公开(公告)号：JP2010262730A

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：JP2010104596

申请日：2010-04-28

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： JAGMOHAN ASHISH ,  LASTRAS LUIS A ,  FRANCESCHINI MICHELE M ,  SHARMA MAYANK ,  ELFADEL IBRAHIM ABE M

IPC: G11C29/42 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C29/08 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2211/5641

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To increase storage capacities of individual memory elements having different physical characteristics which affect types and volumes of information storable in respective elements. SOLUTION: The method of storing data includes a step in which a writing process 412 writes data into a memory, and a step in which a reading process reads data from the memory. The physical characteristic of the memory cells within the memory supports different data level sets. The writing process takes into account the different data level sets when writing data into the memory while the reading process 414 firstly acquires the data in the memory and sequentially determines how to interpret the data. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：增加具有影响可存储在各个元件中的信息的类型和体积的具有不同物理特性的各个存储元件的存储容量。 解决方案：存储数据的方法包括写入处理412将数据写入存储器的步骤，以及读取处理从存储器读取数据的步骤。 内存内存储单元的物理特性支持不同的数据级集。 当读取过程414首先获取存储器中的数据并且顺序地确定如何解释数据时，写入过程在将数据写入存储器时考虑到不同的数据级集合。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：WO2013122691A3

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：PCT/US2013020470

申请日：2013-01-07

Applicant: IBM

Inventor： FRANCESCHINI MICHELE M ,  JAGMOHAN ASHISH ,  LASTRAS-MONTANO LUIS A ,  SHARMA MAYANK

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C29/56008 ,  G06F11/2289 ,  G06F11/3409 ,  G11C16/349

Abstract: Discarded memory devices unfit for an original purpose can be reclaimed for reuse for another purpose. The discarded memory devices are tested and evaluated to determine the level of performance degradation therein. A set of an alternate usage and an information encoding scheme to facilitate a reuse of the tested memory device is identified based on the evaluation of the discarded memory device. A memory chip controller may be configured to facilitate usage of reclaimed memory devices by enabling a plurality of encoding schemes therein. Further, a memory device can be configured to facilitate diagnosis of the functionality, and to facilitate usage as a discarded memory unit. Waste due to discarded memory devices can be thereby reduced.

Abstract translation: 废弃的不适合原始目的的存储设备可以回收再利用用于另一目的。 对废弃的存储器件进行测试和评估，以确定其中性能下降的程度。 基于对废弃的存储器件的评估来识别一组替代使用和信息编码方案，以便于重新使用被测试的存储器件。 存储器芯片控制器可以被配置为通过使能其中的多个编码方案来促进再生存储器件的使用。 此外，存储器装置可以被配置为便于诊断功能，并且便于作为丢弃的存储器单元的使用。 因此可以减少因废弃的存储器件造成的浪费。

公开(公告)号：DE112014000311T5

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：DE112014000311

申请日：2014-01-30

Applicant: IBM

Inventor： FRANCESCHINI MICHELE M ,  JAGMOHAN ASHISH ,  KILMER CHARLES A ,  KIM KYUHYOUN ,  LASTRAS-MONTANO LUIS A ,  MAULE WARREN E ,  HUNTER HILLERY C

IPC: G11B7/26

Abstract: Eine Datenspeichereinheit (100) beinhaltet einen Datenspeicherabschnitt (105) eines Speichers zum Speichern von in die Speichereinheit geschriebenen Daten. Ein Gruppenversionsdatenspeicher (101) speichert einen Gruppenversionswert (102) und ist dem Datenspeicherabschnitt des Speichers zugehörig, wobei die Speichereinheit so eingerichtet ist, dass bei Änderung des Gruppenversionswertes sämtliche vorher in den Datenspeicherabschnitt des Speichers geschriebenen Daten unlesbar werden.

公开(公告)号：DE112014000311B4

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：DE112014000311

申请日：2014-01-30

Applicant: IBM

Inventor： FRANCESCHINI MICHELE M ,  HUNTER HILLERY C ,  JAGMOHAN ASHISH ,  KILMER CHARLES A ,  KIM KYUHYOUN ,  LASTRAS-MONTANO LUIS A ,  MAULE WARREN E

IPC: G06F12/14 ,  G11B7/26

Abstract: Dynamische Direktzugriffsspeicher- (DRAM-) Einheit (100; 200), aufweisend:ein Matrixfeld (105; 205) auf der DRAM-Einheit zum Speichern von Daten, wobei das Matrixfeld zwei oder mehr Zeilen (110) enthält, wobei jede Zeile zwei oder mehr Speicherzellen aufweist;einen Zeilenversionsspeicher auf der DRAM-Einheit für jede Zeile des Arrays, um einen Zeilenversionswert (112; 212) zu speichern; einen Gruppenversionsdatenspeicher (101; 201) auf der DRAM-Einheit zum Speichern eines Gruppenversionswerts (102; 202);und einen Sicherheitscontroller (220) in der DRAM-Einheit, der konfiguriert ist, auf den Empfang einer Löschanforderung zu antworten, indem der Lesezugriff für alle Zeilen des Matrixfelds der DRAM-Einheit gesperrt wird und der Gruppenversionswert in einen neuen Gruppenversionswert geändert wird, wobei es nicht zulässig ist, einen Gruppenversionswert festzulegen, der im Gruppenversionsdatenspeicher gespeichert ist.