公开(公告)号：DE112023002938T5

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE112023002938

申请日：2023-09-05

Applicant: IBM

Inventor： SENAPATI BISWANATH ,  MUNETOH SEIJI ,  LANZILLO NICHOLAS ANTHONY ,  CLEVENGER LAWRENCE A ,  BURR GEOFFREY ,  HOSOKAWA KOHJI

IPC: H10B63/10 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Eine IC-Speichereinheit enthält ein Substrat und ein Array von Speicherzellen auf dem Substrat. Jede Speicherzelle enthält wenigstens einen Speicherzellentransistor in einer Schicht der Einheit benachbart zu dem Substrat. In der gleichen Schicht enthält die Einheit ferner eine Mehrzahl von Nebenschlusstransistoren. Die Einheit enthält ferner eine vergrabene Metall-Signalschiene, die zwischen dem Array von Speicherzellen und der Mehrzahl von Nebenschlusstransistoren in einer vergrabenen Schicht angeordnet ist, die unter den Transistoren in dem Substrat eingebettet ist. Die Einheit enthält ferner Einzelschicht-Durchkontaktierungen, die in der gleichen Schicht wie die Transistoren angeordnet sind und die Speicherzellentransistoren durch die vergrabene Metall-Signalschiene elektrisch mit den Nebenschlusstransistoren verbinden.

公开(公告)号：DE112023002726T5

公开(公告)日：2025-04-17

申请号：DE112023002726

申请日：2023-08-07

Applicant: IBM

Inventor： XIE RUILONG ,  LANZILLO NICHOLAS ANTHONY ,  MOTOYAMA KOICHI ,  ANDERSON BRENT A ,  RIZZOLO MICHAEL ,  CLEVENGER LAWRENCE A

IPC: H10B61/00 ,  H01L23/522

Abstract: Es wird eine Rückseiten-Kontaktstruktur bereitgestellt, welche eine erste Elektrode (52) eines MRAM, die auf einer Rückseite eines Wafers vorhanden ist, direkt mit einer Source/Drain-Struktur (36) eines Transistors verbindet. Der Rückseitenkontakt ist zu der Source/Drain-Struktur (36) des Transistors sowie zu der ersten Elektrode (52) des MRAM selbstausgerichtet. Die enge Nähe zwischen dem MRAM und der Source/Drain-Struktur (36) erhöht die Geschwindigkeit der Einheit. Die MRAM-Ausbeute wird nicht beeinträchtigt, da kein Zurück-Sputtern von Rückseiten-Kontaktmetall auf den MRAM erfolgt.

公开(公告)号：DE112020003222T5

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE112020003222

申请日：2020-08-06

Applicant: IBM

Inventor： PARK CHANRO ,  LANZILLO NICHOLAS ANTHONY ,  PENNY CHRISTOPHER ,  CLEVENGER LAWRENCE ,  PRANATHARTHI HARAN BALASUBRAMANIAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/50 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: Eine Zwischenverbindungsanordnung (100) weist ein Zwischenschichtdielektrikum (ILD) (112) mit einem Hohlraum (122) auf, der sich entlang einer ersten Richtung durch dieses hindurch erstreckt. Ein erster elektrisch leitfähiger Streifen (110) ist auf einem Substrat (102) und innerhalb des Hohlraums (122) ausgebildet. Der erste elektrisch leitfähige Streifen (110) erstreckt sich entlang der ersten Richtung und über eine obere Oberfläche des Substrats (102) hinweg. Ein zweiter elektrisch leitfähiger Streifen (118) befindet sich auf einer oberen Oberfläche des ILD (112) und erstreckt sich entlang einer zweiten Richtung entgegengesetzt zu der ersten Richtung. Ein vollständig ausgerichteter Durchkontakt (FAV) (124) erstreckt sich zwischen dem ersten und dem zweiten elektrisch leitfähigen Streifen (110, 118), so dass sämtliche Seiten des FAV (124) koplanar mit gegenüberliegenden Seiten des ersten elektrisch leitfähigen Streifens (110) und gegenüberliegenden Seiten des zweiten elektrisch leitfähigen Streifens (118) sind, so dass dadurch ein FAV (124) bereitgestellt wird, der in Bezug auf den ersten elektrisch leitfähigen Streifen (110) und den zweiten elektrisch leitfähigen Streifen (118) vollständig ausgerichtet ist.

公开(公告)号：DE112020003521T5

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：DE112020003521

申请日：2020-09-08

Applicant: IBM

Inventor： RIZZOLO MICHAEL ,  LANZILLO NICHOLAS ANTHONY ,  BRIGGS BENJAMIN ,  CLEVENGER LAWRENCE

IPC: H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer MRAM-Einheit schließt ein: Bilden von MTKs (202) auf Verbindungsleitungen (106), die in einem ersten Dielektrikum (102) eingebettet sind; Abscheiden einer Verkapselungsschicht (204) über den MTKs (202); Vergraben der MTKs (202) in einem zweiten Dielektrikum (206); Strukturieren eines Grabens (302') in dem zweiten Dielektrikum (206) über den MTKs, um die Verkapselungsschicht (204) über Oberseiten der MTKs (202) freizulegen, wodurch eine Topographie an dem Boden des Grabens (302') erzeugt wird; Bilden einer Metallleitung (904) in dem Graben (302') über der Topographie; Absenken der Metallleitung (904), wodurch die Metallleitung (904) zu Segmenten (904a, 904b) aufgetrennt wird, die von freiliegenden Erhebungen der Verkapselungsschicht (204) getrennt werden; Absenken der freiliegenden Erhebungen der Verkapselungsschicht (204), um Vertiefungen an den Oberseiten der MTKs (202) zu bilden; und Bilden selbstausgerichteter Kontakte (1202) in den Vertiefungen. Ferner wird eine MRAM-Einheit bereitgestellt.

公开(公告)号：DE112020003469T5

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：DE112020003469

申请日：2020-08-14

Applicant: IBM

Inventor： LANZILLO NICHOLAS ANTHONY ,  SHOBHA HOSADURGA ,  HUANG HUAI ,  WANG JUNLI ,  MOTOYAMA KOICHI ,  PENNY CHRISTOPHER ,  CLEVENGER LAWRENCE

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Es werden Verfahren zum Bilden trapezförmiger Verbindungsleitungen bereitgestellt. Bei einer Erscheinungsform weist ein Verfahren zum Bilden einer Verbindungsleitungsstruktur auf: Strukturieren eines Grabens/von Gräben mit einem V-förmigen Profil mit einem abgerundeten Boden in einem Dielektrikum; Abscheiden einer Auskleidung in den Graben/die Gräben unter Verwendung von PVD, wodurch der Graben/die Gräben aufgeweitet wird/werden, um ein trapezförmiges Profil in dem Graben/den Gräben zu erzeugen; Entfernen der Auskleidung aus dem Graben/den Gräben selektiv gegenüber dem Dielektrikum, wodurch nach dem Entfernen der Graben/die Gräben mit dem trapezförmigen Profil in dem Dielektrikum zurückbleibt/zurückbleiben; Abscheiden einer konformen Barriereschicht in den/die und Auskleiden des/der Grabens/Gräben, der/die das trapezförmige Profil aufweist/aufweisen; Abscheiden eines Leiters in den/die und Füllen des/der Grabens/Gräben, der/die das trapezförmige Profil aufweist/aufweisen, über der konformen Barriereschicht; und Polieren des Leiters und der konformen Barriereschicht bis hinunter zu dem Dielektrikum. Ferner wird eine Verbindungsleitungsstruktur bereitgestellt.