公开(公告)号：DE102017113679A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102017113679

申请日：2017-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIRNER ALBERT ,  BRECH HELMUT ,  ZIGLDRUM MATTHIAS ,  BRAUN MICHAELA ,  ECKL CHRISTIAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet eine Halbleitervorrichtung ein Halbleitersubstrat mit einem spezifischen Volumenwiderstand ρ≥ 100 Ohm·cm, einer vorderen Oberfläche und einer hinteren Oberfläche, wenigstens einen LDMOS-Transistor in dem Halbleitersubstrat und eine RESURF-Struktur. Die RESURF-Struktur beinhaltet eine dotierte vergrabene Schicht, die in dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, in einem Abstand von der vorderen Oberfläche und der hinteren Oberfläche beabstandet ist und mit einem Kanalgebiet und/oder einem Bodykontaktgebiet des LDMOS-Transistors gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102017113679B4

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE102017113679

申请日：2017-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIRNER ALBERT ,  BRECH HELMUT ,  ZIGLDRUM MATTHIAS ,  BRAUN MICHAELA ,  ECKL CHRISTIAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:ein Halbleitersubstrat (100) mit einem spezifischen Volumenwiderstand ρ≥ 100 Ohm-cm, einer vorderen Oberfläche (12) und einer hinteren Oberfläche (13);wenigstens einen LDMOS-(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor)-Transistor (14) in dem Halbleitersubstrat (100); undeine RESURF-Struktur (15), die eine dotierte vergrabene Schicht (16) aufweist, die in dem Halbleitersubstrat (100) angeordnet ist, die zu der vorderen Oberfläche (13) und der hinteren Oberfläche (14) beabstandet ist und die mit einem Kanalgebiet (17) und/oder einem Bodykontaktgebiet (18) des LDMOS-Transistors (14) gekoppelt ist,wobei die vergrabene Schicht (16), das Kanalgebiet (17) und das Bodykontaktgebiet (18) jeweils eine Dotierungsstoffkonzentration eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweisen.