公开(公告)号：DE102023108751B3

公开(公告)日：2024-05-29

申请号：DE102023108751

申请日：2023-04-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PICHLER FRANZ-JOSEF ,  BERNARD BENJAMIN ,  STEFENELLI MARIO

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: Ein Verfahren umfasst das Breitstellen eines Halbleitersubstrats mit Dies, die an eine erste Oberfläche des Halbleitersubstrats angrenzen. Ferner umfasst das Verfahren das Anbringen des Halbleitersubstrats über die erste Oberfläche an einem Träger. Das Verfahren umfasst überdies das Erzeugen erster Modifikationen im Halbleitersubstrat, indem Laserbestrahlung über eine zweite Oberfläche des Halbleitersubstrats in das Innere des Halbleitersubstrats eingebracht wird. Die ersten Modifikationen erstrecken sich zwischen der ersten Oberfläche und einem vertikalen Niveau im Inneren des Halbleitersubstrats. Das vertikale Niveau ist von der zweiten Oberfläche beabstandet. Die ersten Modifikationen umgeben lateral die Dies. Ferner umfasst das Verfahren das Erzeugen zweiter Modifikationen im Halbleitersubstrat, indem Laserbestrahlung über die zweite Oberfläche des Halbleitersubstrats in das Innere des Halbleitersubstrats eingebracht wird. Die zweiten Modifikationen unterteilen das Halbleitersubstrat in einen ersten Teil zwischen der ersten Oberfläche und den zweiten Modifikationen und einen zweiten Teil zwischen der zweiten Oberfläche und den zweiten Modifikationen, wobei die zweiten Modifikationen in einem vertikalen Abstand zu den ersten Modifikationen erzeugt werden. Weiter umfasst das Verfahren das Trennen des ersten Teils vom zweiten Teil entlang einem durch die zweiten Modifikationen definierten ersten Trennbereich. Das Verfahren umfasst ferner das Trennen der Dies voneinander entlang einem durch die ersten Modifikationen definierten zweiten Trennbereich.

公开(公告)号：DE102021110742B4

公开(公告)日：2025-01-16

申请号：DE102021110742

申请日：2021-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERNARD BENJAMIN ,  BINTER ALEXANDER ,  GRAF HEIMO

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/20

Abstract: Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwerkstücks (100), wobei das Verfahren umfasst:Bilden eines Trennbereichs (120) in dem Halbleiterwerkstück, umfassend:Modifizieren des Halbleitermaterials des Halbleiterwerkstücks (100) an einer Mehrzahl von gezielt bestimmten Positionen (10) in dem Trennbereich in mindestens einer physikalischen Eigenschaft, wobei eine Modifizierungszone definiert wird, die sich bidirektional im Wesentlichen parallel zu einer Oberfläche des Halbleiterwerkstücks erstreckt und wobei die thermomechanische Spannung in dem Trennbereich (120) relativ zu dem Rest des Halbleiterwerkstücks (100) erhöht wird,wobei das Modifizieren des Halbleitermaterials an einer der gezielt bestimmten Positionen (10) das Fokussieren von mindestens zwei Laserstrahlen (22, 24) auf die gezielt bestimmte Position (10) umfasst; undAufbringen einer äußeren Kraft (140) oder Spannung auf das Halbleiterwerkstück (100) derart, dass sich mindestens ein Riss entlang des Trennbereichs (120) ausbreitet und sich das Halbleiterwerkstück (100) in zwei getrennte Stücke (110, 130) teilt.

公开(公告)号：DE102021110742A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE102021110742

申请日：2021-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERNARD BENJAMIN ,  BINTER ALEXANDER ,  GRAF HEIMO

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/20

Abstract: Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwerkstücks, das die Schritte des Bildens eines Trennbereichs in dem Halbleiterwerkstück durch Modifizieren des Halbleitermaterials des Halbleiterwerkstücks an einer Mehrzahl von gezielt bestimmten Positionen in dem Trennbereich in mindestens einer physikalischen Eigenschaft, was die thermomechanische Spannung in dem Trennbereich relativ zu dem Rest des Halbleiterwerkstücks erhöht, wobei das Modifizieren des Halbleitermaterials an einer der gezielt bestimmten Positionen das Fokussieren von mindestens zwei Laserstrahlen auf die gezielt bestimmte Position umfasst, und das Aufbringen einer äußeren Kraft oder Spannung auf das Halbleiterwerkstück derart, dass sich mindestens ein Riss entlang des Trennbereichs ausbreitet und sich das Halbleiterwerkstück in zwei getrennte Stücke teilt, umfasst. Es werden ein Gerät zum Definieren eines Trennbereichs in einem Halbleiterwerkstück sowie damit herstellbare Halbleiterwerkstücke und Halbleiterwafer, die durch das beschriebene Verfahren erlangt werden können, beschrieben.