公开(公告)号：DE102023108751B3

公开(公告)日：2024-05-29

申请号：DE102023108751

申请日：2023-04-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PICHLER FRANZ-JOSEF ,  BERNARD BENJAMIN ,  STEFENELLI MARIO

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: Ein Verfahren umfasst das Breitstellen eines Halbleitersubstrats mit Dies, die an eine erste Oberfläche des Halbleitersubstrats angrenzen. Ferner umfasst das Verfahren das Anbringen des Halbleitersubstrats über die erste Oberfläche an einem Träger. Das Verfahren umfasst überdies das Erzeugen erster Modifikationen im Halbleitersubstrat, indem Laserbestrahlung über eine zweite Oberfläche des Halbleitersubstrats in das Innere des Halbleitersubstrats eingebracht wird. Die ersten Modifikationen erstrecken sich zwischen der ersten Oberfläche und einem vertikalen Niveau im Inneren des Halbleitersubstrats. Das vertikale Niveau ist von der zweiten Oberfläche beabstandet. Die ersten Modifikationen umgeben lateral die Dies. Ferner umfasst das Verfahren das Erzeugen zweiter Modifikationen im Halbleitersubstrat, indem Laserbestrahlung über die zweite Oberfläche des Halbleitersubstrats in das Innere des Halbleitersubstrats eingebracht wird. Die zweiten Modifikationen unterteilen das Halbleitersubstrat in einen ersten Teil zwischen der ersten Oberfläche und den zweiten Modifikationen und einen zweiten Teil zwischen der zweiten Oberfläche und den zweiten Modifikationen, wobei die zweiten Modifikationen in einem vertikalen Abstand zu den ersten Modifikationen erzeugt werden. Weiter umfasst das Verfahren das Trennen des ersten Teils vom zweiten Teil entlang einem durch die zweiten Modifikationen definierten ersten Trennbereich. Das Verfahren umfasst ferner das Trennen der Dies voneinander entlang einem durch die ersten Modifikationen definierten zweiten Trennbereich.

公开(公告)号：DE102024101618A1

公开(公告)日：2024-12-05

申请号：DE102024101618

申请日：2024-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PICHLER FRANZ-JOSEF ,  LIM FONG ,  OMAZIC MARKO ,  TENG WEE KHIM ,  MOHAMED ABDUL RAHMAN

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/495

Abstract: Ein Siliziumcarbid-Chip weist eine erste Hauptoberfläche, eine zweite Hauptoberfläche und eine Seitenfläche auf, wobei ein im Siliziumcarbid-Material gemessener Winkel α zwischen der Seitenfläche und einer horizontalen Ebene mehr als 78° beträgt, wobei der Winkel α in einem der zweiten Hauptoberfläche benachbarten Gebiet gemessen wird.