公开(公告)号：WO2004036952A3

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：PCT/EP0311204

申请日：2003-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN ,  FUELDNER MARC

Inventor： DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN ,  FUELDNER MARC

IPC: B81B3/00 ,  H04R19/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00158 ,  H04R19/005 ,  H04R31/003 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/4908

Abstract: The invention relates to a method for producing a membrane (120) used for a component, for example for a microphone. The inventive method consists in deposing a counter electrode (104) on a substrate (100), said counter electrode (104) comprising a sacrificial layer arranged on a surface opposite to said substrate (100). The side of the sacrificial layer which is opposite to the counter electrode (104) is structured in such a way that a plurality of slots is formed thereon and one or several anti-adherent elements and one or several corrugation grooves are defined. Afterwards, a membraneous material is deposed on the structured side in such a way that the membrane (120) provided with one or several corrugation grooves (124) or with one or several anti-adherent elements is formed.

Abstract translation: 在制造用于装置Z的膜（120）的方法。 如麦克风，基板（100），首先提供在其上的对置电极（104）被布置。 0berfläche面对从衬底（100）的距离对置电极（104）是一个牺牲层。 从牺牲层的表面背对对置电极（104）被图案化以形成多个凹部的在所述表面以同时限定一个或多个抗粘合剂元件和一个或多个Korrugationsrillen。 随后，将膜材料沉积在牺牲层的结构化表面上。 然后，在牺牲层被去除以形成所述膜（120），所述一个或多个Korrugationsrillen（124）和一种或多种抗粘元件（126）。

公开(公告)号：DE102017103719A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102017103719

申请日：2017-02-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN ,  DEHE ALFONS ,  FRIZA WOLFGANG ,  KLEIN WOLFGANG ,  KRUMBEIN ULRICH

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00

Abstract: Eine mikroelektromechanische Vorrichtung kann Folgendes umfassen: einen Halbleiterträger; ein mikroelektromechanisches Element, welches in einer vom Halbleiterträger entfernten Position angeordnet ist; wobei das mikroelektromechanische Element ausgelegt ist, um ein elektrisches Signal in Reaktion auf ein mechanisches Signal zu erzeugen oder zu modifizieren, und/oder ausgelegt ist, um ein mechanisches Signal in Reaktion auf ein elektrisches Signal zu erzeugen oder zu modifizieren; wenigstens ein Kontaktpad, welches mit dem mikroelektromechanischen Element elektrisch verbunden ist, um das elektrische Signal zwischen dem Kontaktpad und dem mikroelektromechanischen Element zu übertragen; und eine Verbindungsstruktur, welche sich vom Halbleiterträger zum mikroelektromechanischen Element erstreckt und das mikroelektromechanische Element mechanisch mit dem Halbleiterträger koppelt.

公开(公告)号：DE10221660A1

公开(公告)日：2003-11-27

申请号：DE10221660

申请日：2002-05-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN ,  FUELDNER MARC

IPC: H04R19/04 ,  B81B3/00 ,  H04R19/00

Abstract: The micromechanical capacitive converter has a movable membrane (10), an electrically conductive flat element (14) arranged above a hollow volume (12) and opposite the membrane and a carrying layer (15) in which the element is arranged. The carrying layer and element are perforated by openings (20) whose width approximately corresponds to the thickness of the carrying layer. AN Independent claim is also included for the following: (a) a method of manufacturing an inventive micromechanical capacitive converter.

公开(公告)号：DE102017212613B9

公开(公告)日：2020-04-30

申请号：DE102017212613

申请日：2017-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FÜLDNER MARC ,  DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN ,  LORENZ GUNAR

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Herstellungsverfahren (100) für ein Doppelmembran-MEMS-Bauelement (300), mit folgenden Schritten:Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung (200) auf einem Trägersubstrat (210), wobei die Schichtanordnung (200) eine erste und zweite voneinander beabstandete Membranstruktur (220, 230) und eine dazwischen angeordnete Gegenelektrodenstruktur (240) aufweist, wobei ein Opfermaterial (250) in einem Zwischenbereich (260) zwischen der Gegenelektrodenstruktur (240) und der jeweils davon beabstandeten ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) angeordnet ist, und wobei die erste Membranstruktur (220) eine Öffnungsstruktur (270) zu dem Zwischenbereich (260) mit dem Opfermaterial (250) aufweist, undteilweises Entfernen (140) des Opfermaterials (250) aus dem Zwischenbereich (260), um eine das Opfermaterial (250) aufweisende mechanische Verbindungsstruktur (280) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) zu erhalten, die zwischen die erste und zweite Membranstruktur (220, 230) mechanisch gekoppelt und von der Gegenelektrodenstruktur (240) mechanisch entkoppelt ist;wobei die Öffnungsstruktur (270; 270, 272) in der ersten Membranstruktur (220) oder in der ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) derart ausgebildet ist, um basierend auf der Ätzrate und Ätzselektivität des Ätzmittels für das Opfermaterial (250) bei dem Ätzvorgang die das Opfermaterial (250) aufweisende, mechanische Verbindungsstruktur (280; 280-n) zu bilden.

公开(公告)号：DE102017212613B4

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102017212613

申请日：2017-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FÜLDNER MARC ,  DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN ,  LORENZ GUNAR

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Herstellungsverfahren (100) für ein Doppelmembran-MEMS-Bauelement (300), mit folgenden Schritten:Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung (200) auf einem Trägersubstrat (210), wobei die Schichtanordnung (200) eine erste und zweite voneinander beabstandete Membranstruktur (220, 230) und eine dazwischen angeordnete Gegenelektrodenstruktur (240) aufweist, wobei ein Opfermaterial (250) in einem Zwischenbereich (260) zwischen der Gegenelektrodenstruktur (240) und der jeweils davon beabstandeten ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) angeordnet ist, und wobei die erste Membranstruktur (220) eine Öffnungsstruktur (270) zu dem Zwischenbereich (260) mit dem Opfermaterial (250) aufweist, undteilweises Entfernen (140) des Opfermaterials (250) aus dem Zwischenbereich (260), um eine das Opfermaterial (250) aufweisende mechanische Verbindungsstruktur (280) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) zu erhalten, die zwischen die erste und zweite Membranstruktur (220, 230) mechanisch gekoppelt und von der Gegenelektrodenstruktur (240) mechanisch entkoppelt ist;wobei die Öffnungsstruktur (270; 270, 272) in der ersten Membranstruktur (220) oder in der ersten und zweiten Membranstruktur (220, 230) derart ausgebildet ist, um basierend auf der Ätzrate und Ätzselektivität des Ätzmittels für das Opfermaterial (250) bei dem Ätzvorgang die das Opfermaterial (250) aufweisende, mechanische Verbindungsstruktur (280; 280-n) zu bilden.

公开(公告)号：DE102014216749A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102014216749

申请日：2014-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Ein MEMS-Bauelement enthält eine Rückwandelektrode und eine Membrane, die in einem Abstand von der Rückwandelektrode angeordnet ist. Die Membrane enthält einen verdrängbaren Abschnitt und einen unbeweglichen Abschnitt. Die Rückwandelektrode und die Membrane sind so angeordnet, dass ein überlappender Bereich des unbeweglichen Abschnitts der Membrane mit der Rückwandelektrode weniger als maximal überlappend ist.

公开(公告)号：DE102014109908B4

公开(公告)日：2025-03-20

申请号：DE102014109908

申请日：2014-07-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN ,  FUELDNER MARC ,  JENKNER CHRISTIAN ,  WIESBAUER ANDREAS

IPC: B81B7/02 ,  B81B5/00 ,  H03F1/00 ,  H03H9/46 ,  H04R19/01 ,  H10D84/00

Abstract: Vorrichtung mit mikroelektromechanischem System (MEMS), die Folgendes aufweist:eine erste Platte (101),eine zweite Platte (105), die oberhalb der ersten Platte (101) angeordnet ist,eine erste bewegliche Platte (102), die zwischen der ersten Platte (101) und der zweiten Platte (105) angeordnet ist, undeine zweite bewegliche Platte (103), die zwischen der ersten beweglichen Platte (102) und der zweiten Platte (105) angeordnet ist, wobei die MEMS-Vorrichtung einen ersten Eingangs-/Ausgangsknoten, der mit der ersten Platte (101) gekoppelt ist, einen zweiten Eingangs-/Ausgangsknoten, der mit der zweiten Platte (105) gekoppelt ist, einen dritten Eingangs-/Ausgangsknoten, der mit der ersten beweglichen Platte (102) gekoppelt ist, und einen vierten Eingangs-/Ausgangsknoten, der mit der zweiten beweglichen Platte (103) gekoppelt ist, umfasst, wobei der erste Eingangs-/Ausgangsknoten ein anderer Eingangs-/Ausgangsknoten als der zweite Eingangs-/Ausgangsknoten ist, und wobei der dritte Eingangs-/Ausgangsknoten ein anderer Eingangs-/Ausgangsknoten als der vierte ist Eingangs-/Ausgangsknoten ist, wobei die erste bewegliche Platte (102) starr mit der zweiten beweglichen Platte (103) gekoppelt ist, wobei die erste bewegliche Platte (102) ausgelegt ist, um von kapazitivem Koppeln mit der zweiten beweglichen Platte (103) abgeschirmt zu sein.

公开(公告)号：DE102013207233B4

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：DE102013207233

申请日：2013-04-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN ,  HELM ROLAND ,  HERZUM CHRISTIAN ,  KROPFITSCH MICHAEL ,  WURZER MARTIN

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  G01L23/00 ,  H04R19/04

Abstract: Gekapselte MEMS-Vorrichtung (100, 200) umfassend:einen Träger (110);eine auf dem Träger (110) angeordnete MEMS-Vorrichtung (120, 220);eine auf dem Träger (110) angeordnete Signalverarbeitungsvorrichtung (230);eine auf dem Träger angeordnete Validierungsschaltung (236);und eine auf dem Träger angeordnete Kapselung (140), wobei die Kapselung (140) die MEMS-Vorrichtung (120, 220), die Signalverarbeitungsvorrichtung (230) und die Validierungsschaltung (236) kapseltwobei die Validierungsschaltung (236) konfiguriert ist, umeine Impedanz der MEMS-Vorrichtung (120, 220) für verschiedene Frequenzen zu messen, um die Resonanzfrequenz zu bestimmen, und/odereine Steigung C1-C2/V1-V2zu berechnen, wobei V1eine erste Vorspannung, V2eine zweite Vorspannung, C1eine erste Kapazität der MEMS-Vorrichtung (120, 220), die bei der ersten Vorspannung Vi gemessen wird, und C2 eine zweite Kapazität der MEMS-Vorrichtung (120, 220), die bei der zweiten Vorspannung V2gemessen wird, ist.

公开(公告)号：DE102017204006B3

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：DE102017204006

申请日：2017-03-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00 ,  H04R7/16

Abstract: Ein MEMS-Schallwandler umfasst eine erste und eine zweite Rückplatte sowie eine Membran, die zwischen der ersten und der zweiten Rückplatte angeordnet ist und von einer Randbefestigung zwischen der ersten und der zweiten Rückplatte gehalten ist. Der MEMS-Schallwandler umfasst eine Einklemmstruktur, die ausgebildet ist, um für die Membran bei einem Anliegen einer in einem Betriebszustand einwirkenden elektrostatischen Kraft zwischen der ersten und der zweiten Rückplatte und beabstandet von der Randbefestigung eine Fixierung bereitzustellen und bei einer Abwesenheit der elektrostatischen Kraft die Fixierung zu lösen.

公开(公告)号：DE102016125082B3

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE102016125082

申请日：2016-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUELDNER MARC ,  BARZEN STEFAN ,  FRIZA WOLFGANG

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet eine Membranstruktur mit einer Öffnung. Ferner beinhaltet die Halbleitervorrichtung eine erste Rückplattenstruktur, die auf einer ersten Seite der Membranstruktur angeordnet ist, sowie eine zweite Rückplattenstruktur, die auf einer zweiten Seite der Membranstruktur angeordnet ist. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet weiterhin eine vertikale Verbindungsstruktur, die die erste Rückplattenstruktur mit der zweiten Rückplattenstruktur verbindet. Dabei erstreckt sich die vertikale Verbindungsstruktur durch die Öffnung.