公开(公告)号：WO0197261A3

公开(公告)日：2004-03-04

申请号：PCT/EP0106283

申请日：2001-06-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HEINECK LARS-PETER ,  SECK MARTIN ,  JACOBS TOBIAS

Inventor： HEINECK LARS-PETER ,  SECK MARTIN ,  JACOBS TOBIAS

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L27/08 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/762 ,  H01L27/0805

Abstract: The invention relates to a semiconductor component comprising a substrate (1) and an insulation trench (10) which is provided in the substrate (1) and which is partially filled with an insulating material (5). A plate capacitor (40; 45; 50) is embedded in said insulating material (5). The invention also relates to a corresponding production method.

Abstract translation: 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底（1）和一个在其中部分地填充有绝缘材料（1）提供了一种用于隔离沟槽（10）的基板（5）。 在绝缘材料（5）是一个平板电容器（40; 50; 45）嵌入。 本发明还提供了相应的制造方法。

公开(公告)号：DE102014102087B4

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102014102087

申请日：2014-02-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRATZ ACHIM ,  JACOBS TOBIAS ,  WALLACE SCOTT

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

Abstract: Halbleiterchip, aufweisend:ein Halbleitersubstrat mit einem einen aktiven Bereich (104) umgebenden Randbereich (106), wobei der aktive Bereich (104) Vorrichtungen einer integrierten Schaltung enthält;Leiterbahnverdrahtung (108) über dem aktiven Bereich (104) in einem Zwischenschichtdielektrikum (110), wobei die Leiterbahnverdrahtung (108) elektrisch mit den Vorrichtungen im aktiven Bereich (104) verbunden ist;Zusatzverdrahtung (118) über dem Randbereich (106) im Zwischenschichtdielektrikum (110), wobei die Zusatzverdrahtung (118) von der Leiterbahnverdrahtung (108) und den Vorrichtungen im aktiven Vorrichtungsbereich isoliert ist;eine Passivierung (122) auf dem Zwischenschichtdielektrikum (110);mehrere Kontaktpads (124) über der Leiterbahnverdrahtung (108), wobei die Kontaktpads (124) durch Öffnungen in der Passivierung (122) über dem aktiven Bereich (104) elektrisch mit der Leiterbahnverdrahtung (108) verbunden sind; undmehrere zusätzliche Kontaktpads (126) über der Zusatzverdrahtung (118), wobei die zusätzlichen Kontaktpads (126) durch zusätzliche Öffnungen in der Passivierung (122) über dem aktiven Bereich (104) elektrisch mit der Leiterbahnverdrahtung (108) verbunden sind, und wobei jedes zusätzliche Kontaktpad (126) über der Zusatzverdrahtung (118) durch einen Metallanschluss (140) und einem elektrisch leitenden Verbindungsloch (136), das in einer der Zusatzöffnungen in der Passivierung über dem aktiven Bereich (104) angeordnet ist, mit der Leiterbahnverdrahtung (108) elektrisch verbunden ist, wobei der Metallanschluss (140) sich von jenem zusätzlichen Kontaktpad (126) entlang der Passivierung zu dem elektrisch leitenden Verbindungsloch (136) erstreckt.

公开(公告)号：DE19935852A1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：DE19935852

申请日：1999-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINECK LARS PETER ,  WINNERL JOSEF ,  JACOBS TOBIAS

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8239

Abstract: Production of an IC semiconductor component comprises preparing a semiconductor substrate (1) with a first and a second (9) region; producing gate paths in the regions; producing source/drain regions (11) in the first region neighboring the gate paths and two distance pieces (18) on the gate paths; and forming source-gate regions in the second region neighboring the gate paths and contacts on predetermined source-drain regions before all distance pieces have been produced in the first region. Preferred Features: To prepare the contacts in the second region, landing pads made of polysilicon are used. Silicide layers made of CoSi2, TaSi2, TiSi2 or WSix are formed on the gate paths in the first region.

公开(公告)号：DE102017100057A1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：DE102017100057

申请日：2017-01-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JACOBS TOBIAS ,  OSSIMITZ PETER

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Repräsentative Implementierungen von Bauelementen und Techniken liefern eine optimierte elektrische Leistung von Interkonnektivitätskomponenten von mehrschichtigen integrierten Schaltungen (IC) wie zum Beispiel Chip-Dies. Verschiedene Schichten des mehrschichtigen IC enthalten Kontaktanschlüsse, die zum Verbinden mit Schaltungen, Systemen und Trägern außerhalb des IC verwendet werden können.

公开(公告)号：DE102017100057B4

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE102017100057

申请日：2017-01-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JACOBS TOBIAS ,  OSSIMITZ PETER

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Mehrschichtige integrierte Schaltung, aufweisend:eine erste leitfähige Schicht (102), die ein erstes Material aufweist;einen ersten Kontaktanschluss (108), der an die erste leitfähige Schicht (102) gekoppelt ist;eine zweite leitfähige Schicht (104), die über der ersten leitfähigen Schicht (102) angeordnet ist, wobei die zweite leitfähige Schicht (104) ein zweites Material aufweist;einen zweiten Kontaktanschluss (110), der an die zweite leitfähige Schicht (104) gekoppelt ist; undmindestens eine Öffnung (112, 114) in der zweiten leitfähigen Schicht (104), wobei der erste Kontaktanschluss (108) über die Öffnung (112, 114) in der zweiten leitfähigen Schicht (104) extern zugänglich ist, so dass der erste Kontaktanschluss (108) und der zweite Kontaktanschluss (110) gleichzeitig extern zugänglich sind,wobei der erste Kontaktanschluss (108) und der zweite Kontaktanschluss (110) aus verschiedenen Materialien bestehen, wobei der erste Kontaktanschluss (108) aus einem Material besteht, das mit dem ersten Material der ersten leitfähigen Schicht (102) kompatibel ist, und der zweite Kontaktanschluss (110) aus einem Material besteht, das mit dem zweiten Material der zweiten leitfähigen Schicht (104) kompatibel ist.

公开(公告)号：DE102014106640A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：DE102014106640

申请日：2014-05-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER ROBERT ,  JACOBS TOBIAS ,  OSSIMITZ PETER

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/522

Abstract: Eine Chipanordnung kann umfassen: einen Chip einschließlich einer Mehrzahl von elektrischen Netzen, wobei jedes elektrische Netz mindestens eine Bondinsel umfasst; und eine Mehrzahl von auf der mindestens einen Bondinsel einer Mehrheit der Mehrzahl von elektrischen Netzen gebildeten Säulen, wobei die Mehrzahl von Säulen für die Verbindung der mindestens einen Bondinsel der Mehrheit der Mehrzahl von elektrischen Netzen mit einem chipexternen Anschlussbereich konfiguriert ist.

公开(公告)号：DE102014102087A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：DE102014102087

申请日：2014-02-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRATZ ACHIM ,  JACOBS TOBIAS ,  WALLACE SCOTT

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

Abstract: Ein Halbleiterchip enthält ein Halbleitersubstrat mit einem einen aktiven Bereich (104) umgebenden Randbereich (106), wobei der aktive Bereich (104) Vorrichtungen einer integrierten Schaltung enthält. Der Halbleiterchip enthält ferner Leiterbahnverdrahtung (108) über dem aktiven Bereich (104) in einem Zwischenschichtdielektrikum (110), wobei die Leiterbahnverdrahtung (108) elektrisch mit den Vorrichtungen im aktiven Bereich (104) verbunden ist, und Zusatzverdrahtung (118) über dem Randbereich (106) im Zwischenschichtdielektrikum (110), wobei die Zusatzverdrahtung (118) von der Leiterbahnverdrahtung (108) und den Vorrichtungen im aktiven Vorrichtungsbereich isoliert ist. Das Zwischenschichtdielektrikum (110) ist passiviert und Kontaktpads (124) sind über der Leiterbahnverdrahtung (108) bereitgestellt, wobei die Kontaktpads (124) durch Öffnungen in der Passivierung (122) über dem aktiven Bereich (104) elektrisch mit der Leiterbahnverdrahtung (108) verbunden sind. Zusätzliche Kontaktpads (126) sind über der Zusatzverdrahtung (118) bereitgestellt, wobei die zusätzlichen Kontaktpads (126) durch zusätzliche Öffnungen in der Passivierung (122) über dem aktiven Bereich (104) elektrisch mit der Zusatzverdrahtung (118) verbunden sind.

公开(公告)号：DE10029072A1

公开(公告)日：2002-01-17

申请号：DE10029072

申请日：2000-06-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JACOBS TOBIAS ,  SECK MARTIN ,  HEINECK LARS PETER

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L27/08 ,  H01L21/822