公开(公告)号：WO2005010925A3

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/EP2004051394

申请日：2004-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  BAUER ROBERT ,  VON HAGEN JOCHEN

Inventor： BAUER ROBERT ,  VON HAGEN JOCHEN

IPC: A61B5/00 ,  G01D3/02 ,  G01L19/08 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L31/167

CPC classification number: G01L19/086 ,  A61B5/145 ,  A61B5/14532 ,  G01D3/022 ,  H01L23/48 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599

Abstract: The invention relates to a sensor module, in particular, a sensor (2), for determining measurement data, and a circuit arrangement (3) which enables a wireless power supply and retrieval of the measurement data. The sensor and the circuit arrangement are respectively embodied as a sensor (2) capable of integration and as an integrated semiconductor circuit module (3), whereby the sensor (2) and the semiconductor circuit module (3) are connected to each other with microsystem means, in a mechanical and electroconductive manner, to form an integrated sensor chip unit (1).

Abstract translation: 本发明涉及一种传感器模块，特别是换能器（2），用于检测的测量数据，和一个电路装置（3），用于使测量数据的无线供电和询问。 所述换能器被设计为集成启用传感器（2），并且该电路装置作为半导体集成电路芯片（3），其中所述传感器（2）和半导体电路模块（3）机械地和电气微系统技术的导电装置在一起，以形成一个集成的传感器芯片单元 （1）相连接。

公开(公告)号：DE10229493B4

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：DE10229493

申请日：2002-07-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERND ,  ERTLE WERNER ,  GREIDERER REINHARD ,  BAUER ROBERT ,  FROHNMUELLER TILL ,  NAGLER OLIVER ,  SCHMECKEBIER OLAF ,  STADLER WOLFGANG

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/485

Abstract: An integrated semiconductor structure has a substrate, a semiconductor element located on the substrate, a pad metal, metal layers located between the pad metal and the substrate, and insulation layers that separate the metal layers from one another. The pad metal extends over at least-part of the semiconductor element. Below the surface of the pad metal, at least the top two metal layers include two or more adjacent interconnects.

公开(公告)号：DE10229493A1

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：DE10229493

申请日：2002-07-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERND ,  ERTLE WERNER ,  GREIDERER REINHARD ,  BAUER ROBERT ,  FROHNMUELLER TILL ,  NAGLER OLIVER ,  SCHMECKEBIER OLAF ,  STADLER WOLFGANG

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/50

Abstract: An integrated semiconductor structure has a substrate, a semiconductor element located on the substrate, a pad metal, metal layers located between the pad metal and the substrate, and insulation layers that separate the metal layers from one another. The pad metal extends over at least-part of the semiconductor element. Below the surface of the pad metal, at least the top two metal layers include two or more adjacent interconnects.

公开(公告)号：DE50311482D1

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：DE50311482

申请日：2003-06-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER ROBERT ,  ERTLE WERNER ,  FROHNMUELLER TILL ,  GOLLER BERND ,  GREIDERER REINHARD ,  NAGLER OLIVER ,  SCHMECKEBIER OLAF ,  STADLER WOLFGANG

IPC: H01L23/485

Abstract: An integrated semiconductor structure has a substrate, a semiconductor element located on the substrate, a pad metal, metal layers located between the pad metal and the substrate, and insulation layers that separate the metal layers from one another. The pad metal extends over at least-part of the semiconductor element. Below the surface of the pad metal, at least the top two metal layers include two or more adjacent interconnects.

公开(公告)号：DE102014106640A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：DE102014106640

申请日：2014-05-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER ROBERT ,  JACOBS TOBIAS ,  OSSIMITZ PETER

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/522

Abstract: Eine Chipanordnung kann umfassen: einen Chip einschließlich einer Mehrzahl von elektrischen Netzen, wobei jedes elektrische Netz mindestens eine Bondinsel umfasst; und eine Mehrzahl von auf der mindestens einen Bondinsel einer Mehrheit der Mehrzahl von elektrischen Netzen gebildeten Säulen, wobei die Mehrzahl von Säulen für die Verbindung der mindestens einen Bondinsel der Mehrheit der Mehrzahl von elektrischen Netzen mit einem chipexternen Anschlussbereich konfiguriert ist.

公开(公告)号：DE102016115848A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：DE102016115848

申请日：2016-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ANANIEV SERGEY ,  BAUER ROBERT ,  KOERNER HEINRICH ,  TAN YIK YEE ,  WALTER JUERGEN

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine elektrisch leitfähige Kontaktanschlussflächenstruktur. Ferner umfasst das Halbleiterbauelement eine Bondstruktur. Die Bondstruktur ist zumindest an einer umschlossenen Schnittstellenregion in Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Kontaktanschlussflächenstruktur. Zusätzlich umfasst das Halbleiterbauelement eine Verschlechterungs-Präventionsstruktur, die die umschlossene Schnittstellenregion lateral umgibt. Die Verschlechterungs-Präventionsstruktur ist vertikal zwischen einem Abschnitt der Bondstruktur und einem Abschnitt der elektrisch leitfähigen Kontaktanschlussflächenstruktur angeordnet.