公开(公告)号：DE112023001459T5

公开(公告)日：2025-01-02

申请号：DE112023001459

申请日：2023-02-10

Applicant: IBM

Inventor： XIE RUILONG ,  LOUBET NICOLAS JEAN ,  FROUGIER JULIEN ,  GUO DECHAO

IPC: H10D84/85 ,  H10D62/10

Abstract: Halbleiterstruktur aufweisend eine erste gestapelte Transistorstruktur, aufweisend eine obere Einheit direkt über eine untere Einheit gestapelt, und eine zweite gestapelte Transistorstruktur benachbart zu dem ersten gestapelten Transistor, wobei der zweite gestapelte Transistor eine obere Einheit direkt über eine untere Einheit gestapelt aufweist, wobei die obere Einheit der ersten gestapelten Transistorstruktur und die obere Einheit der zweiten gestapelten Transistorstruktur aus unterschiedlichen Gate-Dielektrikummaterialien gebildet sind, und wobei die untere Einheit der ersten gestapelten Transistorstruktur und die untere Einheit der zweiten gestapelten Transistorstruktur aus unterschiedlichen Gate-Dielektrikummaterialien gebildet sind.