公开(公告)号：DE112015004453T5

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE112015004453

申请日：2015-10-19

Applicant: IBM

Inventor： GELORME JEFFREY ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  KANG-I TSANG CORNELIA ,  KNICKERBOCKER JOHN ,  ALLEN ROBERT DAVID

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: Ein Verfahren zum haftenden Verbinden bei einer Bearbeitung von Mikroelektronikeinheiten wird bereitgestellt, das ein Verbinden eines Handhabungs-Wafers mit einer Vorderseite eines Einheiten-Wafers mit einem phenoxyharzhaltigen Haftmittel; und ein Vermindern der Dicke des Einheiten-Wafers von der Rückseite des Einheiten-Wafers aus beinhaltet, während der Einheiten-Wafer haftend an dem Handhabungs-Wafer anliegt. Nachdem die Dicke des Einheiten-Wafers vermindert worden ist, kann das phenoxyharzhaltige Haftmittel durch Laser-Ablösen entfernt werden, wobei der Einheiten-Wafer von dem Handhabungs-Wafer getrennt wird.

公开(公告)号：DE112015004455T5

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE112015004455

申请日：2015-11-03

Applicant: IBM

Inventor： ANDRY PAUL ,  WEBB BUCKNELL ,  GELORME JEFFREY ,  KANG-I TSANG CORNELIA

IPC: H01L21/02

Abstract: Die Absorptionseigenschaften sowohl einer Klebstoffschicht als auch einer Ablationsschicht werden verwendet, um ein Debonding eines Vorrichtungs-Wafers und eines Glas-Handling-Wafers ohne Beschädigung des Vorrichtungs-Wafers zu ermöglichen. Die Eindringtiefen der Klebstoffschicht und der Ablationsschicht werden so gewählt, dass nicht mehr als eine vernachlässigbare Menge des Ablationsflusses die Oberfläche des Vorrichtungs-Wafers erreicht.

公开(公告)号：DE112015004455B4

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：DE112015004455

申请日：2015-11-03

Applicant: IBM

Inventor： ANDRY PAUL ,  GELORME JEFFREY ,  WEBB BUCKNELL ,  KANG-I TSANG CORNELIA

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/00 ,  B32B7/12 ,  H01L21/268 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren, aufweisend:Bereitstellen einer Laservorrichtung, welche zum Emittieren von UV-Licht einer ausgewählten Wellenlänge konfiguriert ist;Erhalten einer Struktur, welche einen Vorrichtungs-Wafer, eine auf den Vorrichtungs-Wafer geklebte Klebstoffschicht, einen UV-durchlässigen Handling-Wafer und eine Ablationsschicht zwischen dem Handling-Wafer und der Klebstoffschicht aufweist, und welche an die Klebstoffschicht geklebt ist, wobei die Ablationsschicht eine optische Eindringtiefe von 0,1 Mikrometer bis 0,2 Mikrometer bei der ausgewählten Wellenlänge aufweist und eine Dicke von mindestens zwei Eindringtiefen aufweist, wobei die Klebstoffschicht eine optische Eindringtiefe von zwei Mikrometer bis zwanzig Mikrometer bei der ausgewählten Wellenlänge und eine Dicke von mindestens einer Eindringtiefe aufweist, wobei die Klebstoffschicht darin suspendierte Nanopartikel zum Streuen von UV-Licht der ausgewählten Wellenlänge und/oder Farbstoff umfasst, welcher Licht der ausgewählten Wellenlänge absorbiert;Bewirken, dass die Laservorrichtung UV-Licht der ausgewählten Wellenlänge in Richtung der Struktur emittiert und die Ablationsschicht ablatiert, undTrennen des Handling-Wafers von dem Vorrichtungs-Wafer.

公开(公告)号：DE112015004453B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE112015004453

申请日：2015-10-19

Applicant: IBM

Inventor： GELORME JEFFREY ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  KANG-I TSANG CORNELIA ,  KNICKERBOCKER JOHN ,  ALLEN ROBERT DAVID

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitereinheit, das aufweist:Verbinden eines Handhabungs-Wafers mit einer Vorderfläche eines Einheiten-Wafers mit einem phenoxyharzhaltigen Haftmittel, wobei das Phenoxyharz eine Viskosität in einem Bereich von 100 bis 10.000 Pa·s bei einer Temperatur in einem Bereich von 160 °C bis 210 °C und unter einem Druck von 1.000 mbar pro Fläche bei einer Wafer-Größe von 8 Zoll bei dem Einheiten-Wafer und/oder dem Handhabungs-Wafer aufweist;Vermindern der Dicke des Einheiten-Wafers von der Rückseite des Einheiten-Wafers aus, während der Einheiten-Wafer haftend an dem Handhabungs-Wafer anliegt; undEntfernen des phenoxyharzhaltigen Haftmittels durch Laser-Ablösen, wobei der Einheiten-Wafer von dem Handhabungs-Wafer getrennt wird.