公开(公告)号：DE112017008044T5

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE112017008044

申请日：2017-12-19

Applicant: IBM

Inventor： ROSENBLATT SAMI ,  TOPALOGU RASIT ONUR ,  HERTZBERG JARED BARNEY ,  RAUSCH WERNER A

IPC: H01L39/22

Abstract: Ein vertikaler q-Kondensator (202, 302, 700, 1100, 1400, 1800) weist einen Graben (304, 502, 902, 1202, 1204, 1602) in einem Substrat (400) durch eine Schicht (602, 1302, 1304) von supraleitendem Material (402) auf. Ein Supraleiter wird in dem Graben (304, 502, 902, 1202, 1204, 1602) abgeschieden und bildet eine erste Dünnschicht auf einer ersten Oberfläche, eine zweite Dünnschicht auf einer zweiten Oberfläche und eine dritte Dünnschicht des Supraleiters auf einer dritten Oberfläche des Grabens (304, 502, 902, 1202, 1204, 1602). Die erste und die zweite Oberfläche sind im Wesentlichen parallel und die dritte Oberfläche in dem Graben (304, 502, 902, 1202, 1204, 1602) trennt die erste und die zweite Oberfläche. Ein Dielektrikum wird unter der dritten Dünnschicht durch Ätzen freigelegt. Eine erste Kopplung wird zwischen der ersten Dünnschicht und einem ersten Kontakt gebildet und eine zweite Kopplung wird zwischen der zweiten Dünnschicht und einem zweiten Kontakt in einer supraleitenden Quantenlogikschaltung gebildet. Die erste und die zweite Kopplung bewirken, dass die erste und die zweite Dünnschicht als vertikaler q-Kondensator (202, 302, 700, 1100, 1400, 1800) wirken, der die Integrität von Daten in der supraleitenden Quantenlogikschaltung innerhalb eines Schwellenwerts aufrechthält.

公开(公告)号：DE112017008044B4

公开(公告)日：2021-11-11

申请号：DE112017008044

申请日：2017-12-19

Applicant: IBM

Inventor： ROSENBLATT SAMI ,  TOPALOGU RASIT ONUR ,  HERTZBERG JARED BARNEY ,  RAUSCH WERNER A

IPC: H01L39/22

Abstract: Vertikaler q-Kondensator, aufweisend:einen Graben durch eine Schicht von supraleitendem Material, wobei der Graben eine Tiefe in einem Substrat erreicht, wobei die Tiefe im Wesentlichen senkrecht auf eine Fertigungsebene des Substrats ist, wobei das supraleitende Material auf dem Substrat abgeschieden ist;ein supraleitendes Material, das in dem Graben abgeschieden ist, wobei das abgeschiedene supraleitende Material eine erste Dünnschicht des supraleitenden Materials auf einer ersten Oberfläche des Grabens, eine zweite Dünnschicht des supraleitenden Materials auf einer zweiten Oberfläche des Grabens und eine dritte Dünnschicht des supraleitenden Materials auf einer dritten Oberfläche des Grabens bildet, wobei die zweite Oberfläche im Wesentlichen parallel zu der ersten Oberfläche ist und die dritte Oberfläche in dem Graben die erste Oberfläche und die zweite Oberfläche trennt;ein dielektrisches Material unter der dritten Dünnschicht, wobei das dielektrische Material durch Ätzen der dritten Dünnschicht freigelegt ist;eine erste Kopplung zwischen der ersten Dünnschicht und einem ersten Kontakt in einer supraleitenden Quantenlogikschaltung; undeine zweite Kopplung zwischen der zweiten Dünnschicht und einem zweiten Kontakt in der supraleitenden Quantenlogikschaltung, wobei die erste Kopplung und die zweite Kopplung bewirken, dass die erste Dünnschicht und die zweite Dünnschicht als vertikaler q-Kondensator wirken, der die Integrität von Daten in der supraleitenden Quantenlogikschaltung innerhalb eines Schwellenwerts aufrechthält.