公开(公告)号：DE102016107945A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：DE102016107945

申请日：2016-04-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILTSCHE EWALD ,  ZUPAN PETER ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  JELINEK MORIZ ,  KRÖNER FRIEDRICH ,  EBERWEIN ROBERT

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/02 ,  H01J27/22 ,  H01L21/265

Abstract: Eine Ionenquelle für einen Implanter umfasst eine erste Festkörperquellelektrode, die in einer Ionenquellkammer angeordnet ist. Die erste Festkörperquellelektrode umfasst ein Quellmaterial, das mit einem ersten Knoten mit negativem Potential gekoppelt ist. Eine zweite Festkörperquellelektrode ist in der Ionenquellkammer angeordnet. Die zweite Festkörperquellelektrode umfasst das Quellmaterial, das mit einem zweiten Knoten mit negativem Potential gekoppelt ist, und die erste Festkörperquellelektrode und die zweite Festkörperquellelektrode sind ausgebildet, um Ionen zu erzeugen, die durch den Implanter implantiert werden sollen.