公开(公告)号：DE102016107945A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：DE102016107945

申请日：2016-04-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILTSCHE EWALD ,  ZUPAN PETER ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  JELINEK MORIZ ,  KRÖNER FRIEDRICH ,  EBERWEIN ROBERT

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/02 ,  H01J27/22 ,  H01L21/265

Abstract: Eine Ionenquelle für einen Implanter umfasst eine erste Festkörperquellelektrode, die in einer Ionenquellkammer angeordnet ist. Die erste Festkörperquellelektrode umfasst ein Quellmaterial, das mit einem ersten Knoten mit negativem Potential gekoppelt ist. Eine zweite Festkörperquellelektrode ist in der Ionenquellkammer angeordnet. Die zweite Festkörperquellelektrode umfasst das Quellmaterial, das mit einem zweiten Knoten mit negativem Potential gekoppelt ist, und die erste Festkörperquellelektrode und die zweite Festkörperquellelektrode sind ausgebildet, um Ionen zu erzeugen, die durch den Implanter implantiert werden sollen.

公开(公告)号：DE102013105470B4

公开(公告)日：2020-11-19

申请号：DE102013105470

申请日：2013-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILTSCHE EWALD ,  ZUPAN PETER

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/265 ,  H02N13/00

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung, wobei das Verfahren aufweist:• Bereitstellen eines Halbleiter-Substrats (130);• Anbringen des Halbleiter-Substrats (130) an einem elektrisch isolierenden Träger (230, 431); und• Tragen des Halbleiter-Substrats (130) und des elektrisch isolierenden Trägers (230, 431) mit einem elektrostatischen Chuck (100), wobei der elektrisch isolierende Träger (230, 431) zwischen dem elektrostatischen Chuck (100) und dem Halbleiter-Substrat (130) angeordnet ist;• wobei eine an den elektrostatischen Chuck angelegte Spannung abhängig von mindestens einer Eigenschaft des elektrisch isolierenden Trägers (230, 431) ist.

公开(公告)号：DE102017119571A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119571

申请日：2017-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JELINEK MORIZ ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  ZUPAN PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BRUGGER MICHAEL

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/66

Abstract: Ein Ionenimplantationsverfahren umfasst ein Ändern einer Ionenbeschleunigungsenergie eines Ionenstrahls, während eine relative Bewegung zwischen einem Halbleitersubstrat und dem auf eine Oberfläche des Halbleitersubstrats auftreffenden Ionenstrahl ausgeführt wird.

公开(公告)号：DE102013105470A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：DE102013105470

申请日：2013-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILTSCHE EWALD ,  ZUPAN PETER

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: In verschiedenen Aspekten der Offenbarung kann ein Halbleiter-Substrat-Bearbeitungssystem einen elektrostatischen Chuck (100) zum Halten eines, an einem elektrisch isolierenden Träger angebrachtes, Halbleiter-Substrat (130) aufweisen; und eine, an den elektrostatischen Chuck (100) gekoppelte AC-Energieversorgung (125).