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公开(公告)号：DE102014114104B4
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：DE102014114104
申请日：2014-09-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： OTTO FREDERIK , HEUCK NICOLAS
Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (100) mit einer Temperaturüberwachungseinrichtung (6). Diese weist eine erste Temperatur (T1) und dabei eine erste geometrische Form auf. Sie ist die derart ausgebildet dass sie, wenn sie auf eine zweite Temperatur (T2) erwärmt wird, die höher ist als die erste Temperatur (T1), bei der zweiten Temperatur (T2) eine von der ersten geometrischen Form verschiedene zweite geometrische Form annimmt, und wenn sie nach dem Erwärmen auf die zweite Temperatur (T2) auf eine dritte Temperatur (T3) abgekühlt wird, die geringer ist als die zweite Temperatur (T2), eine von der ersten geometrischen Form verschiedene dritte geometrische Form annimmt.
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公开(公告)号：DE102015108512B4
公开(公告)日：2022-06-23
申请号：DE102015108512
申请日：2015-05-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HEUCK NICOLAS , SPECKELS ROLAND , MARCHITTO MARCO
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem ersten Fügepartner (1) und einem zweiten Fügepartner (2), wobei das Verfahren aufweist:Bereitstellen eines Pulverträgers (4), auf den eine ein Metallpulver enthaltende Pulverschicht (5) aufgebracht ist, mittels einer automatischen Pulverträgerzuführung (9, 10), wobei der Pulverträger (4) während seiner Bereitstellung auf einem Tragrahmen (3) angeordnet ist, und wobei der Tragrahmen (3) Justagepins (31) aufweist, von denen jeder in eine korrespondierende Justageöffnung (41) des Pulverträgers (4) eingreift;Aufnehmen des ersten Fügepartners (1) mittels eines Setzwerkzeugs (70) eines Bestückungsautomaten;Anpressen des ersten Fügepartners (1) an die auf dem Pulverträger (4) befindliche Pulverschicht (5), so dass ein Pulverschichtabschnitt (51) an dem ersten Fügepartner (1) haftet, mittels des Setzwerkzeugs (70);Abheben des ersten Fügepartners (1) von dem Pulverträger (4) zusammen mit dem an dem ersten Fügepartner (1) haftenden Pulverschichtabschnitt (51) mittels des Setzwerkzeugs (70);Aufsetzen des ersten Fügepartners (1) auf den zweiten Fügepartner (2) mittels des Setzwerkzeugs (70) derart, dass sich der Pulverschichtabschnitt (51) zwischen dem ersten Fügepartner (1) und dem zweiten Fügepartner (2) befindet und sich durchgehend vom ersten Fügepartner (1) bis zum zweiten Fügepartner (2) erstreckt; undHerstellen einer Sinterverbindung zwischen dem ersten Fügepartner (1) und dem zweiten Fügepartner (2), indem der erste Fügepartner (1) und der zweite Fügepartner (2) gegeneinander gepresst werden, so dass der Pulverschichtabschnitt (51) sowohl den ersten Fügepartner (1) als auch den zweiten Fügepartner (2) kontaktiert, wobei der Pulverschichtabschnitt (51) während des Gegeneinanderpressens gesintert wird.
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公开(公告)号：DE102015101420B3
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：DE102015101420
申请日：2015-01-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HEUCK NICOLAS , SPECKELS ROLAND , MARCHITTO MARCO
Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer Schicht (31) mit einem Verbindungsmittel (3) auf einem Fügepartner (1). Hierzu wird ein Träger (30) bereitgestellt, auf den ein Verbindungsmittel (3) aufgetragen ist. Das Verbindungsmittel (3) enthält ein Metall in Form einer Vielzahl von Metallpartikeln Der Fügepartner (1) wird auf das auf dem Träger (30) befindliche Verbindungsmittel (3) aufgesetzt und an das auf dem Träger (30) befindliche Verbindungsmittel (3) gepresst, so dass eine Schicht (31) aus dem Verbindungsmittel (3) an dem Fügepartner (1) haftet. Der Fügepartners (1) wird zusammen mit der an ihm haftenden Schicht (31) von dem Träger (30) abgehoben. Mittels eines Gasstroms (50) werden Ränder (32) der Schicht (31), an denen diese den Fügepartner (1) seitlich überragt, mittels eines Gasstroms (50) entfernt, so dass ein an dem Fügepartner (1) anhaftender Schichtrest der Schicht (31) zurückbleibt.
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公开(公告)号：DE102014103013B4
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：DE102014103013
申请日：2014-03-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CILIOX ALEXANDER , STAHLHUT CHRISTIAN , HEUCK NICOLAS
Abstract: Verfahren zum Erzeugen einer getrockneten Pastenschicht (3') auf einem Fügepartner (1) mit den Schritten: Bereitstellen eines Fügepartners (1), der eine Kontaktfläche (11) aufweist, auf die eine Paste (3) aufgetragen ist; Bereitstellen einer auf eine Vorheiztemperatur (T4) vorgeheizten Heizeinrichtung (4); Trocknen der auf die Kontaktfläche (11) aufgetragenen Paste (3) während einer Trocknungsphase, in der die vorgeheizte Heizeinrichtung (4) und der Fügepartner (1) einen Abstand (d14) von höchstens 5 mm aufweisen, so dass aus der Paste (3) eine getrocknete Pastenschicht (3') entsteht; wobei der Fügepartner (1) mit der auf seine Kontaktfläche (11) aufgetragenen Paste (3) vor Beginn der Trocknungsphase auf einen Transportträger (200) aufgelegt wird.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102014114104A1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：DE102014114104
申请日：2014-09-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： OTTO FREDERIK , HEUCK NICOLAS
Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (100) mit einer Temperaturüberwachungseinrichtung (6). Diese weist eine erste Temperatur (T1) und dabei eine erste geometrische Form auf. Sie ist die derart ausgebildet dass sie, wenn sie auf eine zweite Temperatur (T2) erwärmt wird, die höher ist als die erste Temperatur (T1), bei der zweiten Temperatur (T2) eine von der ersten geometrischen Form verschiedene zweite geometrische Form annimmt, und wenn sie nach dem Erwärmen auf die zweite Temperatur (T2) auf eine dritte Temperatur (T3) abgekühlt wird, die geringer ist als die zweite Temperatur (T2), eine von der ersten geometrischen Form verschiedene dritte geometrische Form annimmt.
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公开(公告)号：DE102015108512A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：DE102015108512
申请日：2015-05-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HEUCK NICOLAS , SPECKELS ROLAND , MARCHITTO MARCO
Abstract: Ein erster Aspekt betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem ersten Fügepartner (1) und einem zweiten Fügepartner (2). Bei dem Verfahren wird mittels einer automatischen Pulverträgerzuführung (9, 10) ein Pulverträger (4) bereitgestellt, auf den eine ein Metallpulver enthaltende Pulverschicht (5) aufgebracht ist. Der erste Fügepartner (1) wird an die auf dem Pulverträger (4) befindliche Pulverschicht (5) gepresst, so dass ein Pulverschichtabschnitt (51) an dem ersten Fügepartner (1) haftet. Der erste Fügepartner (1) wird zusammen mit dem an dem ersten Fügepartner (1) haftenden Pulverschichtabschnitt (51) von dem Pulverträger (4) abgehoben, und der an dem ersten Fügepartner (1) haftende Pulverschichtabschnitt (51) wird zwischen dem ersten Fügepartner (1) und dem zweiten Fügepartner (2) angeordnet. Zwischen dem ersten Fügepartner (1) und dem zweiten Fügepartner (2) wird eine Sinterverbindung hergestellt, indem der erste Fügepartner (1) und der zweiten Fügepartner (2) gegeneinander gepresst werden, so dass der Pulverschichtabschnitt (51) sowohl den ersten Fügepartner (1) als auch den zweiten Fügepartner (2) kontaktiert. Während des Gegeneinanderpressens wird der Pulverschichtabschnitt (51) gesintert.
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公开(公告)号：DE102014117020A1
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：DE102014117020
申请日：2014-11-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HEUCK NICOLAS , OTTO FREDERIK , STEININGER CHRISTIAN
Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem Halbleiterchip (1) und einer Metallschicht (21). Hierzu werden ein Halbleiterchip (1) bereitgestellt, eine Metallschicht (2), die einen Chipmontageabschnitt (21c) aufweist, sowie ein ein Metallpulver enthaltendes Verbindungsmittel (3). Das Metallpulver wird in einem Sinterprozess gesintert. Hierbei sind während einer vorgegebenen Sinterdauer ununterbrochen die Vorgaben erfüllt, dass das Verbindungsmittel (3) zwischen dem Halbleiterchip (1) und der Metallschicht (21) angeordnet ist und sich durchgehend von dem Halbleiterchip (1) bis zu der Metallisierungsschicht (21) erstreckt, dass der Halbleiterchip (1) und die Metallschicht (21) in einem Anpressdruckbereich gegeneinander gepresst werden, der oberhalb eines Mindestanpressdrucks liegt, dass das Verbindungsmittel (3) in einem Temperaturbereich gehalten wird, der oberhalb einer Mindesttemperatur liegt, und dass ein Schallsignal (SUS) in das Verbindungsmittel (3) eingekoppelt wird.
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公开(公告)号：DE102014103013A1
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：DE102014103013
申请日：2014-03-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CILIOX ALEXANDER , STAHLHUT CHRISTIAN , HEUCK NICOLAS
Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft das Erzeugen einer getrockneten Pastenschicht (3') auf einem Fügepartner (1). Hierzu wird ein Fügepartner (1) mit einer Kontaktfläche (11) bereitgestellt, auf die eine Paste (3) aufgetragen ist. Weiterhin wird eine Heizeinrichtung (4) bereitgestellt, die auf eine Vorheiztemperatur (T4) vorgeheizt ist. Die auf die Kontaktfläche (11) aufgetragene Paste (3) wird dann während einer Trocknungsphase getrocknet, so dass aus der Paste (3) eine getrocknete Pastenschicht (3') entsteht. In der Trocknungsphase weisen der Fügepartner (1) und die vorgeheizte Heizeinrichtung (4) einen Abstand (d14) von höchstens 5 mm auf.
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公开(公告)号：DE102013216633A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：DE102013216633
申请日：2013-08-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BOEWER LARS , HEUCK NICOLAS , OESCHLER NIELS , SPECKELS ROLAND
Abstract: Eine gesinterte Verbindung wird durch Pressen eines Halbleiter-Chips gegen ein Substrat gebildet, während sich ein getrocknetes Sintermaterial zwischen dem Substrat und dem Halbleiter-Chip befindet, wobei das getrocknete Sintermaterial Sinterteilchen und ein Lösungsmittel enthält. Das Substrat wird auf eine Temperatur unterhalb einer Sintertemperatur des getrockneten Sintermaterials erwärmt, während der Halbleiter-Chip gegen das Substrat gedrückt wird, um lokale Sinterverbindungen zwischen benachbarten Sinterteilchen zu bilden. Die lokalen Sinterverbindungen bilden zusammen eine stabile Verbindung, die den Halbleiter-Chip vor dem Sintern an dem Substrat befestigt. Dann wird eine gesinterte Verbindung zwischen dem Halbleiter-Chip und dem Substrat aus dem getrockneten Sintermaterial gebildet, nachdem die stabile Verbindung gebildet wurde.
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