公开(公告)号：JP2001118813A

公开(公告)日：2001-04-27

申请号：JP30089099

申请日：1999-10-22

Applicant: IBM

Inventor： BRASTA BRUSICK ,  EDELSTEIN DANIEL C ,  PAUL M FENII ,  WILLIAM GUTHRIE ,  MARK JASO ,  FRANK B KAUFFMANN ,  NAFUTARI RASUTEIGU ,  PETER LAUPER ,  RODBELL KENNETH ,  DAVID B THOMPSON

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To speedily eliminate copper and to minimize the loss of copper in a patterned interconnected body without eliminating a metal layer and a dielectric layer at a lower side or corroding copper. SOLUTION: The chemical - mechanical polishing(CMP) slurry for polishing the layer of copper or that of the alloy of copper contains an etchant, an oxidation suppression agent, and an additive for adjusting the complexing between the copper and the oxidation suppression agent.

公开(公告)号：AU2002357054A1

公开(公告)日：2003-06-10

申请号：AU2002357054

申请日：2002-11-27

Applicant: IBM

Inventor： KIM HYUNGJUN ,  MCFEELY FENTON ,  NARAYANAN VIJAY ,  RODBELL KENNETH ,  YURKAS JOHN ,  AMOS RICKY ,  BUCHANAN DOUGLAS ,  CABRAL CYRIL JR ,  CALLEGARI ALESSANDRO ,  GUHA SUPRATIK

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/76

Abstract: A method for fabricating a CMOS gate electrode by using Re, Rh, Pt, Ir or Ru metal and a CMOS structure that contains such gate electrodes are described. The work functions of these metals make them compatible with current pFET requirements. For instance, the metal can withstand the high hydrogen pressures necessary to produce properly passivated interfaces without undergoing chemical changes. The thermal stability of the metal on dielectric layers such as SiO2, Al2O3 and other suitable dielectric materials makes it compatible with post-processing temperatures up to 1000° C. A low temperature/low pressure CVD technique with Re2(CO)10 as the source material is used when Re is to be deposited.

公开(公告)号：DE112018003454T5

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：DE112018003454

申请日：2018-06-18

Applicant: IBM

Inventor： MASSEY JOHN GREG ,  GORDON MICHAEL ,  RODBELL KENNETH

IPC: H01J35/08

Abstract: Bereitgestellt wird ein Bestrahlungssystem mit einer Strahlenquelle. Das System beinhaltet ferner einen zwischen der Strahlenquelle und einem zu bestrahlenden Objekt positionierten Abschwächer mit variabler Dicke, um für einen aus der Strahlenquelle auf das Objekt emittierten Strahl variierende Abschwächungsgrade bereitzustellen. Das System beinhaltet zudem einen zwischen dem Abschwächer mit variabler Dicke und dem Objekt positionierten Satz Erfassungseinrichtungen, um nur einen nach der Abschwächung des Strahls durch den Abschwächer mit variabler Dicke verbleibenden Teil des Strahls zu empfangen und zu messen.