公开(公告)号：DE102016102865A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102016102865

申请日：2016-02-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  BRUGGER MICHAEL ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  JELINEK MORIZ ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66

Abstract: Ein Verfahren zum Implantieren von Ionen in ein Halbleitersubstrat umfasst ein Durchführen einer Testimplantation von Ionen in ein Halbleitersubstrat. Die Ionen der Testimplantation werden mit einem ersten Implantationswinkelbereich über das Halbleitersubstrat implantiert. Ferner umfasst das Verfahren ein Bestimmen eines Implantationswinkelversatzes basierend auf dem Halbleitersubstrat nach der Testimplantation und ein Anpassen eines Neigungswinkels des Halbleitersubstrats in Bezug auf eine Implantationsrichtung basierend auf dem bestimmten Implantationswinkelversatz. Zusätzlich umfasst das Verfahren ein Durchführen von zumindest einer Zielimplantation von Ionen in das Halbleitersubstrat nach dem Anpassen des Neigungswinkels. Die Ionen der zumindest einen Zielimplantation werden mit einem zweiten Implantationswinkelbereich über das Halbleitersubstrat implantiert. Ferner ist der erste Implantationswinkelbereich größer als der zweite Implantationswinkelbereich.

公开(公告)号：DE102017119571A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119571

申请日：2017-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JELINEK MORIZ ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  ZUPAN PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BRUGGER MICHAEL

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/66

Abstract: Ein Ionenimplantationsverfahren umfasst ein Ändern einer Ionenbeschleunigungsenergie eines Ionenstrahls, während eine relative Bewegung zwischen einem Halbleitersubstrat und dem auf eine Oberfläche des Halbleitersubstrats auftreffenden Ionenstrahl ausgeführt wird.