HELICAL COIL DELIVERY DEVICE FOR ACTIVE AGENT
    1.
    发明申请
    HELICAL COIL DELIVERY DEVICE FOR ACTIVE AGENT 审中-公开
    用于活性剂的螺旋线圈输送装置

    公开(公告)号:WO2016075578A1

    公开(公告)日:2016-05-19

    申请号:PCT/IB2015058310

    申请日:2015-10-28

    Inventor: WEBB BUCKNELL

    CPC classification number: A61M31/002

    Abstract: A delivery device includes a substrate (201) formed in a coil (200); a plurality of cavities (202) for holding an active agent, the cavities (202) disposed along a length of the substrate (201) between an inner surface (304) and an outer surface (305) of the substrate (201) formed in the coil (200); and a plurality of seals (204) defining a closed volume of the cavities (202), wherein the seals (204) are configured for sequential opening of the cavities (202).

    Abstract translation: 输送装置包括形成在线圈(200)中的基板(201)。 用于保持活性剂的多个空腔(202),沿着衬底(201)的内部表面(304)和衬底(201)的外表面(305)之间的长度设置的空腔(202) 线圈(200); 和限定空腔(202)的闭合容积的多个密封件(204),其中所述密封件(204)构造成顺序地打开所述空腔(202)。

    Mikrobatterie mit Silicium-Durchkontakt-Elektroden

    公开(公告)号:DE112017000808B4

    公开(公告)日:2021-10-28

    申请号:DE112017000808

    申请日:2017-05-23

    Applicant: IBM

    Abstract: Batterie, die aufweist:eine Anoden-Struktur, die aufweist:ein Anoden-Substrat;eine Anode, die auf dem Anoden-Substrat ausgebildet ist; undein leitfähiger Anoden-Überzug, der sich mit der Anode in Kontakt befindet;eine Kathoden-Struktur, die aufweist:ein Kathoden-Substrat;eine Kathode, die auf dem Kathoden-Substrat ausgebildet ist; undein leitfähiger Kathoden-Überzug, der sich mit der Kathode in Kontakt befindet; undeine leitfähige Deckschicht, die über der Anoden-Struktur und der Kathoden-Struktur so ausgebildet ist, dass ein Hohlraum abgedichtet wird, der durch die Anoden-Struktur und die Kathoden-Struktur gebildet wird, wobei zumindest eines von dem Anoden-Substrat und dem Kathoden-Substrat von Durchkontakten durchdrungen ist, die sich in Kontakt mit dem jeweiligen leitfähigen Anoden-Überzug oder leitfähigen Kathoden-Überzug befinden, wobei die Batterie vertikale Wände aufweist, welche die Anoden-Struktur von der Kathoden-Struktur trennen und die gegenüber vertikalen Wänden der Kathodenstruktur nach innen abgestuft sind und gegenüber denen vertikale Wände der Anodenstruktur weiter nach innen abgestuft sind.

    Mehrschichtige Laser-Debonding-Struktur mit einstellbarer Absorption

    公开(公告)号:DE112015004455T5

    公开(公告)日:2017-07-20

    申请号:DE112015004455

    申请日:2015-11-03

    Applicant: IBM

    Abstract: Die Absorptionseigenschaften sowohl einer Klebstoffschicht als auch einer Ablationsschicht werden verwendet, um ein Debonding eines Vorrichtungs-Wafers und eines Glas-Handling-Wafers ohne Beschädigung des Vorrichtungs-Wafers zu ermöglichen. Die Eindringtiefen der Klebstoffschicht und der Ablationsschicht werden so gewählt, dass nicht mehr als eine vernachlässigbare Menge des Ablationsflusses die Oberfläche des Vorrichtungs-Wafers erreicht.

    THERMALIZATION STRUCTURE FOR DEVICES COOLED TO CRYOGENIC TEMPERATURE

    公开(公告)号:SG11202110210PA

    公开(公告)日:2021-10-28

    申请号:SG11202110210P

    申请日:2020-05-13

    Applicant: IBM

    Abstract: A thermalization structure is formed using a foil and a low temperature device (LTD). The foil includes a first layer of a first material. The LTD includes a surface from which heat is transferred away from the LTD. A coupling is formed between the foil and the surface of the LTD, where the coupling includes a bond formed between the foil and the surface such that forming the bond forms a set of ridges in the foil, a ridge in the set of ridges operating to dissipate the heat.

    Spiralspulenförmige Abgabeeinheit für Wirkstoff

    公开(公告)号:DE112015004461T5

    公开(公告)日:2017-06-22

    申请号:DE112015004461

    申请日:2015-10-28

    Applicant: IBM

    Inventor: WEBB BUCKNELL

    Abstract: Eine Abgabeeinheit enthält ein zu einer Spule (200) gebildetes Substrat (201); eine Mehrzahl von Hohlräumen (202) zum Aufnehmen eines Wirkstoffes, wobei die Hohlräume (202) entlang einer Länge des Substrats (201) zwischen einer Innenfläche (304) und einer Außenfläche (305) des zu der Spule (200) gebildeten Substrats (202) angeordnet sind; und eine Mehrzahl von Dichtungen (204), die ein geschlossenes Volumen der Hohlräume (202) definieren, wobei die Dichtungen (204) so konfiguriert sind, dass sie die Hohlräume (202) sequenziell öffnen.

    Estrutura de termalização para dispositivos resfriados à temperatura criogênica

    公开(公告)号:BR112021025725A2

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:BR112021025725

    申请日:2020-05-13

    Applicant: IBM

    Abstract: estrutura de termalização para dispositivos resfriados à temperatura criogênica. uma estrutura de termalização é formada utilizando uma folha e um dispositivo de baixa temperatura (ltd). a folha inclui uma primeira camada de um primeiro material. o ltd inclui uma superfície a partir da qual calor é transferido para longe do ltd. um acoplamento é formado entre a folha e a superfície do ltd, onde o acoplamento inclui uma ligação formada entre a folha e a superfície de modo que a formação da ligação forma um conjunto de cristas na folha, uma crista no conjunto de cristas operando para dissipar o calor.

    Hermetisches Ganzsilicium-Gehäuse und Verarbeitung für schmale, flache Mikrobatterien

    公开(公告)号:DE112016003117T5

    公开(公告)日:2018-04-12

    申请号:DE112016003117

    申请日:2016-08-02

    Applicant: IBM

    Abstract: Es ist eine Mikrobatteriestruktur für hermetisch abgedichtete Mikrobatterien vorgesehen. In einer Ausführungsform enthält die Mikrobatteriestruktur ein erstes Siliciumsubstrat, das mindestens einen Sockel enthält, der ein Kathodenmaterial einer Mikrobatterie aufnimmt, und mindestens eine Vertiefung, die ein erstes Dichtungsmaterial der Mikrobatterie aufnimmt. Die Struktur enthält ferner ein zweites Siliciumsubstrat, das mindestens einen Sockel enthält, der ein Anodenmaterial der Mikrobatterie aufnimmt, und mindestens eine Vertiefung, die ein zweites Dichtungsmaterial der Mikrobatterie aufnimmt. Ein isoliertes Mittelstück ist mit dem ersten Dichtungsmaterial verbunden, das in mindestens zwei Vertiefungen auf dem ersten Siliciumsubstrat vorhanden ist. Eine Verriegelungsstruktur wird durch Ausrichten und Überlagern des zweiten Siliciumsubstrats auf dem ersten Siliciumsubstrat in einer Zapfenverbindungsweise und durch Abdichten der zwei Substrate unter Verwendung einer hohen Kraft ausgebildet.

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