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公开(公告)号：DE112011100438T5
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：DE112011100438
申请日：2011-03-22
Applicant: IBM
Inventor： SLEIGHT JEFFREY W , BANGSARUNTIP SARUNYA , COHEN GUY , MAJUMDAR AMIAN
IPC: H01L29/775
Abstract: Eine Invertereinheit beinhaltet einen ersten Nanodraht, der mit dem Kontakt einer Spannungsquelle und einem Massekontakt verbunden ist, eine erste p-leitende Feldeffekttransistor(pFFT)-Einheit, die eine auf dem ersten Nanodraht angeordnete Gate-Elektrode aufweist, und eine erste n-leitende Feldeffekttransistor(nFET)-Einheit, die eine auf dem ersten Nanodraht angeordnete Gate-Elektrode aufweist.
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