MEMS-BAUSTEIN UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MEMS-BAUSTEINS

    公开(公告)号:DE102018208230B4

    公开(公告)日:2021-01-28

    申请号:DE102018208230

    申请日:2018-05-24

    Abstract: MEMS-Baustein (100) mit folgenden Merkmalen:einem Gehäuse (102), wobei das Gehäuse (102) ein Substrat (104) und ein daran angeordnetes Abdeckungselement (106) aufweist, wobei in dem Abdeckungselement (106) eine Durchgangsöffnung (108) vorgesehen ist,einem MEMS-Bauelement (110), das innerhalb des Gehäuses (102) an dem Abdeckungselement (106) angeordnet ist,einer integrierten Schaltungsanordnung (112), die innerhalb des Gehäuses (102) an dem Substrat (104) angeordnet ist, undeinem Support-Chip (114), der innerhalb des Gehäuses (102) an dem Substrat (104) angeordnet ist,wobei der an dem Substrat (104) angeordnete Support-Chip (114) mittels erster elektrischer Verbindungsleitungen (116) elektrisch mit dem an dem Abdeckungselement (106) angeordneten MEMS-Bauelement (110) gekoppelt ist, und ferner mittels zweiter elektrischer Verbindungsleitungen (118) elektrisch mit der an dem Substrat (104) angeordneten Schaltungsanordnung (112) gekoppelt ist, um mittels Kontaktflächen (114-1, 114-2) und Verbindungsleitungen (114-3), die an einem Oberflächenbereich (114-A) des Support-Chips (114) angeordnet sind, eine elektrische Verbindung zwischen dem MEMS-Bauelement (110) und der integrierten Schaltungsanordnung (112) herzustellen,wobei die Kontaktflächen (114-1) des Support-Chips (114) um eine Höhe (h114) des Support-Chips (114) beabstandet von dem Substrat (104) mit einer darin angeordneten Leiterbahn oder Metallisierungsebene angeordnet sind, undwobei an dem Oberflächenbereich (114-A) des Support-Chips (114), der einem Oberflächenbereich (110-A) des MEMS-Bauelements (110) gegenüberliegt, die Kontaktflächen (114-1) zumindest bereichsweise spiegelverkehrt zu den an dem Oberflächenbereich (110-A) des MEMS-Bauelements (110) angeordneten Kontaktanschlussflächen (110-1) ausgebildet sind.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102004025658A1

    公开(公告)日:2005-12-29

    申请号:DE102004025658

    申请日:2004-05-26

    Abstract: A semiconductor circuit containing a pad for electrical bonding of the semiconductor circuit and a metal arrangement disposed beneath the pad. The metal arrangement is in a metal layer of the semiconductor circuit located closest to the pad and is electrically insulated from the pad and from a strip conductor located beneath the metal arrangement. More than one metal layer can contain a metal arrangement. Each metal arrangement is a full-area plate that overlaps all edges of the pad or has a regular structure of small square plates. If adjacent metal arrangements are constructed from small plates, the plates in one metal arrangement overlap to cover gaps in the other metal arrangement.

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