公开(公告)号：EP2185958A4

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：EP08799070

申请日：2008-09-02

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  HAMANN HENDRIK F ,  VLASOV YURII A

IPC: G02B6/12

CPC classification number: G02B6/125 ,  B82Y20/00 ,  G02B2006/12145 ,  G02B2006/12147 ,  G02F1/0147 ,  G02F1/025

公开(公告)号：GB2517855A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：GB201420036

申请日：2013-04-16

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  ROSENBERG JESSIE C ,  VLASOV YURII A

IPC: G02F1/025 ,  H01L21/00

Abstract: A method for fabricating an optical modulator includes forming n-type layer, a first oxide portion on a portion of the n-type layer, and a second oxide portion on a second portion of the n-type layer, patterning a first masking layer over the first oxide portion, portions of a planar surface of the n-type layer, and portions of the second oxide portion, implanting p-type dopants in the n-type layer to form a first p-type region and a second p-type region, removing the first masking layer, patterning a second masking layer over the first oxide portion, a portion of the first p-type region, and a portion of the n-type layer, and implanting p-type dopants in exposed portions of the n-type layer, exposed portions of the first p-type region, and regions of the n-type layer and the second p-type region disposed between the substrate and the second oxide portion.

公开(公告)号：DE112013003119B4

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE112013003119

申请日：2013-04-16

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  VLASOV YURII A ,  ROSENBERG JESSIE C

IPC: H01L21/00 ,  G02B6/12 ,  G02F1/025

Abstract: Optische Modulatoreinheit, aufweisend: einen Körperabschnitt, der wirksam ist, um eine optische Mode entlang einer Längsachse des Körperabschnitts auszubreiten, wobei der Körperabschnitt eine erste Schicht aufweist, die auf einer zweiten Schicht angeordnet ist, wobei die erste Schicht einen ersten p-Typ-dotierten Bereich einschließt, der benachbart zu einem ersten n-Typ-dotierten Bereich entlang der Längsachse des Körperabschnitts ist, und die zweite Schicht einen zweiten n-Typ-dotierten Bereich einschließt, der auf dem ersten p-Typ-dotierten Bereich angeordnet ist, und einen zweiten p-Typ-dotierten Bereich, der benachbart zum zweiten n-Typ-dotierten Bereich entlang der Längsachse des Körperabschnitts angeordnet ist, wobei der zweite p-Typ-dotierte Bereich auf dem ersten n-Typ-dotierten Bereich angeordnet ist.

公开(公告)号：GB2512805A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：GB201414510

申请日：2013-01-09

Applicant: IBM

Inventor： PROESEL JONATHAN ,  RYLYKOV ALEXANDER V ,  SCHOW CLINT L ,  VLASOV YURII A

IPC: H04B10/69

Abstract: A technique is provided for configuring an optical receiver. A photo detector is connected to a load resistor, and the photo detector includes an internal capacitance. A current source is connected through a switching circuit to the load resistor and to the photo detector. The current source is configured to discharge the internal capacitance of the photo detector. The switching circuit is configured to connect the current source to the internal capacitance based on a previous data bit.

公开(公告)号：CA2694526A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：CA2694526

申请日：2008-09-02

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  HAMANN HENDRIK F ,  VLASOV YURII A

IPC: G02B6/12

Abstract: A thermally switched Silicon-On-Insulator (SOT) photo electronic device includes a silicon layer including an optical waveguide and a suicide heating element horizontally adjacent to the waveguide. The waveguide has a refractive index that changes with heat applied to the waveguide.

公开(公告)号：DE112013003119T5

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE112013003119

申请日：2013-04-16

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  VLASOV YURII A ,  ROSENBERG JESSIE C

IPC: H01L21/00

Abstract: Ein Verfahren zur Fertigung eines optischen Modulators umfasst ein Bilden einer n-Typ-Schicht, eines ersten Oxidabschnitts auf einem Abschnitt der n-Typ-Schicht, und eines zweiten Oxidabschnitts auf einem zweiten Abschnitt der n-Typ-Schicht, ein Strukturieren einer ersten Maskierungsschicht über dem ersten Oxidabschnitt, Abschnitten einer planen Oberfläche der n-Typ-Schicht und Abschnitten des zweiten Oxidabschnitts, ein Implantieren von p-Typ-Dotanden in die n-Typ-Schicht, um einen ersten p-Typ-Bereich und einen zweiten p-Typ-Bereich zu bilden, ein Entfernen der ersten Maskierungsschicht, ein Strukturieren einer zweiten Maskierungsschicht über dem ersten Oxidabschnitt, einem Abschnitt des ersten p-Typ-Bereichs und einem Abschnitt der n-Typ-Schicht, und ein Implantieren von p-Typ-Dotanden in freiliegende Abschnitte der n-Typ-Schicht, freiliegende Abschnitte des ersten p-Typ-Bereichs und Bereiche der n-Typ-Schicht und des zweiten p-Typ-Bereichs, die zwischen dem Substrat und dem zweiten Oxidabschnitt angeordnet sind.

公开(公告)号：DE112013000667T5

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：DE112013000667

申请日：2013-01-09

Applicant: IBM

Inventor： PROESEL JONATHAN E ,  RYLYAKOV ALEXANDER V ,  SCHOW CLINT L ,  VLASOV YURII A

IPC: H04B10/69

Abstract: Eine Technik zum Einrichten eines optischen Empfängers wird bereitgestellt. Ein Photodetektor ist mit einem Lastwiderstand verbundenen, und der Photodetektor enthält eine innere Kapazität. Eine Stromquelle ist über einen Schalt-Schaltkreis mit dem Lastwiderstand und dem Photodetektor verbunden. Die Stromquelle ist eingerichtet, die innere Kapazität des Photodetektors zu entladen. Der Schalt-Schaltkreis ist eingerichtet, die Stromquelle auf der Grundlage eines vorherigen Datenbits mit der inneren Kapazität zu verbinden.

公开(公告)号：CA2874264A1

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：CA2874264

申请日：2013-04-16

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  ROSENBERG JESSIE C ,  VLASOV YURII A

IPC: G02F1/015 ,  H01L21/329

Abstract: A method for fabricating an optical modulator includes forming n-type layer, a first oxide portion on a portion of the n-type layer, and a second oxide portion on a second portion of the n-type layer, patterning a first masking layer over the first oxide portion, portions of a planar surface of the n-type layer, and portions of the second oxide portion, implanting p-type dopants in the n-type layer to form a first p-type region and a second p-type region, removing the first masking layer, patterning a second masking layer over the first oxide portion, a portion of the first p-type region, and a portion of the n-type layer, and implanting p-type dopants in exposed portions of the n-type layer, exposed portions of the first p-type region, and regions of the n-type layer and the second p-type region disposed between the substrate and the second oxide portion.