公开(公告)号：JPH10229046A

公开(公告)日：1998-08-25

申请号：JP865298

申请日：1998-01-20

Applicant: IBM

Inventor： ROBINSON CHRISTOPHER FREDERICK ,  STICKEL WERNER

IPC: G03F7/20 ,  H01J37/00 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To determine the limit of the resolution of electron beam projection lithography by comparing the resolutions of formed patterns using first and second test focus plates in order to evaluate the effect of the different currents of an electron beam on the resolutions of the formed patterns. SOLUTION: In the system 10, an electron gun 12 emits an electron beam 40, and the electron beam 40 is passed through an iris 14 to form the electron beam 40 so that the electron beam 40 has a specific cross-sectional shape. The electron beam is projected onto a focus plate 22 through lenses 16 and a plate 20 to form the cross-sectional shape of the electron beam. In the system 10, two or more test focus plates are simultaneously replaced with the focus plate 22 to form two patterns. The resolutions of these patterns and the difference between the resolutions can be measured or analyzed. Subsequently, the difference between the measured resolutions of the two formed patterns can be correlated with the difference between two currents. When the pattern density is locally varied, the currents are varied without adjusting the electron gun 12; therefore, measurement is significantly facilitated.

公开(公告)号：JPH10214784A

公开(公告)日：1998-08-11

申请号：JP977998

申请日：1998-01-21

Applicant: IBM

Inventor： ENICHEN WILLIAM A ,  ROBINSON CHRISTOPHER FREDERICK

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/304 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To calibrate a system by using a first mask pattern and a calibration plate for adjusting the direction of electron beam and using a second mask pattern and a calibration plate for adjusting the magnification of electron beam. SOLUTION: A calibration plate and a mask pattern are disposed in a system 10, a linear target is swept back and forth using a linear electron beam and a signal is detected by a backscattering detector 50. When the turn of an electron beam 52 does not match that of the linear target, the backscattering signal is a pulse having a relatively wide width. When the turn matches between them, the backscattering signal is a pulse having a narrow width and a large amplitude. A calibration plate and a mask pattern are additionally disposed in a system 10. The electron beam 52 is shaped through the additional mask plate into a window pattern and an image is formed. When the magnification of the electron beam 52 is appropriate, the backscattering signal has a symmetrical shape. When the magnification is too large or too small, the backscattering signal has an asymmetrical shape.

公开(公告)号：DE112018002123T5

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE112018002123

申请日：2018-06-11

Applicant: IBM

Inventor： ROBINSON CHRISTOPHER FREDERICK ,  CORLISS DAN ,  MELI THOMPSON LUCIANA

IPC: G03F7/20

Abstract: Ausführungsformen sind auf ein Verfahren und System zum Bestimmen einer wirksamen Dosis eines Lithographie-Werkzeugs gerichtet. Das Verfahren beinhaltet ein Durchführen einer Reihe von Open-Frame-Belichtungen (Flutbelichtungen) mit dem Lithographie-Werkzeug auf einem Substrat, um einen Satz Blöcke mit gesteuerter Belichtungsdosis im Resist zu erzeugen, und ein anschließendes Erhitzen und Entwickeln des belichteten Substrats. Das Verfahren beinhaltet ferner ein Scannen der sich ergebenden Open-Frame-Bilder mit Schräglicht und ein Erfassen des von der Substratoberfläche aus zerstreuten Lichts. Das Verfahren beinhaltet außerdem ein Erstellen einer „Haze Map“ aus dem Hintergrundsignal der Streulichtdaten, ein Umwandeln der Haze Map in eine grafische Bilddatei und ein Analysieren der grafischen Bilddatei, um eine wirksame Dosis des Lithographie-Werkzeugs zu bestimmen, wobei eine Helligkeit der grafischen Bilddatei mit einer wirksamen Dosis des Lithographie-Werkzeugs in Zusammenhang steht.

公开(公告)号：DE112018002123B4

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：DE112018002123

申请日：2018-06-11

Applicant: IBM

Inventor： ROBINSON CHRISTOPHER FREDERICK ,  CORLISS DAN ,  MELI THOMPSON LUCIANA

IPC: G03F7/20

Abstract: Verfahren (400) zum Bestimmen einer Gleichmäßigkeit und Einheitlichkeit einer wirksamen Dosis eines Lithographie-Werkzeugs (10), wobei das Verfahren aufweist:ein Durchführen (402) einer Reihe von Flutbelichtungen mit dem Lithographie-Werkzeug auf einem Substrat (50; 600), um einen Satz Blöcke (621 - 625) mit gesteuerter Belichtungsdosis im Resist zu erzeugen;ein Erhitzen (403) und Entwickeln (403) des belichteten Substrats;ein Scannen der sich ergebenden Flutbelichtungs-Bilder mit Schräglicht und Erfassen des von der Substratoberfläche aus gestreuten Lichts unter Verwendung einer Schräglicht-Prüfeinheit;ein Erstellen (404) einer Streulichtkarte (510) aus dem Hintergrundsignal der erfassten Streulichtdaten;ein Umwandeln (406) der Streulichtkarte in eine grafische Bilddatei (510); undein Analysieren (408) der grafischen Bilddatei, um eine wirksame Dosis des Lithographie-Werkzeugs zu bestimmen, wobei eine Helligkeit der grafischen Bilddatei mit einer wirksamen Dosis des Lithographie-Werkzeugs in Zusammenhang steht.