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公开(公告)号:DE112023001459T5
公开(公告)日:2025-01-02
申请号:DE112023001459
申请日:2023-02-10
Applicant: IBM
Inventor: XIE RUILONG , LOUBET NICOLAS JEAN , FROUGIER JULIEN , GUO DECHAO
Abstract: Halbleiterstruktur aufweisend eine erste gestapelte Transistorstruktur, aufweisend eine obere Einheit direkt über eine untere Einheit gestapelt, und eine zweite gestapelte Transistorstruktur benachbart zu dem ersten gestapelten Transistor, wobei der zweite gestapelte Transistor eine obere Einheit direkt über eine untere Einheit gestapelt aufweist, wobei die obere Einheit der ersten gestapelten Transistorstruktur und die obere Einheit der zweiten gestapelten Transistorstruktur aus unterschiedlichen Gate-Dielektrikummaterialien gebildet sind, und wobei die untere Einheit der ersten gestapelten Transistorstruktur und die untere Einheit der zweiten gestapelten Transistorstruktur aus unterschiedlichen Gate-Dielektrikummaterialien gebildet sind.