公开(公告)号：DE102017213277B4

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE102017213277

申请日：2017-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  WIESBAUER ANDREAS ,  FÜLDNER MARC

IPC: B81B7/02 ,  G01L9/12 ,  H04R19/04

Abstract: MEMS-Sensor (10; 10'; 20; 30; 40; 50; 60; 70; 80; 90) mit folgenden Merkmalen:einer MEMS-Anordnung (12; 12') umfassend:eine bewegliche Elektrode (14; 14, 14)eine Statorelektrode (16), die der beweglichen Elektrode (14; 14, 14) gegenüberliegend angeordnet ist;eine mit der Statorelektrode (16; 16a, 16b) verbundene erste Vorspannungsquelle (18; 18, 18), die konfiguriert ist, um eine erste Vorspannung (V, V) an die Statorelektrode (16, 16a, 16b) anzulegen; undeine durch eine kapazitive Kopplung (24) mit der Statorelektrode (16; 16a, 16b) verbundene Gleichtaktausleseschaltung (22) umfassend eine zweite Vorspannungsquelle (26), die ausgebildet ist, um eine zweite Vorspannung (U2) an eine der Statorelektrode (16; 16a, 16b) abgewandte Seite der kapazitiven Kopplung (24) anzulegen;wobei die bewegliche Elektrode eine erste bewegliche Elektrode (14) ist, und die MEMS-Anordnung ferner eine zweite bewegliche Elektrode (14) umfasst, die der ersten beweglichen Elektrode (14) gegenüberliegend angeordnet ist, wobei die Statorelektrode (16; 16a, 16b) zwischen der ersten und zweiten beweglichen Elektrode (14, 14) angeordnet ist; undwobei der MEMS-Sensor ausgebildet ist, um an der ersten beweglichen Elektrode (14) und der zweiten beweglichen Elektrode (14) mit unterschiedlichen Potenzialen beaufschlagt zu werden.

公开(公告)号：DE102017213277A1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：DE102017213277

申请日：2017-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  WIESBAUER ANDREAS ,  FÜLDNER MARC

IPC: B81B7/02 ,  G01L9/12 ,  H04R19/04

Abstract: Ein MEMS-Sensor umfasst eine MEMS-Anordnung mit einer beweglichen Elektrode und einer Statorelektrode, die der beweglichen Elektrode gegenüberliegend angeordnet ist. Der MEMS-Sensor umfasst eine mit der Statorelektrode verbundene erste Vorspannungsquelle, die konfiguriert ist, um eine erste Vorspannung an die Statorelektrode anzulegen. Der MEMS-Sensor umfasst ferner eine durch eine kapazitive Kopplung mit der Statorelektrode verbundene Gleichtaktausleseschaltung umfassend eine zweite Vorspannungsquelle, die ausgewählt ist, um eine zweite Vorspannung an eine der Statorelektrode abgewandte Seite der kapazitiven Kopplung anzulegen.

公开(公告)号：DE102017212613B9

公开(公告)日：2020-04-30

申请号：DE102017212613

申请日：2017-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FÜLDNER MARC ,  DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN ,  LORENZ GUNAR

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Herstellungsverfahren (100) für ein Doppelmembran-MEMS-Bauelement (300), mit folgenden Schritten:Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung (200) auf einem Trägersubstrat (210), wobei die Schichtanordnung (200) eine erste und zweite voneinander beabstandete Membranstruktur (220, 230) und eine dazwischen angeordnete Gegenelektrodenstruktur (240) aufweist, wobei ein Opfermaterial (250) in einem Zwischenbereich (260) zwischen der Gegenelektrodenstruktur (240) und der jeweils davon beabstandeten ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) angeordnet ist, und wobei die erste Membranstruktur (220) eine Öffnungsstruktur (270) zu dem Zwischenbereich (260) mit dem Opfermaterial (250) aufweist, undteilweises Entfernen (140) des Opfermaterials (250) aus dem Zwischenbereich (260), um eine das Opfermaterial (250) aufweisende mechanische Verbindungsstruktur (280) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) zu erhalten, die zwischen die erste und zweite Membranstruktur (220, 230) mechanisch gekoppelt und von der Gegenelektrodenstruktur (240) mechanisch entkoppelt ist;wobei die Öffnungsstruktur (270; 270, 272) in der ersten Membranstruktur (220) oder in der ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) derart ausgebildet ist, um basierend auf der Ätzrate und Ätzselektivität des Ätzmittels für das Opfermaterial (250) bei dem Ätzvorgang die das Opfermaterial (250) aufweisende, mechanische Verbindungsstruktur (280; 280-n) zu bilden.

公开(公告)号：DE102017212613B4

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102017212613

申请日：2017-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FÜLDNER MARC ,  DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN ,  LORENZ GUNAR

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Herstellungsverfahren (100) für ein Doppelmembran-MEMS-Bauelement (300), mit folgenden Schritten:Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung (200) auf einem Trägersubstrat (210), wobei die Schichtanordnung (200) eine erste und zweite voneinander beabstandete Membranstruktur (220, 230) und eine dazwischen angeordnete Gegenelektrodenstruktur (240) aufweist, wobei ein Opfermaterial (250) in einem Zwischenbereich (260) zwischen der Gegenelektrodenstruktur (240) und der jeweils davon beabstandeten ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) angeordnet ist, und wobei die erste Membranstruktur (220) eine Öffnungsstruktur (270) zu dem Zwischenbereich (260) mit dem Opfermaterial (250) aufweist, undteilweises Entfernen (140) des Opfermaterials (250) aus dem Zwischenbereich (260), um eine das Opfermaterial (250) aufweisende mechanische Verbindungsstruktur (280) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) zu erhalten, die zwischen die erste und zweite Membranstruktur (220, 230) mechanisch gekoppelt und von der Gegenelektrodenstruktur (240) mechanisch entkoppelt ist;wobei die Öffnungsstruktur (270; 270, 272) in der ersten Membranstruktur (220) oder in der ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) derart ausgebildet ist, um basierend auf der Ätzrate und Ätzselektivität des Ätzmittels für das Opfermaterial (250) bei dem Ätzvorgang die das Opfermaterial (250) aufweisende, mechanische Verbindungsstruktur (280; 280-n) zu bilden.

公开(公告)号：DE102018203098B3

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102018203098

申请日：2018-03-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FÜLDNER MARC ,  WIESBAUER ANDREAS ,  DEHE ALFONS ,  KRUMBEIN ULRICH ,  GOLLER BERND ,  LORENZ GUNAR

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/00 ,  H04R19/04

Abstract: Ein MEMS-Sensor (100) umfasst ein Gehäuse (130) mit einem Innenvolumen (V), wobei das Gehäuse eine Zugangsöffnung (132) zu dem Innenvolumen (V) aufweist, ein MEMS-Bauelement (110) in dem Gehäuse (130), und eine Schutzstruktur (140), die ausgebildet ist, um ein Einbringen von elektromagnetischer Störstrahlung (X) mit einer Wellenlänge im Bereich (Δλ) zwischen 10 nm und 20 µm durch die Zugangsöffnung (132) in das Innenvolumen (V) zumindest zu reduzieren und/oder ein Ausbreiten der elektromagnetischen Störstrahlung (X) in dem Innenvolumen (V) zumindest zu reduzieren.

公开(公告)号：DE102017212613A1

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102017212613

申请日：2017-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FÜLDNER MARC ,  DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN ,  LORENZ GUNAR

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist ein Herstellungsverfahren 100 für ein Doppelmembran-MEMS-Bauelement 300 folgende Schritte auf: Bereitstellen 120 einer Schichtanordnung 200 auf einem Trägersubstrat 210, wobei die Schichtanordnung 200 eine erste und zweite voneinander beabstandete Membranstruktur 220, 230 und eine dazwischen angeordnete Gegenelektrodenstruktur 240 aufweist, wobei ein Opfermaterial 250 in einem Zwischenbereich 260 zwischen der Gegenelektrodenstruktur 240 und der jeweils davon beabstandeten ersten und zweiten Membranstruktur 220, 230 angeordnet ist, und wobei die erste Membranstruktur 220 eine Öffnungsstruktur 270 zu dem Zwischenbereich 260 mit dem Opfermaterial 250 aufweist, und teilweises Entfernen 140 des Opfermaterials 250 aus dem Zwischenbereich 260, um eine das Opfermaterial 250 aufweisende mechanische Verbindungsstruktur 280 zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur 220, 230 zu erhalten, die zwischen die erste und zweite Membranstruktur 220, 230 mechanisch gekoppelt und von der Gegenelektrodenstruktur 240 mechanisch entkoppelt ist.