公开(公告)号：DE112020003222T5

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE112020003222

申请日：2020-08-06

Applicant: IBM

Inventor： PARK CHANRO ,  LANZILLO NICHOLAS ANTHONY ,  PENNY CHRISTOPHER ,  CLEVENGER LAWRENCE ,  PRANATHARTHI HARAN BALASUBRAMANIAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/50 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: Eine Zwischenverbindungsanordnung (100) weist ein Zwischenschichtdielektrikum (ILD) (112) mit einem Hohlraum (122) auf, der sich entlang einer ersten Richtung durch dieses hindurch erstreckt. Ein erster elektrisch leitfähiger Streifen (110) ist auf einem Substrat (102) und innerhalb des Hohlraums (122) ausgebildet. Der erste elektrisch leitfähige Streifen (110) erstreckt sich entlang der ersten Richtung und über eine obere Oberfläche des Substrats (102) hinweg. Ein zweiter elektrisch leitfähiger Streifen (118) befindet sich auf einer oberen Oberfläche des ILD (112) und erstreckt sich entlang einer zweiten Richtung entgegengesetzt zu der ersten Richtung. Ein vollständig ausgerichteter Durchkontakt (FAV) (124) erstreckt sich zwischen dem ersten und dem zweiten elektrisch leitfähigen Streifen (110, 118), so dass sämtliche Seiten des FAV (124) koplanar mit gegenüberliegenden Seiten des ersten elektrisch leitfähigen Streifens (110) und gegenüberliegenden Seiten des zweiten elektrisch leitfähigen Streifens (118) sind, so dass dadurch ein FAV (124) bereitgestellt wird, der in Bezug auf den ersten elektrisch leitfähigen Streifen (110) und den zweiten elektrisch leitfähigen Streifen (118) vollständig ausgerichtet ist.