公开(公告)号：DE112018004626T5

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE112018004626

申请日：2018-10-16

Applicant: IBM

Inventor： CHENG KANGGUO ,  LI JUNTAO ,  LEE CHOONGHYUN ,  XU PENG

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/336

Abstract: Halbleitereinheiten und Verfahren zur Herstellung davon weisen ein Strukturieren eines Schichtstapels auf, der Kanalschichten, erste Opferschichten zwischen den Kanalschichten und zweite Opferschichten zwischen den Kanalschichten und den ersten Opferschichten aufweist, um einen oder mehrere Einheiten-Bereiche zu bilden. Die ersten Opferschichten werden aus einem Material gebildet, das eine gleiche Gitterkonstante wie ein Material der ersten Opferschichten aufweist, und die zweiten Opferschichten werden aus einem Material gebildet, das eine Gitterfehlpassung mit dem Material der ersten Opferschichten aufweist. Source- und Drainbereiche werden an Seitenwänden der Kanalschichten in dem einen oder den mehreren Einheiten-Bereichen gebildet. Die ersten und die zweiten Opferschichten werden weggeätzt, um die Kanalschichten an den Source- und Drainbereichen aufgehängt zurückzulassen. Ein Gatestapel wird auf den Kanalschichten abgeschieden.