公开(公告)号：DE112013000373T5

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE112013000373

申请日：2013-01-03

Applicant: IBM

Inventor： COONEY EDWARD C ,  GAMBINO JEFFREY P ,  HE ZHONG-XIANG ,  LEE TOM C ,  LIU XIAO H

IPC: H01L21/00

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Back-End-of-Line(BEOL)-Verdrahtungsstruktur, BEOL-Verdrahtungsstrukturen (10) sowie Entwurfsstrukturen für eine BEOL-Verdrahtungsstruktur. Die BEOL-Verdrahtungsstruktur kann mittels Bilden eines ersten Drahtes (44, 45) in einer dielektrischen Schicht (18) und Wärmebehandeln des ersten Drahtes in einer sauerstofffreien Umgebung hergestellt werden. Nach der Wärmebehandlung des ersten Drahtes wird ein zweiter Draht (60, 61) in vertikaler Ausrichtung zu dem ersten Draht gebildet. Es wird eine abschließende Passivierungsschicht (74) gebildet, die aus einem organischen Material wie beispielsweise Polyimid besteht, welche eine Gesamtheit einer Seitenwand des zweiten Drahtes bedeckt.

公开(公告)号：SG145626A1

公开(公告)日：2008-09-29

申请号：SG2008010068

申请日：2008-02-05

Applicant: CHARTERED SEMICONDUCTOR MFG ,  IBM ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

Inventor： RESTAINO DARRYL D ,  WIDODO JOHNNY ,  BONILLA GRISELDA ,  DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS D ,  GATES STEPHEN M ,  KIM JAE H ,  LANE MICHAEL W ,  LIU XIAO H ,  NGUYEN SON V ,  SHAW THOMAS M

Abstract: BEOL INTERCONNECT STRUCTURES WITH IMPROVED RESISTANCE TO STRESS A chip is provided which includes a back-end-of-line ("BEOL") interconnect structure. The BEOL interconnect structure includes a plurality of interlevel dielectric ("ILD") layers which include a dielectric material curable by ultraviolet ("UV") radiation. A plurality of metal interconnect wiring layers are embedded in the plurality of ILD layers. Dielectric barrier layers cover the plurality of metal interconnect wiring layers, the dielectric barrier layers being adapted to reduce diffusion of materials between the metal interconnect wiring layers and the ILD layers. One of more of the dielectric barrier layers is adapted to retain compressive stress while withstanding UV radiation sufficient to cure the dielectric material of the ILD layers, making the BEOL structure better capable of avoiding deformation due to thermal and/or mechanical stress.