公开(公告)号：DE112020004638T5

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE112020004638

申请日：2020-08-26

Applicant: IBM

Inventor： MIYAZAWA RISA ,  WATANABE TAKAHITO ,  MORI HIROYUKI ,  OKAMOTO KEISHI

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065

Abstract: Es ist eine Zwischenverbindungsstruktur offenbart. Die Zwischenverbindungsstruktur weist ein Basis-Substrat, einen Satz von leitfähigen Kontaktstellen, die auf dem Basis-Substrat angeordnet sind, sowie eine Zwischenverbindungsschicht auf, die auf dem Basis-Substrat angeordnet ist. Die Zwischenverbindungsschicht weist einen Rand auf, der sich neben dem Satz der leitfähigen Kontaktstellen befindet, und weist einen Satz von seitlichen Verbindungskontaktstellen auf, die sich an dem Rand der Zwischenverbindungsschicht befinden und an diesem angeordnet sind. Jede seitliche Verbindungskontaktstelle ist in Bezug auf eine entsprechende der auf dem Basis-Substrat angeordneten leitfähigen Kontaktstellen angeordnet.

公开(公告)号：DE112020004630T5

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE112020004630

申请日：2020-08-19

Applicant: IBM

Inventor： MIYAZAWA RISA ,  WATANABE TAKAHITO ,  MORI HIROYUKI ,  OKAMOTO KEISHI

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L25/065

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Verbindungsstruktur offenbart. Das Verfahren weist ein Bereitstellen eines Substrats auf, das eine obere Oberfläche aufweist und einen Satz von Kontaktstellen für einen Lötvorgang aufweist, die jeweils eine Kontaktstellenoberfläche aufweisen, die in Bezug auf die obere Oberfläche des Substrats freiliegt. Das Verfahren weist außerdem ein Anwenden einer Oberflächenbehandlung auf einen Teil der oberen Oberfläche des Substrats nahe bei den Kontaktstellen und auf die Kontaktstellenoberfläche jeder Kontaktstelle auf, um so zumindest dem Teil der oberen Oberfläche und den Kontaktstellenoberflächen der Kontaktstellen eine größere Rauigkeit zu verleihen.

公开(公告)号：DE112018003107T5

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：DE112018003107

申请日：2018-07-26

Applicant: IBM

Inventor： HORIBE AKIHIRO ,  WATANABE TAKAHITO ,  SUEOKA KUNIAKI

IPC: H01M10/0583

Abstract: Eine Technik wird offenbart, die sich auf eine Batteriestruktur bezieht. Ein Basissubstrat und eine Batterieschicht mit einem Trägersubstrat werden hergestellt. Die Batterieschicht enthält eine Schutzschicht, die auf dem Trägersubstrat ausgebildet ist, ein Dünnschicht-Batterieelement, das auf der Schutzschicht ausgebildet ist, und einen Isolator, der das Dünnschicht-Batterieelement bedeckt. Die Batterieschicht wird auf dem Basissubstrat platziert, wobei die Unterseite des Trägersubstrats aufwärts gewandt ist. Das Trägersubstrat wird anschließend zumindest zum Teil durch Ätzen von der Batterieschicht entfernt, während das Dünnschicht-Batterieelement durch die Schutzschicht geschützt wird. Darüber hinaus wird eine gestapelte Batteriestruktur offenbart, die das Basissubstrat und die zwei oder mehr Batterieschichten enthält.