen ersten Feldeffekttransistor (FET), wobei der erste FET ein Steuer-Gate, das auf dem Gate-Dielektrikum angeordnet ist, und den ersten Knoten und den zweiten Knoten umfasst; und einen zweiten FET, wobei der zweite FET eine Messoberfläche, die auf dem Gate-Dielektrikum angeordnet ist, und den zweiten Knoten und den dritten Knoten umfasst, wobei die Messoberfläche dafür aufgebaut ist, die Biomoleküle oder geladenen Ionen, die nachgewiesen werden sollen, spezifisch zu binden wobei der erste Knoten, der zweite Knoten und der dritte Knoten jeweils den gleichen Dotierungstyp aufweisen und das Substrat einen Dotierungstyp umfasst, der dem Dotierungstyp des ersten Knotens, des zweiten Knotens und des dritten Knotens entgegengesetzt ist.

公开(公告)号：DE102018114698A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102018114698

申请日：2018-06-19

Applicant: IBM

Inventor： CAHAN AMOS ,  ZAFAR SUFI

IPC: A61B10/00 ,  A61B5/00 ,  A61B5/07 ,  A61M25/00 ,  G01N33/493

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen ein System zum Messen des pH-Wertes von Harn. Ein nicht als Einschränkung zu verstehendes Beispiel des Systems enthält ein Blasenkatheterrohr zum Einführen in eine Blase eines Patienten, wobei das Blasenkatheterrohr einen inneren Hohlraum enthält. Das System enthält auch ein mit dem Blasenkatheterrohr verbundenes Sammelgefäß. Das System enthält auch eine FET-gestützte pH-Sensoreinheit, die eine pH-Sensor-Fläche und eine Referenzelektrode enthält, wobei die pH-Sensor-Fläche und die Referenzelektrode eine zu dem inneren Hohlraum hin freiliegende Fläche haben. Solche Ausführungsformen können eine empfindliche Harnmessung in Echtzeit bereitstellen, um den physiologischen Zustand einer Person mit einem miniaturisierten FET-gestützten pH-Sensor zeitnah zu detektieren und zu überwachen.