公开(公告)号：DE112010002925A5

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：DE112010002925

申请日：2010-07-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELPELT RUDOLF ,  FRIEDRICHS PETER

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

公开(公告)号：DE59711968D1

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：DE59711968

申请日：1997-07-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHOERNER DR ,  FRIEDRICHS PETER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51

公开(公告)号：DE10350160A1

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：DE10350160

申请日：2003-10-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELPELT RUDOLF ,  FRIEDRICHS PETER

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/808 ,  H01L29/80 ,  H01L21/337

Abstract: A p-doped island area (3) separates a first n-doped semiconductor area (NDSA) (21) acting as a drift zone from a second NDSA (22). In the first NDSA, there is a vertical section for a current path (CP) formed between a source structure (5) and a drain structure (4). In the second NDSA area, the CP is directed in a horizontal section and controlled by a potential on a gateway structure (6). An independent claim is also included for a method for producing a blocking layer FET.

公开(公告)号：DE10350170B3

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：DE10350170

申请日：2003-10-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELPELT RUDOLF ,  FRIEDRICHS PETER ,  SCHOERNER REINHOLD

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/567 ,  H03K17/687

Abstract: A barrier layer (BL) field effect transistor (FET) (J) has a first part-load line section (PLLS) between a drain (DJ) and a source (SJ). A control FET (M) connected in series to the BL FET has a second PLLS between a drain (DM) and a source (SM). A load line section formed by both PLLS connected in series is controlled by a potential on a gate (GM) for the control FET.

公开(公告)号：DE102013214196B4

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE102013214196

申请日：2013-07-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRIEDRICHS PETER ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100);in dem Halbleiterkörper (100): ein Sourcegebiet (13), ein Bodygebiet (14) und ein Driftgebiet (11) mit einem ersten Driftgebietabschnitt (11) und einem zweiten Driftgebietabschnitt (11), wobei das Sourcegebiet (13) und das Driftgebiet (11) in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind, wobei das Bodygebiet (14) zwischen dem Sourcegebiet (13) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und wobei der zweite Driftgebietabschnitt (11) in der vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers an den ersten Driftgebietabschnitt (11) angrenzt;eine zu dem Bodygebiet (14) benachbarte und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch von dem Bodygebiet (14) isolierte Gateelektrode;ein Diodengebiet (15) eines zu dem Halbleitertyp des Driftgebiets (11) komplementären Halbleitertyps, wobei das Diodengebiet (15) in dem Driftgebiet (11) und in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zu der Gateelektrode (21) angeordnet ist; undeine Sourceelektrode (30), die elektrisch an das Sourcegebiet (13), das Bodygebiet (14) und das Diodengebiet (15) angeschlossen ist, wobei wenigstens ein erster Abschnitt (30) der Sourceelektrode (30) in einem Graben angeordnet ist, der sich benachbart zu dem Sourcegebiet (13), dem Bodygebiet (14) und dem ersten Driftgebietabschnitt (11) an das Diodengebiet (15) erstreckt,wobei das Diodengebiet (15) die Gateelektrode (21) in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) überlappt.

公开(公告)号：DE102013214196A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：DE102013214196

申请日：2013-07-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRIEDRICHS PETER ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst: einen Halbleiterkörper (100); in dem Halbleiterkörper (100): ein Sourcegebiet (13), ein Bodygebiet (14) und ein Driftgebiet (11) mit einem ersten Driftgebiet (111) und einem zweiten Driftgebiet (112), wobei das Sourcegebiet (13) und das Driftgebiet (11) in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind, wobei das Bodygebiet (14) zwischen dem Sourcegebiet (13) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und wobei der zweite Driftgebietabschnitt (112) in der vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers an den ersten Driftgebietabschnitt (111) angrenzt; eine zu dem Bodygebiet (14) benachbarte und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch von dem Bodygebiet (14) isolierte Gateelektrode; ein Diodengebiet (15) eines zu dem Halbleitertyp des Driftgebiets (11) komplementären Halbleitertyps, wobei das Driftgebiet (15) in dem Driftgebiet (11) und in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zu der Gateelektrode (21) angeordnet ist; eine Sourceelektrode (30), die elektrisch an das Sourcegebiet (13), das Bodygebiet (14) und das Diodengebiet (15) angeschlossen ist, wobei wenigstens ein erster Abschnitt der Sourceelektrode in einem Graben angeordnet ist, der sich benachbart zu dem Sourcegebiet (13), dem Bodygebiet (14) und einem ersten Abschnitt (111) des Driftgebiets (11) an das Diodengebiet (15) erstreckt.