Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a system and a method for obtaining statistical data by using a high-speed and simple method in a wafer level while using a wafer level test device. SOLUTION: In the system and method, parallel stress is applied to all DUTs in an arbitrary chip to shorten stress time, and then while preventing the generation of relaxation by holding the other DUTs of the chip at a stressed state, each DUT of the chip can be individually tested. As one application, a negative temperature bias instability (NTBI) phenomenon of a transistor device can be analyzed by obtained statistical data. Although acquisition of statistical data may be extremely important for the NBTI in accordance with the size reduction of a device as the behavior of the NBTI is known, the structure and method can be used to apply stress to many DUTs in order to obtain reliability mechanisms of many techniques by means of minimal and appropriate adjustment. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
Abstract:
Bereitgestellt wird ein Bestrahlungssystem mit einer Strahlenquelle. Das System beinhaltet ferner einen zwischen der Strahlenquelle und einem zu bestrahlenden Objekt positionierten Abschwächer mit variabler Dicke, um für einen aus der Strahlenquelle auf das Objekt emittierten Strahl variierende Abschwächungsgrade bereitzustellen. Das System beinhaltet zudem einen zwischen dem Abschwächer mit variabler Dicke und dem Objekt positionierten Satz Erfassungseinrichtungen, um nur einen nach der Abschwächung des Strahls durch den Abschwächer mit variabler Dicke verbleibenden Teil des Strahls zu empfangen und zu messen.