公开(公告)号：WO2013089944A3

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/US2012063831

申请日：2012-11-07

Applicant: IBM

Inventor： GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  KIEWRA EDWARD WILLIAM ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0605

Abstract: Techniques for employing different channel materials within the same CMOS circuit are provided. In one aspect, a method of fabricating a CMOS circuit includes the following steps. A wafer is provided having a first semiconductor layer on an insulator. STI is used to divide the first semiconductor layer into a first active region and a second active region. The first semiconductor layer is recessed in the first active region. A second semiconductor layer is epitaxially grown on the first semiconductor layer, wherein the second semiconductor layer comprises a material having at least one group III element and at least one group V element. An n-FET is formed in the first active region using the second semiconductor layer as a channel material for the n-FET. A p-FET is formed in the second active region using the first semiconductor layer as a channel material for the p-FET.

Abstract translation: 提供在同一CMOS电路内采用不同通道材料的技术。 一方面，制造CMOS电路的方法包括以下步骤。 提供了在绝缘体上具有第一半导体层的晶片。 STI用于将第一半导体层分成第一有源区和第二有源区。 第一半导体层凹入第一有源区。 第二半导体层在第一半导体层上外延生长，其中第二半导体层包括具有至少一个III族元素和至少一个V族元素的材料。 使用第二半导体层作为n-FET的沟道材料，在第一有源区中形成n-FET。 使用第一半导体层作为p-FET的沟道材料，在第二有源区中形成p-FET。

公开(公告)号：GB2511002B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：GB201408617

申请日：2012-11-07

Applicant: IBM

Inventor： GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  KIEWRA EDWARD WILLIAM ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/06

Abstract: Techniques for employing different channel materials within the same CMOS circuit are provided. In one aspect, a method of fabricating a CMOS circuit includes the following steps. A wafer is provided having a first semiconductor layer on an insulator. STI is used to divide the first semiconductor layer into a first active region and a second active region. The first semiconductor layer is recessed in the first active region. A second semiconductor layer is epitaxially grown on the first semiconductor layer, wherein the second semiconductor layer comprises a material having at least one group III element and at least one group V element. An n-FET is formed in the first active region using the second semiconductor layer as a channel material for the n-FET. A p-FET is formed in the second active region using the first semiconductor layer as a channel material for the p-FET.

公开(公告)号：DE112012005249B4

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE112012005249

申请日：2012-11-07

Applicant: IBM

Inventor： GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  KIEWRA EDWARD WILLIAM ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Komplementär-Metalloxid-Halbleiter(CMOS)-Schaltung, aufweisend die Schritte: Bereitstellen eines Wafers, der eine erste Halbleiterschicht auf einem Isolator aufweist, wobei die erste Halbleiterschicht Germanium aufweist; Verwenden einer flachen Grabenisolierung, um die erste Halbleiterschicht in mindestens zwei Abschnitte zu teilen, von denen einer als eine erste aktive Zone der Schaltung dient und ein anderer als eine zweite aktive Zone der Schaltung dient; Aussparen der ersten Halbleiterschicht in der ersten aktiven Zone mittels Anwendung einer Folge von Oxidations-/Oxidabhebungsschritten, um eine Dicke der ersten Halbleiterschicht in der ersten aktiven Zone schrittweise zu verringern; epitaxiales Anwachsen einer zweiten Halbleiterschicht auf der ersten Halbleiterschicht, die in der ersten aktiven Zone ausgespart worden ist, wobei die zweite Halbleiterschicht ein Material aufweist, welches mindestens ein Gruppe-III-Element und mindestens ein Gruppe-V-Element aufweist; Bilden eines n-Kanal-Feldeffekttransistors, n-FET genannt, in der ersten aktiven Zone unter Verwendung der zweiten Halbleiterschicht als ein Kanalmaterial für den n-FET; und Bilden eines p-Kanal-Feldeffekttransistors, p-FET genannt, in der zweiten aktiven Zone unter Verwendung der ersten Halbleiterschicht als ein Kanalmaterial für den p-FET.

公开(公告)号：DE112012005249T5

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：DE112012005249

申请日：2012-11-07

Applicant: IBM

Inventor： GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  KIEWRA EDWARD WILLIAM ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: Es werden Techniken zum Verwenden verschiedener Kanalmaterialien innerhalb derselben CMOS-Schaltung bereitgestellt. In einer Erscheinungsform umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer CMOS-Schaltung die folgenden Schritte. Es wird ein Wafer bereitgestellt, welcher eine erste Halbleiterschicht auf einem Isolator aufweist. Eine STI wird verwendet, um die erste Halbleiterschicht in eine erste aktive Zone und eine zweite aktive Zone zu teilen. Die erste Halbleiterschicht wird in der ersten aktiven Zone ausgespart. Auf der ersten Halbleiterschicht lässt man epitaxial eine zweite Halbleiterschicht anwachsen, wobei die zweite Halbleiterschicht ein Material aufweist, welches mindestens ein Gruppe-III-Element und mindestens ein Gruppe-V-Element aufweist. In der ersten aktiven Zone wird ein n-FET gebildet, wobei die zweite Halbleiterschicht als ein Kanalmaterial für den n-FET verwendet wird. In der zweiten aktiven Zone wird ein p-FET gebildet, wobei die erste Halbleiterschicht als ein Kanalmaterial für den p-FET verwendet wird.

公开(公告)号：DE112018000637T5

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE112018000637

申请日：2018-04-10

Applicant: IBM

Inventor： KIEWRA EDWARD WILLIAM ,  ORCUTT JASON ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN JOSEPH

IPC: H01L31/0232

Abstract: Ein Fotodetektor enthält: einen sich über ein Substrat hinweg erstreckenden Lichtwellenleiter aus einem Lichtwellenleitermaterial: eine auf dem Lichtwellenleiter gebildete Isolierschicht mit einer Öffnung, die den Lichtwellenleiter freilegt; eine auf der Isolierschicht und in die Öffnung hinein gebildete Fotodetektorschicht, um einen Kontakt mit dem Lichtwellenleiter herzustellen, wobei die Fotodetektorschicht ein erstes Ende an der Öffnung und ein der Öffnung abgewandtes zweites Ende hat, wobei es sich bei der Fotodetektorschicht um ein Gradientenmaterial des Lichtwellenleitermaterials und des Germaniums handelt, wobei ein Anteil des Lichtwellenleitermaterials im Gradientenmaterial von einem Höchstwert am ersten Ende bis zu einem Mindestwert am zweiten Ende variiert und wobei ein Anteil des Germaniums im Gradientenmaterial von einem Minimalwert am ersten Ende bis zu einem Höchstwert am zweiten Ende variiert; einen Fotodetektorbereich am zweiten Ende; und eine Erweiterung der Fotodetektorschicht, die sich unter einem Winkel von der Fotodetektorschicht am zweiten Ende aus erstreckt.

公开(公告)号：GB2511002A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：GB201408617

申请日：2012-11-07

Applicant: IBM

Inventor： GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  KIEWRA EDWARD WILLIAM ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/06

Abstract: Techniques for employing different channel materials within the same CMOS circuit are provided. In one aspect, a method of fabricating a CMOS circuit includes the following steps. A wafer is provided having a first semiconductor layer on an insulator. STI is used to divide the first semiconductor layer into a first active region and a second active region. The first semiconductor layer is recessed in the first active region. A second semiconductor layer is epitaxially grown on the first semiconductor layer, wherein the second semiconductor layer comprises a material having at least one group III element and at least one group V element. An n-FET is formed in the first active region using the second semiconductor layer as a channel material for the n-FET. A p-FET is formed in the second active region using the first semiconductor layer as a channel material for the p-FET.