公开(公告)号：DE102014107084A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：DE102014107084

申请日：2014-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CONDIE BRIAN ,  KOMPOSCH ALEXANDER ,  OREJOLA ERWIN ,  REAL MICHAEL

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L23/043 ,  H01L23/66

Abstract: Ein Halbleiterpackage enthält ein Substrat, einen HF-Halbleiterchip, der auf einer ersten Seite des Substrats angebracht ist, einen Kondensator, der auf der ersten Seite des Substrats angebracht ist, und einen ersten Anschluss auf der ersten Seite des Substrats. Das Halbleiterpackage enthält des Weiteren Kupfer- oder Aluminium-Bonddrähte oder -bänder, die den ersten Anschluss mit einem Ausgang des HF-Halbleiterchips verbinden, und Gold-Bonddrähte oder -bänder, die den Kondensator mit dem Ausgang des HF-Halbleiterchips verbinden. Die Gold-Bonddrähte oder -bänder sind dafür ausgelegt, eine größere HF-Joule-Erwärmung während des Betriebes des HF-Halbleiterchips aufzunehmen als die Kupfer- oder Aluminium-Bonddrähte oder -bänder. Entsprechende Verfahren zur Herstellung sind auch beschrieben.

公开(公告)号：DE102013103119A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE102013103119

申请日：2013-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOMPOSCH ALEXANDER ,  CHEW SOON ING ,  CONDIE BRIAN

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Halbleiterpackage beinhaltet eine Grundplatte mit einem Chip-Befestigungsbereich und einem peripheren Bereich, wobei ein Transistorchip einen am Chip-Befestigungsbereich angebrachten ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss und einen dritten Anschluss abgewandt von der Grundplatte aufweist, und einen Rahmen, der ein elektrisch isolierendes Glied beinhaltet, das eine am peripheren Bereich der Grundplatte angebrachte erste Seite, eine von der Grundplatte abgewandte zweite Seite, eine erste Metallisierung an der ersten Seite des isolierenden Glieds und eine zweite Metallisierung an der zweiten Seite des isolierenden Glieds beinhaltet. Das isolierende Glied erstreckt sich nach außen über die laterale Seitenwand der Grundplatte hinaus. Die erste Metallisierung ist an dem Teil der ersten Seite angebracht, der sich nach außen über die laterale Seitenwand der Grundplatte hinaus erstreckt. Die erste und zweite Metallisierung sind bei einem von der lateralen Seitenwand der Grundplatte beabstandeten Bereich des isolierenden Glieds elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102013103119B4

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE102013103119

申请日：2013-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOMPOSCH ALEXANDER ,  CHEW SOON ING ,  CONDIE BRIAN

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: Halbleiterpackage, umfassend:eine kupferhaltige Grundplatte (100), die einen Chip-Befestigungsbereich (102; 103) und einen peripheren Bereich (101; 104) aufweist;einen Transistorchip (110), der einen ersten Anschluss, der am Chip-Befestigungsbereich (102; 103) der Grundplatte (100) angebracht ist, und einen zweiten Anschluss und einen dritten Anschluss abgewandt von der Grundplatte (100) aufweist; undeinen Rahmen (120), der ein elektrisch isolierendes Glied (122) umfasst, das eine am peripheren Bereich (101; 104) der Grundplatte (100) angebrachte erste Seite (128), eine von der Grundplatte (100) abgewandte zweite Seite (126), eine erste kupferhaltige Metallisierung (138) an der ersten Seite (128) des isolierenden Glieds (122) und eine zweite kupferhaltige Metallisierung (130) an der zweiten Seite (126) des isolierenden Glieds (122) umfasst, wobei jede Rahmenmetallisierung eine Schicht von Ni (250) auf Kupfer und eine Schicht von Au (252) auf dem Ni (250) umfasst,wobei das isolierende Glied (122) sich nach außen über eine laterale Seitenwand (106) der Grundplatte (100) hinaus erstreckt, die erste Metallisierung (138) an dem Teil der ersten Seite (128) angebracht ist, der sich nach außen über die laterale Seitenwand (106) der Grundplatte (100) hinaus erstreckt, und die erste und zweite Metallisierung bei einem Bereich des isolierten Glieds (122) elektrisch verbunden sind, der von der lateralen Seitenwand (106) der Grundplatte (100) beabstandet ist,wobei das isolierende Glied (122) elektrisch leitfähige Durchkontaktierungen (160) umfasst, die sich zwischen den ersten und zweiten Seiten des isolierenden Glieds (122) erstrecken, wobei die leitfähigen Durchkontaktierungen (160) die erste und zweite Metallisierung bei einem von der lateralen Seitenwand (106) der Grundplatte (100) beabstandeten Bereich des isolierenden Glieds (122) elektrisch verbinden, undwobei die Durchkontaktierungen (160) Öffnungen umfassen, die sich durch das isolierende Glied (122) erstrecken und Seitenwände aufweisen, die von einem kupferhaltigen Material bedeckt sind.