Abstract:
A chemical pattern layer (32, 33) including an orientation control material (32) and a prepattern material (33) is formed over a substrate (10). The chemical pattern layer (32, 33) includes alignment-conferring features (33D) and additional masking features (33S). A self-assembling material is applied and self-aligned over the chemical pattern layer. The polymeric block components align to the alignment-conferring features, while the alignment is not altered by the additional masking features. A first polymeric block component (40) is removed selective to a second polymeric block component (50) by an etch to form second polymeric block component portions having a pattern. A composite pattern of the pattern of an etch-resistant material within the chemical pattern layer and the pattern of the second polymeric block component portions can be transferred into underlying material layers employing at least another etch.
Abstract:
Blockcopolymere (BCPs) für Selbstorganisationsanwendungen, die eine lineare fluorierte Verknüpfungsgruppe L' aufweisen, die ein Paar von benachbarten Blöcken verbindet. Eine Dünnschicht, die ein BCP aufweist, das auf einer Unterschicht angeordnet ist und in Kontakt mit einer Atmosphäre steht, ist fähig, eine senkrecht ausgerichtete Domänenstruktur zu bilden, wenn die Unterschicht präferentiell von einer Domäne eines ansonsten identischen selbstorganisierten BCP benetzt wird, bei dem alle Fluoratome von L' durch Wasserstoff ersetzt sind. Das BCP kann ein BCP mit niedrigem chi-Wert oder mit hohem chi-Wert sein. Bei einer bevorzugten Ausführungsform weist das BCP einen ersten Block auf Styrolbasis auf und ein zweiter Block weist eine Carbonat- und/oder Ester-Wiederholungseinheit auf, die durch Ringöffnungspolymerisation eines cyclischen Carbonat- und/oder Estermonomers gebildet ist. Die Verknüpfungsgruppe L' weist eine niedrigere Oberflächenenergie als jeder der Polymerblöcke auf.