Dicke On-Chip-Verdrahtungsstrukturen mit hoher Leistungsfähigkeit

    公开(公告)号:DE112013000373T5

    公开(公告)日:2014-08-28

    申请号:DE112013000373

    申请日:2013-01-03

    Applicant: IBM

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Back-End-of-Line(BEOL)-Verdrahtungsstruktur, BEOL-Verdrahtungsstrukturen (10) sowie Entwurfsstrukturen für eine BEOL-Verdrahtungsstruktur. Die BEOL-Verdrahtungsstruktur kann mittels Bilden eines ersten Drahtes (44, 45) in einer dielektrischen Schicht (18) und Wärmebehandeln des ersten Drahtes in einer sauerstofffreien Umgebung hergestellt werden. Nach der Wärmebehandlung des ersten Drahtes wird ein zweiter Draht (60, 61) in vertikaler Ausrichtung zu dem ersten Draht gebildet. Es wird eine abschließende Passivierungsschicht (74) gebildet, die aus einem organischen Material wie beispielsweise Polyimid besteht, welche eine Gesamtheit einer Seitenwand des zweiten Drahtes bedeckt.

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