公开(公告)号：DE102012220825A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102012220825

申请日：2012-11-15

Applicant: IBM

Inventor： MESSENGER BRIAN W ,  PARRIES PAUL C ,  PEI CHENGWEN ,  WANG GENG ,  ZHANG YANLI

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/84 ,  H01L23/52 ,  H01L27/108

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Grabenstruktur, welches das Bilden einer metallhaltigen Schicht zumindest auf den Seitenwänden eines Grabens und das Bilden eines undotierten Halbleiter-Füllmaterials innerhalb des Grabens aufweist. Das undotierte Halbleiter-Füllmaterial und die metallhaltige Schicht werden mit einer ersten Ätzbehandlung bis zu einer ersten Tiefe innerhalb des Grabens zurückgenommen. Das undotierte Halbleiter-Füllmaterial wird anschließend mit einer zweiten Ätzbehandlung bis zu einer zweiten Tiefe innerhalb des Grabens zurückgenommen, die größer als eine erste Tiefe ist. Durch die zweite Ätzbehandlung wird zumindest ein Seitenwandabschnitt der metallhaltigen Schicht frei gelegt. Der Graben wird mit einer dotierten Halbleiter enthaltenden Materialfüllung gefüllt, wobei die dotierte Halbleitermaterialfüllung mit dem zumindest einen Seitenwandabschnitt der metallhaltigen Schicht in direktem Kontakt steht.