公开(公告)号：DE102019122614B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE102019122614

申请日：2019-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIESKE RALF ,  BINTER ALEXANDER ,  DIEWALD WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  GRAF HEIMO ,  LACKNER GERALD ,  RICHTER JAN ,  RUPP ROLAND ,  SCHAGERL GÜNTER ,  SWOBODA MARKO

IPC: H01L21/304

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist:Bereitstellen eines Ausgangssubstrats (100), das ein zentrales Gebiet (110) und ein Randgebiet (180) aufweist, wobei das Randgebiet (180) das zentrale Gebiet (110) umgibt;Ausbilden einer Ablöseschicht (150) im zentralen Gebiet (110), wobei sich die Ablöseschicht (150) parallel zu zwei horizontalen Hauptoberflächen (101, 102) des Ausgangssubstrats (100) erstreckt und wobei die Ablöseschicht (150) modifiziertes Substratmaterial aufweist; undAusbilden einer Vertiefung (190) im Randgebiet (180), wobei die Vertiefung (190) das zentrale Gebiet (110) lateral umschließt, wobei die Vertiefung (190) schräg zur Ablöseschicht (150) verläuft,wobei ein Ausbilden der Vertiefung (190) einen laserunterstützten Materialabtrag aufweist, wobei der laserunterstützte Materialabtrag ein Richten eines Laserstrahls (800) ganz oder teilweise auf eine laterale äußere Oberfläche (103) des Ausgangssubstrats (100) aufweist, wobei die laterale äußere Oberfläche (103) die beiden Hauptoberflächen (101, 102) verbindet und wobei ein Winkel zwischen einer Ausbreitungsrichtung des Laserstrahls (800) und einer horizontalen Ebene zumindest 30 Grad beträgt.

公开(公告)号：DE102017105000A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：DE102017105000

申请日：2017-03-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  BINTER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  GRINDLING CHRISTIAN

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  H01L21/304

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Werkstückplanarisierungsanordnung aufweisen: einen Chuck, der zumindest einen zum Tragen von einem oder mehreren Werkstücken konfigurierten Abschnitt aufweist; und ein Planarisierungswerkzeug, das konfiguriert ist, den zumindest einen Abschnitt des Chucks zu planarisieren und ein oder mehrere Werkstücke auf dem zumindest einen Abschnitt des Chucks zu planarisieren; wobei der zumindest eine Abschnitt des Chucks zumindest eines von Partikeln, Poren und/oder einem Polymer aufweist.

公开(公告)号：DE102005051812A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：DE102005051812

申请日：2005-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARFMANN MARKUS ,  BINTER ALEXANDER ,  SCHAGERL GUENTER ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAV ,  PRAX EMIL ,  FATHULLA AHMAD

IPC: H01L21/306 ,  G01B11/06 ,  H01L21/66

Abstract: A device with etching equipment for etching complete layers or parts of layers to be removed from semiconductor wafers (5) with a liquid etching medium comprises a spectrometer (13) for measuring the concentration of the etching medium. Independent claims are also included for the following. (1) etching complete layers or parts of layers to be removed from semiconductor wafers; and (2) the application of a spectrometer in an etching device.

公开(公告)号：DE102017105000B4

公开(公告)日：2025-03-13

申请号：DE102017105000

申请日：2017-03-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  BINTER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  GRINDLING CHRISTIAN

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  H01L21/304

Abstract: Werkstückplanarisierungsanordnung (100), aufweisend:einen Chuck (102), der einen Stützträger (102c) und einen Werkstückträger (102s) umfasst, wobei der Werkstückträger (102s) zumindest einen zum Tragen von einem odermehreren Werkstücken (106) konfigurierten Abschnitt (102p) aufweist, wobei der zumindest eine Abschnitt (102p) eine Trägeroberfläche (122s) aufweist, die konfiguriert ist, einen physischen Kontakt mit dem einen oder mehreren Werkstücken (106) bereitzustellen; undein Planarisierungswerkzeug (104), das konfiguriert ist, die Trägeroberfläche (122s) des zumindest einen Abschnitts (102p) des Chucks (102) zu planarisieren und ein odermehrere Werkstücke (106) auf dem zumindest einen Abschnitt (102p) des Chucks (102) zu planarisieren;wobei der zumindest eine Abschnitt (102p) des Chucks (102) zumindest eines von Partikeln, Poren und/oder einem Polymer aufweist,wobei eine mechanische Härte des zumindest einen Abschnitts (102p) kleiner als eine mechanische Härte des Stützträgers (102c) ist.

公开(公告)号：DE102021110742B4

公开(公告)日：2025-01-16

申请号：DE102021110742

申请日：2021-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERNARD BENJAMIN ,  BINTER ALEXANDER ,  GRAF HEIMO

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/20

Abstract: Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwerkstücks (100), wobei das Verfahren umfasst:Bilden eines Trennbereichs (120) in dem Halbleiterwerkstück, umfassend:Modifizieren des Halbleitermaterials des Halbleiterwerkstücks (100) an einer Mehrzahl von gezielt bestimmten Positionen (10) in dem Trennbereich in mindestens einer physikalischen Eigenschaft, wobei eine Modifizierungszone definiert wird, die sich bidirektional im Wesentlichen parallel zu einer Oberfläche des Halbleiterwerkstücks erstreckt und wobei die thermomechanische Spannung in dem Trennbereich (120) relativ zu dem Rest des Halbleiterwerkstücks (100) erhöht wird,wobei das Modifizieren des Halbleitermaterials an einer der gezielt bestimmten Positionen (10) das Fokussieren von mindestens zwei Laserstrahlen (22, 24) auf die gezielt bestimmte Position (10) umfasst; undAufbringen einer äußeren Kraft (140) oder Spannung auf das Halbleiterwerkstück (100) derart, dass sich mindestens ein Riss entlang des Trennbereichs (120) ausbreitet und sich das Halbleiterwerkstück (100) in zwei getrennte Stücke (110, 130) teilt.

公开(公告)号：DE102021110742A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE102021110742

申请日：2021-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERNARD BENJAMIN ,  BINTER ALEXANDER ,  GRAF HEIMO

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/20

Abstract: Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwerkstücks, das die Schritte des Bildens eines Trennbereichs in dem Halbleiterwerkstück durch Modifizieren des Halbleitermaterials des Halbleiterwerkstücks an einer Mehrzahl von gezielt bestimmten Positionen in dem Trennbereich in mindestens einer physikalischen Eigenschaft, was die thermomechanische Spannung in dem Trennbereich relativ zu dem Rest des Halbleiterwerkstücks erhöht, wobei das Modifizieren des Halbleitermaterials an einer der gezielt bestimmten Positionen das Fokussieren von mindestens zwei Laserstrahlen auf die gezielt bestimmte Position umfasst, und das Aufbringen einer äußeren Kraft oder Spannung auf das Halbleiterwerkstück derart, dass sich mindestens ein Riss entlang des Trennbereichs ausbreitet und sich das Halbleiterwerkstück in zwei getrennte Stücke teilt, umfasst. Es werden ein Gerät zum Definieren eines Trennbereichs in einem Halbleiterwerkstück sowie damit herstellbare Halbleiterwerkstücke und Halbleiterwafer, die durch das beschriebene Verfahren erlangt werden können, beschrieben.

公开(公告)号：DE102019122614A1

公开(公告)日：2021-02-25

申请号：DE102019122614

申请日：2019-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIESKE RALF ,  BINTER ALEXANDER ,  DIEWALD WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  GRAF HEIMO ,  LACKNER GERALD ,  RICHTER JAN ,  RUPP ROLAND ,  SCHAGERL GÜNTER ,  SWOBODA MARKO

IPC: H01L21/304

Abstract: Bereitgestellt wird ein Ausgangssubstrat (100), das ein zentrales Gebiet (110) und ein Randgebiet (180) umfasst. Das Randgebiet (180) umgibt das zentrale Gebiet (110). Im zentralen Gebiet (110) ist eine Ablöseschicht (150) ausgebildet. Die Ablöseschicht (150) erstreckt sich parallel zu einer Hauptoberfläche (101, 102) des Ausgangssubstrats (100). Die Ablöseschicht (150) enthält modifiziertes Substratmaterial. Eine Vertiefung (190) ist im Randgebiet (180) ausgebildet. Die Vertiefung (190) umschließt lateral das zentrale Gebiet (110). Die Vertiefung (190) verläuft vertikal und/oder geneigt zur Ablöseschicht (150).