公开(公告)号：DE102018128748A8

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102018128748

申请日：2018-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  MISCHITZ MARTIN ,  THION FABIEN ,  OTTO FREDERIK ,  CRAES FABIAN ,  EICHINGER BARBARA

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

公开(公告)号：DE102021100737A1

公开(公告)日：2022-07-21

申请号：DE102021100737

申请日：2021-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CRAES FABIAN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  LOHMANN MAIK ,  SAX HARRY

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/301 ,  H01L23/29 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterpackages wird bereitgestellt. Das Verfahren kann ein Vereinzeln eines Wafers, der eine Mehrzahl von Dies, die an einem Hilfsträger befestigt sind, aufweist, aufweisen, um Dies zu erzeugen, die freigelegte Seitenflächen aufweisen, ein Bedecken von zumindest den Seitenflächen der Dies mit einer Passivierungsschicht mittels eines Ablagerungsprozesses bei einer Temperatur unterhalb der Schmelztemperatur des Hilfsträgers, wobei eine Lücke zwischen der Passivierungsschichten an den Seitenflächen benachbarter Dies der Mehrzahl von Dies erhalten bleibt.

公开(公告)号：DE102017113060B4

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE102017113060

申请日：2017-06-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CRAES FABIAN ,  HARTMANN STEFFEN

IPC: F16J15/14 ,  G21C13/028

Abstract: Verfahren, das aufweist:Anordnen eines ersten Reaktorgehäuseteils (101) eines Reaktorgehäuses (100) und eines zweiten Reaktorgehäuseteils (102) des Reaktorgehäuses (100) aneinander, wobei dazwischen ein Dichtungskanal (103) ausgebildet wird;Abdichten eines Spalts (110) zwischen dem ersten Reaktorgehäuseteil (101) und dem zweiten Reaktorgehäuseteil (102) durch Einspritzen einer Dichtungsmasse (81) in den Dichtungskanal (103) und nachfolgendes Verfestigen der in den Dichtungskanal (103) eingespritzten Dichtungsmasse (81) zu einer Dichtung (82);Durchführen eines Prozesses in einem Innenraum (150) des Reaktorgehäuses (100) bei abgedichtetem Spalt (110);Öffnen des Reaktorgehäuses (100) durch Vergrößern des Spalts (110); undEntfernen der Dichtung (82) von zumindest einem von dem ersten Reaktorgehäuseteil (101) und dem zweiten Reaktorgehäuseteil (102), wobei das Entfernen der Dichtung (82) mittels eines Auswurfpins (104) erfolgt, der die Dichtung (82) aus einer in dem ersten Reaktorgehäuseteil (101) oder dem zweiten Reaktorgehäuseteil (102) gebildeten Vertiefung (103, 103) drückt, die während des vorangegangenen Einspritzens der Dichtungsmasse (81) in den Dichtungskanal (103) Bestandteil des Dichtungskanal (103) war.

公开(公告)号：DE102017113060A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102017113060

申请日：2017-06-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CRAES FABIAN ,  HARTMANN STEFFEN

IPC: F16J15/14

Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Verfahren, bei dem ein erster Reaktorgehäuseteil eines Reaktorgehäuses und ein zweiter Reaktorgehäuseteil des Reaktorgehäuses aneinander angeordnet werden, wobei dazwischen ein Dichtungskanal ausgebildet wird. Ein Spalt zwischen dem ersten Reaktorgehäuseteil und dem zweiten Reaktorgehäuseteil wird durch Einspritzen einer Dichtungsmasse in den Dichtungskanal und durch nachfolgendes Verfestigen der in den Dichtungskanal eingespritzten Dichtungsmasse zu einer Dichtung abgedichtet. In einem Innenraum des Reaktorgehäuses wird bei abgedichtetem Spalt ein Prozess durchgeführt. Das Reaktorgehäuse wird durch Vergrößern des Spalts geöffnet und die Dichtung wird von zumindest einem von dem ersten Reaktorgehäuseteil und dem zweiten Reaktorgehäuseteil entfernt.

公开(公告)号：DE102020115990B3

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：DE102020115990

申请日：2020-06-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CRAES FABIAN ,  EHLERS CARSTEN ,  HOHLFELD OLAF ,  WILKE ULRICH

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/14 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Verfahren weist das Formen einer ersten elektrisch leitenden Schicht auf einer ersten Seite einer dielektrischen Isolationsschicht, das Formen einer strukturierten Maskenschicht auf einer der dielektrischen Isolationsschicht abgewandten Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht, das Formen wenigstens eines Grabens in der ersten elektrisch leitenden Schicht, wobei sich der wenigstens eine Graben durch die gesamte erste elektrisch leitende Schicht hindurch zu der dielektrischen Isolationsschicht erstreckt, das Formen einer Beschichtung, welche wenigstens den Boden und die Seitenwände des wenigstens einen Grabens bedeckt, und, nach dem Formen der Beschichtung, das Entfernen der Maskenschicht auf.

公开(公告)号：DE102018128748A1

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE102018128748

申请日：2018-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  MISCHITZ MARTIN ,  THION FABIEN ,  OTTO FREDERIK ,  CRAES FABIAN ,  EICHINGER BARBARA

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die eine Pastenschicht umfasst, umfassend das Anbringen eines Substrats an einem Träger, wobei das Substrat eine Vielzahl von Halbleiterdies umfasst, das Aufbringen einer Schicht aus einer Paste auf das Substrat, das Strukturieren der Schicht über den Schneidbereichen des Substrats und das Schneiden des Substrats entlang der Schneidbereiche.