公开(公告)号：DE102017108047A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE102017108047

申请日：2017-04-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEYERS JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  GAMERITH STEFAN ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche. In dem Halbleiterkörper ist eine Transistorstruktur ausgebildet. Eine Grabenstruktur erstreckt sich von der ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper. Eine Struktur zum Schutz gegen elektrostatische Entladung ist in der Grabenstruktur untergebracht. Die Struktur zum Schutz gegen elektrostatische Entladung umfasst ein erstes Anschlussgebiet und ein zweites Anschlussgebiet. Eine Source-Kontaktstruktur an der ersten Oberfläche ist mit Sourcegebieten der Transistorstruktur und mit dem ersten Anschlussgebiet elektrisch verbunden. Eine Gate-Kontaktstruktur an der ersten Oberfläche ist mit einer Gateelektrode der Transistorstruktur und mit dem zweiten Anschlussgebiet elektrisch verbunden.