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    AUSGANGSSUBSTRAT, WAFER-VERBUND UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON KRISTALLINEN SUBSTRATEN UND HALBLEITERVORRICHTUNGEN
    1.
    发明专利
    AUSGANGSSUBSTRAT, WAFER-VERBUND UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON KRISTALLINEN SUBSTRATEN UND HALBLEITERVORRICHTUNGEN 未知

    公开(公告)号：DE102019122614B4

    公开(公告)日：2025-05-15

    申请号：DE102019122614

    申请日：2019-08-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RIESKE RALF ,  BINTER ALEXANDER ,  DIEWALD WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  GRAF HEIMO ,  LACKNER GERALD ,  RICHTER JAN ,  RUPP ROLAND ,  SCHAGERL GÜNTER ,  SWOBODA MARKO

    IPC: H01L21/304

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist:Bereitstellen eines Ausgangssubstrats (100), das ein zentrales Gebiet (110) und ein Randgebiet (180) aufweist, wobei das Randgebiet (180) das zentrale Gebiet (110) umgibt;Ausbilden einer Ablöseschicht (150) im zentralen Gebiet (110), wobei sich die Ablöseschicht (150) parallel zu zwei horizontalen Hauptoberflächen (101, 102) des Ausgangssubstrats (100) erstreckt und wobei die Ablöseschicht (150) modifiziertes Substratmaterial aufweist; undAusbilden einer Vertiefung (190) im Randgebiet (180), wobei die Vertiefung (190) das zentrale Gebiet (110) lateral umschließt, wobei die Vertiefung (190) schräg zur Ablöseschicht (150) verläuft,wobei ein Ausbilden der Vertiefung (190) einen laserunterstützten Materialabtrag aufweist, wobei der laserunterstützte Materialabtrag ein Richten eines Laserstrahls (800) ganz oder teilweise auf eine laterale äußere Oberfläche (103) des Ausgangssubstrats (100) aufweist, wobei die laterale äußere Oberfläche (103) die beiden Hauptoberflächen (101, 102) verbindet und wobei ein Winkel zwischen einer Ausbreitungsrichtung des Laserstrahls (800) und einer horizontalen Ebene zumindest 30 Grad beträgt.

    2.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE59913715D1

    公开(公告)日：2006-09-07

    申请号：DE59913715

    申请日：1999-04-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DEBOY GERALD ,  STENGL JENS-PEER ,  STRACK HELMUT ,  WEBER HANS ,  GRAF HEIMO ,  RUEB MICHAEL ,  AHLERS DIRK

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

    Abstract: A semiconductor component has a semiconductor body comprising a blocking pn junction, a source zone of a first conductivity type connected to a first electrode and bordering on a zone forming the blocking pn junction of a second conductivity type complementary to the first conductivity type, and a drain zone of the first conductivity type connected to a second electrode. The side of the zone of the second conductivity type facing the drain zone forms a first surface, and in the region between the first surface and a second surface located between the first surface and the drain zone, comprises areas of the first and second conductivity type nested in one another. The second surface is positioned at a distance from the drain zone such that the areas of the first and second conductivity type nested in each other do not reach the drain zone.

    Edge termination for power semiconductor device
    4.
    发明专利
    Edge termination for power semiconductor device 未知

    公开(公告)号：DE19933985A1

    公开(公告)日：2001-02-22

    申请号：DE19933985

    申请日：1999-07-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WEBER HANS ,  GRAF HEIMO

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

    Abstract: The power semiconductor device has a semiconductor body (1) on which an insulating layer (2) is formed. At least one internal floating field plate (7,8) is provided within the semiconductor body. The internal field plates are formed by semiconductor regions. The semiconductor regions have an opposite conductivity type to that of the semiconductor body. Alternatively, the regions have the same conductivity type as the semiconductor body, and have a different doping concentration to the semiconductor body. The field plates may be step-shaped and serve to guide an electric field in the semiconductor body.

    VERFAHREN ZUM TEILEN VON HALBLEITERWERKSTÜCKEN, HALBLEITERWERKSTÜCK UND GERÄT ZUM DEFINIEREN EINES TRENNBEREICHS IN HALBLEITERWERKSTÜCKEN
    5.
    发明专利
    VERFAHREN ZUM TEILEN VON HALBLEITERWERKSTÜCKEN, HALBLEITERWERKSTÜCK UND GERÄT ZUM DEFINIEREN EINES TRENNBEREICHS IN HALBLEITERWERKSTÜCKEN 未知

    公开(公告)号：DE102021110742B4

    公开(公告)日：2025-01-16

    申请号：DE102021110742

    申请日：2021-04-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERNARD BENJAMIN ,  BINTER ALEXANDER ,  GRAF HEIMO

    IPC: H01L21/30 ,  H01L21/20

    Abstract: Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwerkstücks (100), wobei das Verfahren umfasst:Bilden eines Trennbereichs (120) in dem Halbleiterwerkstück, umfassend:Modifizieren des Halbleitermaterials des Halbleiterwerkstücks (100) an einer Mehrzahl von gezielt bestimmten Positionen (10) in dem Trennbereich in mindestens einer physikalischen Eigenschaft, wobei eine Modifizierungszone definiert wird, die sich bidirektional im Wesentlichen parallel zu einer Oberfläche des Halbleiterwerkstücks erstreckt und wobei die thermomechanische Spannung in dem Trennbereich (120) relativ zu dem Rest des Halbleiterwerkstücks (100) erhöht wird,wobei das Modifizieren des Halbleitermaterials an einer der gezielt bestimmten Positionen (10) das Fokussieren von mindestens zwei Laserstrahlen (22, 24) auf die gezielt bestimmte Position (10) umfasst; undAufbringen einer äußeren Kraft (140) oder Spannung auf das Halbleiterwerkstück (100) derart, dass sich mindestens ein Riss entlang des Trennbereichs (120) ausbreitet und sich das Halbleiterwerkstück (100) in zwei getrennte Stücke (110, 130) teilt.

    VERFAHREN ZUM TEILEN VON HALBLEITERWERKSTÜCKEN, HALBLEITERWERKSTÜCK UND GERÄT ZUM DEFINIEREN EINES TRENNBEREICHS IN HALBLEITERWERKSTÜCKEN
    6.
    发明专利
    VERFAHREN ZUM TEILEN VON HALBLEITERWERKSTÜCKEN, HALBLEITERWERKSTÜCK UND GERÄT ZUM DEFINIEREN EINES TRENNBEREICHS IN HALBLEITERWERKSTÜCKEN 未知

    公开(公告)号：DE102021110742A1

    公开(公告)日：2022-10-27

    申请号：DE102021110742

    申请日：2021-04-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERNARD BENJAMIN ,  BINTER ALEXANDER ,  GRAF HEIMO

    IPC: H01L21/30 ,  H01L21/20

    Abstract: Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwerkstücks, das die Schritte des Bildens eines Trennbereichs in dem Halbleiterwerkstück durch Modifizieren des Halbleitermaterials des Halbleiterwerkstücks an einer Mehrzahl von gezielt bestimmten Positionen in dem Trennbereich in mindestens einer physikalischen Eigenschaft, was die thermomechanische Spannung in dem Trennbereich relativ zu dem Rest des Halbleiterwerkstücks erhöht, wobei das Modifizieren des Halbleitermaterials an einer der gezielt bestimmten Positionen das Fokussieren von mindestens zwei Laserstrahlen auf die gezielt bestimmte Position umfasst, und das Aufbringen einer äußeren Kraft oder Spannung auf das Halbleiterwerkstück derart, dass sich mindestens ein Riss entlang des Trennbereichs ausbreitet und sich das Halbleiterwerkstück in zwei getrennte Stücke teilt, umfasst. Es werden ein Gerät zum Definieren eines Trennbereichs in einem Halbleiterwerkstück sowie damit herstellbare Halbleiterwerkstücke und Halbleiterwafer, die durch das beschriebene Verfahren erlangt werden können, beschrieben.

    8.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT334480T

    公开(公告)日：2006-08-15

    申请号：AT99929017

    申请日：1999-04-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DEBOY GERALD ,  STENGL JENS-PEER ,  STRACK HELMUT ,  WEBER HANS ,  GRAF HEIMO ,  RUEB MICHAEL ,  AHLERS DIRK

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

    Abstract: A semiconductor component has a semiconductor body comprising a blocking pn junction, a source zone of a first conductivity type connected to a first electrode and bordering on a zone forming the blocking pn junction of a second conductivity type complementary to the first conductivity type, and a drain zone of the first conductivity type connected to a second electrode. The side of the zone of the second conductivity type facing the drain zone forms a first surface, and in the region between the first surface and a second surface located between the first surface and the drain zone, comprises areas of the first and second conductivity type nested in one another. The second surface is positioned at a distance from the drain zone such that the areas of the first and second conductivity type nested in each other do not reach the drain zone.

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