公开(公告)号：AU2021238962A1

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：AU2021238962

申请日：2021-02-17

Applicant: IBM

Inventor： KANG TSUNG-SHENG ,  LI TAO ,  RAHMAN ARDASHEIR ,  JOSEPH PRAVEEN ,  SESHADRI INDIRA ,  DE SILVA EKMINI ANUJA

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: A semiconductor structure (100) includes a first semiconductor channel having a plurality of vertical nanowires (106) and a second semiconducting channel having a plurality of vertical nanowires (106). The first semiconducting channel and the second semiconducting channel are configured to be in a stacked configuration. The plurality of vertical nanowires (106) of the first semiconducting channel are configurated to be in alternating positions relative to the plurality of vertical nanowires (106) of the second semiconducting channel.

公开(公告)号：DE112021006341B4

公开(公告)日：2024-12-12

申请号：DE112021006341

申请日：2021-10-26

Applicant: IBM

Inventor： KANG TSUNG-SHENG ,  RAHMAN ARDASHEIR ,  LI TAO ,  FAN SU CHEN

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H03K19/0948

Abstract: Halbleiterstruktur, aufweisend:zwei oder mehrere vertikale Finnen,eine untere epitaktische Schicht (312), die einen unteren Abschnitt mindestens einer ersten der zwei oder mehreren vertikalen Finnen umgibt,eine erste obere epitaktische Schicht (342), die einen oberen Abschnitt der ersten der zwei oder mehreren vertikalen Finnen umgibt,eine zweite obere epitaktische Schicht (342), die einen oberen Abschnitt einer zweiten der zwei oder mehreren vertikalen Finnen umgibt,eine erste gemeinsame epitaktische Schicht (326), die einen mittleren Abschnitt der ersten der zwei oder mehreren vertikalen Finnen umgibt,eine zweite gemeinsame epitaktische Schicht (326), die einen mittleren Abschnitt der zweiten der zwei oder mehreren vertikalen Finnen umgibt,eine erste Metallschicht, die die erste gemeinsame epitaktische Schicht (326) umgibt,eine zweite Metallschicht, die die zweite gemeinsame epitaktische Schicht (326) umgibt, undeine dielektrische Zwischenschicht (330) zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht,eine Verbindungsschicht, die die untere epitaktische Schicht (312) und zumindest die erste obere epitaktische Schicht (342) berührt, wobei die Verbindungsschicht an einer lateralen Seite der zwei oder mehreren vertikalen Finnen angeordnet ist, wobei die erste und die zweite gemeinsame epitaktische Schicht (346) jeweils eine horizontale Dicke im Bereich von 5 bis15 nm aufweist, und wobei die erste und die zweite Metallschicht jeweils eine horizontale Dicke aufweist, die je nach Art der für die gemeinsame epitaktische Schicht erforderlichen Verbindungen variiert.