公开(公告)号：JP2003292716A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：JP2003049993

申请日：2003-02-26

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

Inventor： GREGORY BUREITA ,  ITO HIROSHI ,  TRUONG HOA D

IPC: G03F7/027 ,  C08F212/14 ,  C08F216/14 ,  C08F232/08 ,  C08L33/16 ,  C08L45/00 ,  C08L101/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0395 ,  C08L33/16 ,  C08L2205/02 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/108 ,  C08L2666/04

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To prepare a substantially homogeneous polymer blend suitable for use in photoresist compositions for lithography.
SOLUTION: The polymer blend is provided for use in the photoresist compositions (specifically, chemical amplification-type photoresists) for lithography. In a preferable embodiment, the polymer blend is substantially transparent for far-ultraviolet radiation (i.e., a radiation having >250 nm wavelengths including 157 nm, 193 nm and 248 nm wavelengths) and has improved photosensitivity and resolution. The respective processes for preparing and using the polymer blend are also provided as well as the photoresist compositions for lithography containing the polymer blend.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Abstract translation: 要解决的问题：制备适用于光刻胶的光致抗蚀剂组合物的基本均匀的聚合物共混物。 解决方案：聚合物共混物用于光刻胶组合物（特别是化学放大型光致抗蚀剂）用于光刻。 在优选的实施方案中，聚合物共混物对于远紫外辐射（即，具有包括157nm，193nm和248nm波长的> 250nm波长的辐射）基本上是透明的，并且具有改善的光敏性和分辨率。 还提供了制备和使用聚合物共混物的各个方法以及用于含有聚合物共混物的光刻的光致抗蚀剂组合物。 版权所有（C）2004，JPO

公开(公告)号：JP2006243727A

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：JP2006051898

申请日：2006-02-28

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： RATONAMU SOORIYAKUMARAN ,  TRUONG HOA D

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition having high resolution using a non-polymeric material. SOLUTION: A molecular resist composition containing a substituted oligosaccharide substituted with one acid-cleavable -OR group is provided. The substituted oligosaccharide contains 2 to 10 monosaccharides. The molecular resist is initially insoluble in a developer which may be an aqueous alkali solution or essentially consist of water, however, the resist may become soluble in a developer upon exposure to radiation having a wavelength of 193 nm or less and a post-exposure bake temperature from about room temperature to about 110°C. The resist material can render a developed image with a line/spacing not greater than 120 nm when the developer essentially consists of water or an aqueous alkali solution. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供使用非聚合材料的高分辨率的抗蚀剂组合物。 解决方案：提供含有被一个酸可切割-OR基团取代的取代的寡糖的分子抗蚀剂组合物。 取代的寡糖含有2〜10个单糖。 分子抗蚀剂最初不溶于可以是碱性水溶液或基本由水组成的显影剂，然而，当暴露于波长为193nm或更小的辐射和曝光后烘烤时，抗蚀剂可能变得可溶于显影剂 温度约为室温至约110℃。 当显影剂基本上由水或碱性水溶液组成时，抗蚀剂材料可以使线/间距不大于120nm的显影图像。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2004046098A

公开(公告)日：2004-02-12

申请号：JP2003128938

申请日：2003-05-07

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： ALLEN ROBERT DAVID ,  GREGORY BUREITA ,  BROCK PHILLIP ,  DIPIETRO RICHARD A ,  FENZEL-ALEXANDER DEBRA ,  LARSON CARL ,  MEDEIROS DAVID ,  PFEIFFER DIRK ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM ,  TRUONG HOA D ,  WALLRAFF GREGORY M

IPC: C08F20/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/108

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoresist composition containing a polymer having at least one methacrylate monomer and to provide a method of pattering a substrate using the photoresist composition. SOLUTION: The photoresist composition contains a methacrylate monomer of formula 1 where R 1 represents hydrogen (H), a linear or branched 1-20C alkyl group or a semi- or perfluorinated linear or branched 1-20C alkyl group; where R 2 represents an unsubstituted aliphatic group or a substituted aliphatic group having zero or one trifluoromethyl (CF 3 ) group bonded to each carbon of the substituted aliphatic group or a substituted or unsubstituted aromatic group; and where R 3 represents hydrogen (H), methyl (CH 3 ), trifluoromethyl (CF 3 ), difluoromethyl (CHF 2 ) or fluoromethyl (CH 2 F). COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：DE102016219839A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：DE102016219839

申请日：2016-10-12

Applicant: IBM

Inventor： ARELLANO NOEL ,  CHENG JOY ,  MAGBITANG TEDDIE P ,  PITERA JED W ,  SANDERS DANIEL P ,  SCHMIDT KRISTIN ,  TRUONG HOA D ,  VORA ANKIT

IPC: C08F293/00

Abstract: Blockcopolymere (BCPs) für Selbstorganisationsanwendungen, die eine lineare fluorierte Verknüpfungsgruppe L' aufweisen, die ein Paar von benachbarten Blöcken verbindet. Eine Dünnschicht, die ein BCP aufweist, das auf einer Unterschicht angeordnet ist und in Kontakt mit einer Atmosphäre steht, ist fähig, eine senkrecht ausgerichtete Domänenstruktur zu bilden, wenn die Unterschicht präferentiell von einer Domäne eines ansonsten identischen selbstorganisierten BCP benetzt wird, bei dem alle Fluoratome von L' durch Wasserstoff ersetzt sind. Das BCP kann ein BCP mit niedrigem chi-Wert oder mit hohem chi-Wert sein. Bei einer bevorzugten Ausführungsform weist das BCP einen ersten Block auf Styrolbasis auf und ein zweiter Block weist eine Carbonat- und/oder Ester-Wiederholungseinheit auf, die durch Ringöffnungspolymerisation eines cyclischen Carbonat- und/oder Estermonomers gebildet ist. Die Verknüpfungsgruppe L' weist eine niedrigere Oberflächenenergie als jeder der Polymerblöcke auf.