公开(公告)号：EP2089169A4

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：EP07853978

申请日：2007-10-12

Applicant: IBM

Inventor： CRANDAL COONEY EDWARD ,  MURPHY WILLIAM JOSEPH ,  STAMPER ANTHONY KENDALL ,  STRIPPE DAVID CRAIG

IPC: B08B5/00 ,  C25F1/00

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02063

公开(公告)号：WO02080267A3

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：PCT/GB0201331

申请日：2002-03-20

Applicant: IBM ,  IBM UK

Inventor： LANZEROTTI LOUIS ,  MANN RANDY WILLIAM ,  MILES GLEN LESTER ,  MURPHY WILLIAM JOSEPH ,  VANSLETTE DANIEL SCOTT

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864

Abstract: A method of forming a liner (and resultant structure) in a contact for a semiconductor device includes depositing a first layer (201) of refractory metal, annealing the first layer, and sputter depositing a second layer (501) of refractory metal or a compound or an alloy thereof, over the first layer.

Abstract translation: 在半导体器件的接触中形成衬垫（和结构的结构）的方法包括沉积难熔金属的第一层（201），退火第一层，以及溅射沉积难熔金属或化合物的第二层（501） 或其合金，在第一层上。