公开(公告)号：DE102013216633A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102013216633

申请日：2013-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOEWER LARS ,  HEUCK NICOLAS ,  OESCHLER NIELS ,  SPECKELS ROLAND

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L23/50

Abstract: Eine gesinterte Verbindung wird durch Pressen eines Halbleiter-Chips gegen ein Substrat gebildet, während sich ein getrocknetes Sintermaterial zwischen dem Substrat und dem Halbleiter-Chip befindet, wobei das getrocknete Sintermaterial Sinterteilchen und ein Lösungsmittel enthält. Das Substrat wird auf eine Temperatur unterhalb einer Sintertemperatur des getrockneten Sintermaterials erwärmt, während der Halbleiter-Chip gegen das Substrat gedrückt wird, um lokale Sinterverbindungen zwischen benachbarten Sinterteilchen zu bilden. Die lokalen Sinterverbindungen bilden zusammen eine stabile Verbindung, die den Halbleiter-Chip vor dem Sintern an dem Substrat befestigt. Dann wird eine gesinterte Verbindung zwischen dem Halbleiter-Chip und dem Substrat aus dem getrockneten Sintermaterial gebildet, nachdem die stabile Verbindung gebildet wurde.