公开(公告)号：DE112020000852T5

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：DE112020000852

申请日：2020-04-28

Applicant: IBM

Inventor： JOSEPH PRAVEEN ,  LI TAO ,  SESHADRI INDIRA ,  DE SILVA EKMINI ANUJA

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitereinheiten und Verfahren zu deren Herstellung umfassen ein Bilden einer ersten Dielektrikumsschicht um eine Halbleiterfinne herum, ausgebildet aus einem ersten Dielektrikumsmaterial, bis zu einer Zielhöhe, die niedriger ist als eine Höhe der Halbleiterfinne. Auf der ersten Dielektrikumsschicht wird eine zweite Dielektrikumsschicht abgeschieden und wird aus einem zweiten Dielektrikumsmaterial gebildet. Auf der zweiten Dielektrikumsschicht wird eine dritte Dielektrikumsschicht gebildet, ausgebildet aus dem ersten Dielektrikumsmaterial. Die zweite Dielektrikumsschicht wird weggeätzt, um einen Spalt auf der ersten Halbleiterfinne freizulegen. Ein Abschnitt der Halbleiterfinne, der in dem Spalt freigelegt ist, wird oxidiert, um eine Isolationsschicht zu bilden.

公开(公告)号：AU2021238962A1

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：AU2021238962

申请日：2021-02-17

Applicant: IBM

Inventor： KANG TSUNG-SHENG ,  LI TAO ,  RAHMAN ARDASHEIR ,  JOSEPH PRAVEEN ,  SESHADRI INDIRA ,  DE SILVA EKMINI ANUJA

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: A semiconductor structure (100) includes a first semiconductor channel having a plurality of vertical nanowires (106) and a second semiconducting channel having a plurality of vertical nanowires (106). The first semiconducting channel and the second semiconducting channel are configured to be in a stacked configuration. The plurality of vertical nanowires (106) of the first semiconducting channel are configurated to be in alternating positions relative to the plurality of vertical nanowires (106) of the second semiconducting channel.