公开(公告)号：DE112012004348T5

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE112012004348

申请日：2012-11-30

Applicant: IBM

Inventor： HASSIBI ARJANG ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  CHENG KANGGUO ,  MODHA DHARMENDRA S

IPC: A61N1/04 ,  A61N1/05 ,  A61N1/36

Abstract: Ein Verfahren beinhaltet das Formen von einem Kanal oder mehreren Kanälen (104) in einem Substrat (106); das Auskleiden des einen Kanals oder der mehreren Kanäle (104) mit einer dielektrischen Auskleidung (112); das Füllen des einen Kanals oder der mehreren Kanäle (104) mit einer leitfähigen Elektrode (102) zum Ausbilden von einer oder mehreren Kanalelektroden (102); das Formen einer Transistorschicht (108) auf dem Substrat (106); das Anschließen von jeder der einen oder mehreren Kanalelektroden (102) an mindestens einen Zugriffstransistor (716) in der Transistorschicht (108) und das Abdünnen des Substrats (106) zum Freilegen von zumindest einem Abschnitt von jeder der Kanalelektroden (102).