公开(公告)号：DE112020004638T5

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE112020004638

申请日：2020-08-26

Applicant: IBM

Inventor： MIYAZAWA RISA ,  WATANABE TAKAHITO ,  MORI HIROYUKI ,  OKAMOTO KEISHI

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065

Abstract: Es ist eine Zwischenverbindungsstruktur offenbart. Die Zwischenverbindungsstruktur weist ein Basis-Substrat, einen Satz von leitfähigen Kontaktstellen, die auf dem Basis-Substrat angeordnet sind, sowie eine Zwischenverbindungsschicht auf, die auf dem Basis-Substrat angeordnet ist. Die Zwischenverbindungsschicht weist einen Rand auf, der sich neben dem Satz der leitfähigen Kontaktstellen befindet, und weist einen Satz von seitlichen Verbindungskontaktstellen auf, die sich an dem Rand der Zwischenverbindungsschicht befinden und an diesem angeordnet sind. Jede seitliche Verbindungskontaktstelle ist in Bezug auf eine entsprechende der auf dem Basis-Substrat angeordneten leitfähigen Kontaktstellen angeordnet.

公开(公告)号：DE112020004630T5

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE112020004630

申请日：2020-08-19

Applicant: IBM

Inventor： MIYAZAWA RISA ,  WATANABE TAKAHITO ,  MORI HIROYUKI ,  OKAMOTO KEISHI

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L25/065

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Verbindungsstruktur offenbart. Das Verfahren weist ein Bereitstellen eines Substrats auf, das eine obere Oberfläche aufweist und einen Satz von Kontaktstellen für einen Lötvorgang aufweist, die jeweils eine Kontaktstellenoberfläche aufweisen, die in Bezug auf die obere Oberfläche des Substrats freiliegt. Das Verfahren weist außerdem ein Anwenden einer Oberflächenbehandlung auf einen Teil der oberen Oberfläche des Substrats nahe bei den Kontaktstellen und auf die Kontaktstellenoberfläche jeder Kontaktstelle auf, um so zumindest dem Teil der oberen Oberfläche und den Kontaktstellenoberflächen der Kontaktstellen eine größere Rauigkeit zu verleihen.