公开(公告)号：DE102015120547A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE102015120547

申请日：2015-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK THOMAS ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KONRATH JENS PETER ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L23/482 ,  H01L29/43

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterbauelement (100) Folgendes enthalten: einen Schichtenstapel, der auf einer Oberfläche des Halbleiterbauelements (100) ausgebildet ist, wobei der Schichtenstapel aufweist: eine Metallisierungsschicht (106), die ein erstes Metall oder eine erste Metalllegierung enthält; eine Schutzschicht (108), die die Metallisierungsschicht (106) abdeckt, wobei die Schutzschicht (108) ein zweites Metall oder eine zweite Metalllegierung enthält, das weniger edel als das erste Metall oder die erste Metalllegierung ist.